根據提問者的意思，H20R1203能不能用IRF250替換？想要知道能不能替換，我們先來了解這兩個型號屬於什麼型別的晶片，技術引數怎麼樣？
H20R1203屬於IGBT，其最高工作電壓（Vce）為1200V，最大集電極電流為20A，其飽和壓降（VCE sat）約為1.48V，最大瞬間衝擊電流為60A，VGE的電壓驅動範圍為±20V，飽和驅動電壓VGE≥10V，一般建議飽和驅動電壓VGE=15V~18V左右，工作溫度範圍-40℃~175℃。
IGBT屬於絕緣柵雙極型電晶體，是將場效電晶體和三極體複合在一起，充分利用場效電晶體和三極體的有點。IGBT具有高電壓、輸入阻抗高、熱穩定性好、電壓驅動型、大電流等優點，一般用於高壓、大電流、大功率場合，功率幾千瓦、幾十萬瓦不等。
（2）從兩者的工作電流來看，H20R1203最大工作電流20A，IRF250最大工作電流30A，再根據70%的降額設計標準，使用場合必須在14A以下；
（3）飽和驅動電壓，IGBT為15V~18V左右，場效電晶體為8V~12V左右，兩者最高驅動電壓都可達20V，使用場效電晶體代替IGBT驅動電路可不改；
（4）壓降問題，IGBT-H20R1203壓降約為1.48V，跟負載電流影響不大，而IRF250飽和內阻為85mΩ，由1.48V/85mΩ≈17.4A。也就說針對壓降而言，負載電流小於17.4A時，IRF250的壓降＜H20R1203的壓降，場效電晶體更有優勢；負載電流大於17.4A時，H20R1203的壓降＜IRF250的壓降，IGBT更有優勢。
綜合以上條件，只有當工作電壓小於140V，且負載電流小於14A時，場效電晶體IRF250可以替換IGBT-H20R1203。但是若對壓降和開關速度要求較高時，選擇IRF250效果更好；若考慮超載能力和熱穩定性問題，IGBT效果更優。
▲電磁爐電路板
如果是想使用場效電晶體IRF250替換電磁爐中的IGBT-H20R1203，那絕對是不可以的，電磁爐的功率一般可達3000W左右，IRF250根本扛不住這麼大的功率，況且電磁爐主迴路輸出電壓約為310左右的高壓，IRF250上去直接冒煙了，也許還能提前感受一下過年的感覺O(∩_∩)O。
下圖為其中一款電磁爐原理圖，主迴路原理為220V交流電經過電流檢測電路、電容濾波、整流橋、扼流線圈、電磁爐線盤、IGBT，可見220V交流電經過整流橋後輸出最高電壓約為220*1.414≈311（V）。
▲電磁爐原理圖
總結：IGBT 一般在高壓大功率場合上應用，而場效電晶體一般在低壓中低電流下應用，兩者的應用場合不同，一般情況下IGBT和場效電晶體是不能互換的。在電壓、電流及功率滿足的情況下，對其它效能指標要求不高時，可互換使用，但是IGBT使用在低壓小功率場合有點大材小用，而且還不具有優勢，因此一般情況下不會這麼使用。
根據提問者的意思，H20R1203能不能用IRF250替換？想要知道能不能替換，我們先來了解這兩個型號屬於什麼型別的晶片，技術引數怎麼樣？
兩款晶片的詳細技術引數H20R1203屬於IGBT，其最高工作電壓（Vce）為1200V，最大集電極電流為20A，其飽和壓降（VCE sat）約為1.48V，最大瞬間衝擊電流為60A，VGE的電壓驅動範圍為±20V，飽和驅動電壓VGE≥10V，一般建議飽和驅動電壓VGE=15V~18V左右，工作溫度範圍-40℃~175℃。
IRF250屬於N溝道的場效電晶體（MOSFET），其最高工作電壓（Vds）為200V，最大漏極電流為30A，飽和內阻RDS=85mΩ，VGS電壓驅動範圍為±20V，VGS≥6V管子才飽和，工作溫度範圍-55℃~150℃。IGBT和場效電晶體有什麼區別？IGBT屬於絕緣柵雙極型電晶體，是將場效電晶體和三極體複合在一起，充分利用場效電晶體和三極體的有點。IGBT具有高電壓、輸入阻抗高、熱穩定性好、電壓驅動型、大電流等優點，一般用於高壓、大電流、大功率場合，功率幾千瓦、幾十萬瓦不等。
（2）從兩者的工作電流來看，H20R1203最大工作電流20A，IRF250最大工作電流30A，再根據70%的降額設計標準，使用場合必須在14A以下；
（3）飽和驅動電壓，IGBT為15V~18V左右，場效電晶體為8V~12V左右，兩者最高驅動電壓都可達20V，使用場效電晶體代替IGBT驅動電路可不改；
（4）壓降問題，IGBT-H20R1203壓降約為1.48V，跟負載電流影響不大，而IRF250飽和內阻為85mΩ，由1.48V/85mΩ≈17.4A。也就說針對壓降而言，負載電流小於17.4A時，IRF250的壓降＜H20R1203的壓降，場效電晶體更有優勢；負載電流大於17.4A時，H20R1203的壓降＜IRF250的壓降，IGBT更有優勢。
綜合以上條件，只有當工作電壓小於140V，且負載電流小於14A時，場效電晶體IRF250可以替換IGBT-H20R1203。但是若對壓降和開關速度要求較高時，選擇IRF250效果更好；若考慮超載能力和熱穩定性問題，IGBT效果更優。
▲電磁爐電路板
如果是想使用場效電晶體IRF250替換電磁爐中的IGBT-H20R1203，那絕對是不可以的，電磁爐的功率一般可達3000W左右，IRF250根本扛不住這麼大的功率，況且電磁爐主迴路輸出電壓約為310左右的高壓，IRF250上去直接冒煙了，也許還能提前感受一下過年的感覺O(∩_∩)O。
下圖為其中一款電磁爐原理圖，主迴路原理為220V交流電經過電流檢測電路、電容濾波、整流橋、扼流線圈、電磁爐線盤、IGBT，可見220V交流電經過整流橋後輸出最高電壓約為220*1.414≈311（V）。
▲電磁爐原理圖
總結：IGBT 一般在高壓大功率場合上應用，而場效電晶體一般在低壓中低電流下應用，兩者的應用場合不同，一般情況下IGBT和場效電晶體是不能互換的。在電壓、電流及功率滿足的情況下，對其它效能指標要求不高時，可互換使用，但是IGBT使用在低壓小功率場合有點大材小用，而且還不具有優勢，因此一般情況下不會這麼使用。