概述：英特爾45奈米高K半導體制程技術全稱為英特爾45奈米高K金屬柵矽製程技術。該技術突破性的採用金屬鉿製作具有高K特性的柵極絕緣層，是半導體行業近40年來的重要創新。英特爾的65納米制程升級為45納米制程技術並非以往升級所帶來的量變，而是脫胎換骨的飛躍。憑藉製程的創新，英特爾邁出TICK-TOCK產品發展戰略穩健的又一步，並拉開了半導體行業發展的歷史新篇章。這一創新再次延續了摩爾定律，使之在未來10年繼續有效。隨著英特爾45奈米半導體制程技術揭開神秘面紗，一系列採用該技術的伺服器、工作站及桌上型電腦處理器同期釋出。較前代產品，新產品在效能、能耗比以及經濟性方面有顯著提高，並將在正式釋出後向市場供貨。預覽英特爾45納米制程技術創新英特爾45奈米高k金屬柵極電晶體技術英特爾45奈米高k金屬柵極電晶體技術是英特爾製造電晶體的新方法，它以一種具有高k特性的新材料作為“柵極電介質”，並採用了一種新型金屬材料作為電晶體的“柵極”。向這些新材料組合的轉變，標誌著40多年來晶體管制造方式最重大的變革。採用英特爾45奈米高k電晶體的優勢全新英特爾45奈米高k電晶體方案透過縮小電晶體的體積解決了漏電率問題。它能降低電晶體的漏電率，幫助英特爾的工程師們在提供更高效能的同時降低處理器的能耗。同時，膝上型電腦使用者也將發現，漏電率的降低使得能耗也隨之減少，電池的使用時間更長了。英特爾在新制程技術中採用的新材料高k材料基於一種名為鉿的元素，而不是以往的二氧化矽；而電晶體柵極則由兩種金屬元素組成，取代了矽。多數電晶體和晶片仍基於先進的英特爾矽製程技術製造。新的方案中結合了所有這些新材料，是英特爾提升處理器效能的獨特手段。採用金屬鉿的價值所在鉿是元素週期表中的72號元素，也是一種金屬材料。它呈銀灰色，具有很高的韌性和防腐性，化學特性類似於鋯。英特爾之所以在45奈米電晶體中採用鉿來代替二氧化矽，是因為鉿是一種較厚（thicker）的材料，它能在顯著降低漏電量的同時，保持高電容來實現電晶體的高效能。這項創新技術引導我們推出了新一代45奈米處理器，併為我們將來生產體積更小巧的處理器奠定了基礎。
概述：英特爾45奈米高K半導體制程技術全稱為英特爾45奈米高K金屬柵矽製程技術。該技術突破性的採用金屬鉿製作具有高K特性的柵極絕緣層，是半導體行業近40年來的重要創新。英特爾的65納米制程升級為45納米制程技術並非以往升級所帶來的量變，而是脫胎換骨的飛躍。憑藉製程的創新，英特爾邁出TICK-TOCK產品發展戰略穩健的又一步，並拉開了半導體行業發展的歷史新篇章。這一創新再次延續了摩爾定律，使之在未來10年繼續有效。隨著英特爾45奈米半導體制程技術揭開神秘面紗，一系列採用該技術的伺服器、工作站及桌上型電腦處理器同期釋出。較前代產品，新產品在效能、能耗比以及經濟性方面有顯著提高，並將在正式釋出後向市場供貨。預覽英特爾45納米制程技術創新英特爾45奈米高k金屬柵極電晶體技術英特爾45奈米高k金屬柵極電晶體技術是英特爾製造電晶體的新方法，它以一種具有高k特性的新材料作為“柵極電介質”，並採用了一種新型金屬材料作為電晶體的“柵極”。向這些新材料組合的轉變，標誌著40多年來晶體管制造方式最重大的變革。採用英特爾45奈米高k電晶體的優勢全新英特爾45奈米高k電晶體方案透過縮小電晶體的體積解決了漏電率問題。它能降低電晶體的漏電率，幫助英特爾的工程師們在提供更高效能的同時降低處理器的能耗。同時，膝上型電腦使用者也將發現，漏電率的降低使得能耗也隨之減少，電池的使用時間更長了。英特爾在新制程技術中採用的新材料高k材料基於一種名為鉿的元素，而不是以往的二氧化矽；而電晶體柵極則由兩種金屬元素組成，取代了矽。多數電晶體和晶片仍基於先進的英特爾矽製程技術製造。新的方案中結合了所有這些新材料，是英特爾提升處理器效能的獨特手段。採用金屬鉿的價值所在鉿是元素週期表中的72號元素，也是一種金屬材料。它呈銀灰色，具有很高的韌性和防腐性，化學特性類似於鋯。英特爾之所以在45奈米電晶體中採用鉿來代替二氧化矽，是因為鉿是一種較厚（thicker）的材料，它能在顯著降低漏電量的同時，保持高電容來實現電晶體的高效能。這項創新技術引導我們推出了新一代45奈米處理器，併為我們將來生產體積更小巧的處理器奠定了基礎。