可能有點亂，你自己綜合一下吧積體電路簡稱IC（IntegratedCircuit），是60年代初期發展起來的一種半導體器件，它是在半導體制造工藝的基礎上，將各種元器件和連線等整合在一片矽片上而製成的，因此密度高、引線短、外部接線大為減小，從而提高了電子裝置的可靠性和靈活性，同時降低了成本。具有體積小、重量輕、成本低、外圍元件少、安裝除錯簡單、使用方便的優點；在效能上也優於分立元件，例如溫度穩定性好，功耗小、失真小，特別是整合功率放大器內部還設定有過熱、過電流、過電壓等自動保護功能的電路對電路自行進行保護。與分立元件組成的同樣電路相比，它具有以下幾方面的特點：①由積體電路工藝製造出來的元器件，雖然其引數的精度不是很高，受溫度的影響也較大，但由於各有關元器件都同處在一個矽片上，距離又非常接近，因此對稱性較好，適用於構成差分放大電路。②由積體電路工藝製造出來的電阻，其阻值範圍有一定的侷限性，一般大幾十歐到幾十千歐之間，因此在需要很高阻值的電阻時，就要在電路上另想辦法。③在積體電路中，製造三極體，特別是NPN三極體往往比製造電阻、電容等無源器件更加方便，佔用更少的芯片面積，因而成本更低廉。所以在整合放大電路中，常常用三極體代替電阻，尤其是大電阻。④積體電路工藝不適於製造幾十皮法以上的電容器，至於電感器就更困難。因此放大級之間通常都採用直接耦合方式，而不採用阻容耦合方式。⑤直接耦合放大電路中，經常遇到既有NPN又有PNP管的情況，但在單片積體電路中，一般情況下PNP管只能做成橫向的，此時它的β值比較小（1≤0），而不能像分立器件那樣，使PNPT和PNP管的特性匹配得比較接近。在分析時，橫向PNP管的β＋1和β值差別比較大。總起來說，整合運放和分立器件的直接耦合放大電路雖然在工作原理上基本相同，但由於上述原因，在電路的結構形式上二者將不圈套的差別。

TTL積體電路使用TTL管，也就是PN接面。功耗較大，驅動能力強，一般工作電壓+5V CMOS積體電路使用MOS管，功耗小，工作電壓範圍很大，一般速度也低，但是技術在改進，這已經不是問題。就TTL與CMOS電平來講，前者屬於雙極型數字積體電路，其輸入端與輸出端均為三極體，因此它的閥值電壓是<0.2V為輸出低電平；>3.4V為輸出高電平。 而CMOS電平就不同了，他的閥值電壓比TTL電平大很多。而串列埠的傳輸電壓都是以COMS電壓傳輸的。1，TTL電平： 輸出高電平>2.4V,輸出低電平<0.4V。在室溫下，一般輸出高電平是3.5V，輸出低電平 是0.2V。最小輸入高電平和低電平：輸入高電平>=2.0V，輸入低電平<=0.8V，噪聲容限是 0.4V。 2，CMOS電平： 1邏輯電平電壓接近於電源電壓，0邏輯電平接近於0V。而且具有很寬的噪聲容限。 3，電平轉換電路： 因為TTL和COMS的高低電平的值不一樣（ttl 5v<＝＝>cmos 3.3v），所以互相連線時需 要電平的轉換：就是用兩個電阻對電平分壓，沒有什麼高深的東西。哈哈 4，OC門，即集電極開路閘電路，OD門，即漏極開路閘電路，必須外界上拉電阻和電源才能 將開關電平作為高低電平用。否則它一般只作為開關大電壓和大電流負載，所以又叫做驅 動閘電路。 5，TTL和COMS電路比較： 1）TTL電路是電流控制器件，而coms電路是電壓控制器件。 2）TTL電路的速度快，傳輸延遲時間短(5-10ns)，但是功耗大。 COMS電路的速度慢，傳輸延遲時間長(25-50ns),但功耗低。 COMS電路本身的功耗與輸入訊號的脈衝頻率有關，頻率越高，晶片集越熱，這是正常 現象。