閘流體投切的靜止無功補償器，屬於無源快速無功補償裝置。目前市場主要投入使用的有TCR和TSC，不過缺點是容易出現過欠補、擴容不方便、電容櫃散熱大等情況。它屬於第二代無功補償技術，現在的第三代自換向變流器的靜止無功補償裝置最主流。

TCR：TCR透過調節閘流體的觸發角α，實現連續調節補償裝置的無功功率。總結出，它是利用TCR迴路吸收的感性無功功率，可以對無功功率進行動態補償，使得並聯濾波器中多餘的無功功率得到平衡，確保補償點的電壓接近維持不變。

TSC：一般情況下，按照一定的比例設計成多組支路的濾波器，在基波頻率下成容性，分級改變補償裝置的無功出力，濾波支路在某次諧波下偏調諧，兼濾該次諧波。TSC只能分組投切，必須和TCR配合才能進行連續調節。盛弘電氣認為，TSC的基本電路有3種[2]，如圖3、圖4和圖5所示，圖3為星形有中線連線，圖4為三角形外部連線，簡稱角外接法，圖5為三角形內部連線，簡稱角內接法。在這3種電路的基礎上又衍生出很多其他的拓撲結構，比如將每相的一個閘流體換成二極體，或者為了節約成本去掉某相的閘流體開關。選用何種拓撲結構應結合現場負荷實際情況及技術經濟等因素綜合考慮。

閘流體損壞原因判別2012-03-26 13:04當閘流體損壞後需要檢查分析其原因時，可把管芯從冷卻套中取出，開啟芯盒再取出晶片，觀察其損壞後的痕跡，以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現象分析。

1、電壓擊穿。閘流體因不能承受電壓而損壞，其晶片中有一個光潔的小孔，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產生的高電壓擊穿。

2、電流損壞。電流損壞的痕跡特徵是晶片被燒成一個凹坑，且粗糙，其位置在遠離控制極上。

3電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。

4、 邊緣損壞。他發生在晶片外圓倒角處，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是製造廠家安裝不慎所造成的。它導致電壓擊穿。