CVD技術是化學氣相沉積Chemical Vapor Deposition的縮寫。
化學氣相沉積乃是透過化學反應的方式，利用加熱、等離子激勵或光輻射等各種能源，在反應器內使氣態或蒸汽狀態的化學物質在氣相或氣固介面上經化學反應形成固態沉積物的技術。•簡單來說就是：兩種或兩種以上的氣態原材料匯入到一個反應室內,然後他們相互之間發生化學反應，形成一種新的材料，沉積到基片表面上。•從氣相中析出的固體的形態主要有下列幾種：在固體表面上生成薄膜、晶須和晶粒，在氣體中生成粒子。
CVD技術是原料氣或蒸汽透過氣相反應沉積出固態物質，因此把CVD技術用於無機合成和材料製備時具有以下特點：•（1）沉積反應如在氣固介面上發生則沉積物將按照原有固態基底（又稱襯底）的形狀包覆一層薄膜。•（2）塗層的化學成分可以隨氣相組成的改變而改變從而獲得梯度沉積物或得到混合鍍層。•（3）採用某種基底材料，沉積物達到一定厚度以後又容易與基底分離，這樣就可以得到各種特定形狀的遊離沉積物器具。•（4）在CVD技術中也可以沉積生成晶體或細粉狀物質，或者使沉積反應發生在氣相中而不是在基底表面上，這樣得到的無機合成物質可以是很細的粉末，甚至是奈米尺度的微粒稱為奈米超細粉末。•（5）CVD工藝是在較低壓力和溫度下進行的，不僅用來增密炭基材料，還可增強材料斷裂強度和抗震效能是在較低壓力和溫度下進行的。
•CVD技術根據反應型別或者壓力可分為低壓CVD(LPCVD)、常壓CVD(APCVD)、亞常壓CVD(SACVD)、超高真空CVD(UHCVD)、等離子體增強CVD(PECVD)、高密度等離子體CVD(HDPCVD)、快熱CVD(RTCVD)、金屬有機物CVD(MOCVD)
CVD技術是化學氣相沉積Chemical Vapor Deposition的縮寫。
化學氣相沉積乃是透過化學反應的方式，利用加熱、等離子激勵或光輻射等各種能源，在反應器內使氣態或蒸汽狀態的化學物質在氣相或氣固介面上經化學反應形成固態沉積物的技術。•簡單來說就是：兩種或兩種以上的氣態原材料匯入到一個反應室內,然後他們相互之間發生化學反應，形成一種新的材料，沉積到基片表面上。•從氣相中析出的固體的形態主要有下列幾種：在固體表面上生成薄膜、晶須和晶粒，在氣體中生成粒子。
CVD技術是原料氣或蒸汽透過氣相反應沉積出固態物質，因此把CVD技術用於無機合成和材料製備時具有以下特點：•（1）沉積反應如在氣固介面上發生則沉積物將按照原有固態基底（又稱襯底）的形狀包覆一層薄膜。•（2）塗層的化學成分可以隨氣相組成的改變而改變從而獲得梯度沉積物或得到混合鍍層。•（3）採用某種基底材料，沉積物達到一定厚度以後又容易與基底分離，這樣就可以得到各種特定形狀的遊離沉積物器具。•（4）在CVD技術中也可以沉積生成晶體或細粉狀物質，或者使沉積反應發生在氣相中而不是在基底表面上，這樣得到的無機合成物質可以是很細的粉末，甚至是奈米尺度的微粒稱為奈米超細粉末。•（5）CVD工藝是在較低壓力和溫度下進行的，不僅用來增密炭基材料，還可增強材料斷裂強度和抗震效能是在較低壓力和溫度下進行的。
•CVD技術根據反應型別或者壓力可分為低壓CVD(LPCVD)、常壓CVD(APCVD)、亞常壓CVD(SACVD)、超高真空CVD(UHCVD)、等離子體增強CVD(PECVD)、高密度等離子體CVD(HDPCVD)、快熱CVD(RTCVD)、金屬有機物CVD(MOCVD)