可控矽的檢測BTA12 600B可以使用萬用表。用萬用表來判斷雙向矽可控的好壞，但具體引數無法測量。方法如下：
T2極的測定：分別用萬用表r*1或r*100測量每個管腳的反向電阻，其中如果測量兩個管腳的正向和反向電阻小（約100oumuzooyou），也就是T1和g杆，剩下的腳就是T2杆。
T1和G極點的區別：假設兩個極點中的任何一個假設為T1極，另一個極點假設為G極點，則萬用表設為r*1檔案，而兩支筆（沒有正極和負極）分別用來接觸被識別的T2極和假設的T1極。
而接觸T1筆會同時接觸假設的G極，以確保假設的T1極保持開放，假設的G極斷開，萬用表仍顯示傳導狀態。這支筆是用同樣的方法交換和測量的。
如果萬用表仍然顯示相同的結果，則假設的T1極和G極是正確的.如果確保假設的T1極連續開啟，假設的G極斷開，萬用表顯示斷開狀態，表示假設的T1和G相反，來自新假設的測量必須正確。
如果上述結果無法測量，則雙向矽可控不良。雖然這種方法不能測量具體的引數，但仍然可以確定它是否可用。
擴充套件資料
可控矽的主要引數有：
1、 額定通態平均電流IT 在一定條件下，陽極---陰極間可以連續透過的50赫茲正弦半波電流的平均值。
2、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發訊號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重複加在可控矽兩端的正向峰值電壓。可控矽承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個引數值。
3、 反向阻斷峰值電壓VPR 當可控矽加反向電壓，處於反向關斷狀態時，可以重複加在可控矽兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個引數值。
4、 觸發電壓VGT 在規定的環境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控矽從關斷狀態轉為導通狀態所需要的最小控制極電流和電壓。
5、 維持電流IH 在規定溫度下，控制極斷路，維持可控矽導通所必需的最小陽極正向電流。
許多新型可控矽元件相繼問世，如適於高頻應用的快速可控矽，可以用正或負的觸發訊號控制兩個方向導通的雙向可控矽，可以用正觸發訊號使其導通，用負觸發訊號使其關斷的可控矽等等。
參考資料:
可控矽的檢測BTA12 600B可以使用萬用表。用萬用表來判斷雙向矽可控的好壞，但具體引數無法測量。方法如下：
T2極的測定：分別用萬用表r*1或r*100測量每個管腳的反向電阻，其中如果測量兩個管腳的正向和反向電阻小（約100oumuzooyou），也就是T1和g杆，剩下的腳就是T2杆。
T1和G極點的區別：假設兩個極點中的任何一個假設為T1極，另一個極點假設為G極點，則萬用表設為r*1檔案，而兩支筆（沒有正極和負極）分別用來接觸被識別的T2極和假設的T1極。
而接觸T1筆會同時接觸假設的G極，以確保假設的T1極保持開放，假設的G極斷開，萬用表仍顯示傳導狀態。這支筆是用同樣的方法交換和測量的。
如果萬用表仍然顯示相同的結果，則假設的T1極和G極是正確的.如果確保假設的T1極連續開啟，假設的G極斷開，萬用表顯示斷開狀態，表示假設的T1和G相反，來自新假設的測量必須正確。
如果上述結果無法測量，則雙向矽可控不良。雖然這種方法不能測量具體的引數，但仍然可以確定它是否可用。
擴充套件資料
可控矽的主要引數有：
1、 額定通態平均電流IT 在一定條件下，陽極---陰極間可以連續透過的50赫茲正弦半波電流的平均值。
2、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發訊號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重複加在可控矽兩端的正向峰值電壓。可控矽承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個引數值。
3、 反向阻斷峰值電壓VPR 當可控矽加反向電壓，處於反向關斷狀態時，可以重複加在可控矽兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個引數值。
4、 觸發電壓VGT 在規定的環境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控矽從關斷狀態轉為導通狀態所需要的最小控制極電流和電壓。
5、 維持電流IH 在規定溫度下，控制極斷路，維持可控矽導通所必需的最小陽極正向電流。
許多新型可控矽元件相繼問世，如適於高頻應用的快速可控矽，可以用正或負的觸發訊號控制兩個方向導通的雙向可控矽，可以用正觸發訊號使其導通，用負觸發訊號使其關斷的可控矽等等。
參考資料: