1、大功率整流用可控矽。
2、IGBT與可控矽相比各有優點，前者是可控制開-關元件，後者大多數是隻能控制開，不能控制關（現在有可關斷可控矽了）。受元件製造工藝和工作原理等影響，前者可在較高頻率下工作（最高25KHz左右），後者大多在5KHz以內，這個是前者比後者的優點。
3、前者相比的缺點是成本高，製造工藝複雜，在高壓大電流元件的製造上，還達不到可控矽的能力，並且在抗過載能力上遠遠不及可控矽。
4、隨著製造工藝的進步，短路保護的日趨完善，前者在元件成本上已經大大下降，在很多場合與可控矽相比價格完全可以接受，並且由於控制靈活方便，能取消可控矽電路的關斷電路等，在很多場合完全可以替代可控矽，並且效能更好。 擴充套件資料：1、可控矽是可控矽整流元件的簡稱,亦稱為閘流體。是一種具有三個PN 結的四層結構的大功率半導體器件,一般由兩閘流體反向連線而成.它的功用不僅是整流，還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。2、可控矽具有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。多用來作可控整流、逆變、變頻、調壓、無觸點開關等。家用電器中的調光燈、玩具裝置、無線電遙控、攝像機及工業控制等都大量使用了可控矽器件。3、 IGBT，絕緣柵雙極型功率管，是由BJT(雙極型三極體)和MOS(絕緣柵型場效電晶體)組成的複合全控型電壓驅動式電力半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。4、GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用於直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
1、大功率整流用可控矽。
2、IGBT與可控矽相比各有優點，前者是可控制開-關元件，後者大多數是隻能控制開，不能控制關（現在有可關斷可控矽了）。受元件製造工藝和工作原理等影響，前者可在較高頻率下工作（最高25KHz左右），後者大多在5KHz以內，這個是前者比後者的優點。
3、前者相比的缺點是成本高，製造工藝複雜，在高壓大電流元件的製造上，還達不到可控矽的能力，並且在抗過載能力上遠遠不及可控矽。
4、隨著製造工藝的進步，短路保護的日趨完善，前者在元件成本上已經大大下降，在很多場合與可控矽相比價格完全可以接受，並且由於控制靈活方便，能取消可控矽電路的關斷電路等，在很多場合完全可以替代可控矽，並且效能更好。 擴充套件資料：1、可控矽是可控矽整流元件的簡稱,亦稱為閘流體。是一種具有三個PN 結的四層結構的大功率半導體器件,一般由兩閘流體反向連線而成.它的功用不僅是整流，還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。2、可控矽具有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。多用來作可控整流、逆變、變頻、調壓、無觸點開關等。家用電器中的調光燈、玩具裝置、無線電遙控、攝像機及工業控制等都大量使用了可控矽器件。3、 IGBT，絕緣柵雙極型功率管，是由BJT(雙極型三極體)和MOS(絕緣柵型場效電晶體)組成的複合全控型電壓驅動式電力半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。4、GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用於直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。