1

將些純矽製成矽晶棒，成為製造積體電路的石英半導體的材料，將其切片就是晶片製作具體需要的晶圓。

2

晶圓塗膜。晶圓塗膜能抵抗氧化以及耐溫能力，其材料為光阻的一種。

3

晶圓光刻顯影、蝕刻。該過程使用了對紫外光敏感的化學物質，即遇紫外光則變軟。透過控制遮光物的位置可以得到晶片的外形。在矽晶片塗上光致抗蝕劑，使得其遇紫外光就會溶解。這是可以用上第一份遮光物，使得紫外光直射的部分被溶解，這溶解部分接著可用溶劑將其沖走。這樣剩下的部分就與遮光物的形狀一樣了，而這效果正是我們所要的。這樣就得到我們所需要的二氧化矽層。

4

攙加雜質。將晶圓中植入離子，生成相應的P、N類半導體。具體工藝是是從矽片上暴露的區域開始，放入化學離子混合液中。這一工藝將改變攙雜區的導電方式，使每個電晶體可以通、斷、或攜帶資料。簡單的晶片可以只用一層，但複雜的晶片通常有很多層，這時候將這一流程不斷的重複，不同層可透過開啟視窗聯接起來。這一點類似所層PCB板的製作製作原理。 更為複雜的晶片可能需要多個二氧化矽層，這時候透過重複光刻以及上面流程來實現，形成一個立體的結構。

5

晶圓測試。經過上面的幾道工藝之後，晶圓上就形成了一個個格狀的晶粒。透過針測的方式對每個晶粒進行電氣特性檢測。 一般每個晶片的擁有的晶粒數量是龐大的，組織一次針測試模式是非常複雜的過程，這要求了在生產的時候儘量是同等晶片規格構造的型號的大批次的生產。數量越大相對成本就會越低，這也是為什麼主流晶片器件造價低的一個因素。

6

封裝。將製造完成晶圓固定，繫結引腳，按照需求去製作成各種不同的封裝形式，這就是同種晶片核心可以有不同的封裝形式的原因。比如：DIP、QFP、PLCC、QFN 等等。這裡主要是由使用者的應用習慣、應用環境、市場形式等外圍因素來決定的。

7

測試、包裝。經過上述工藝流程以後，晶片製作就已經全部完成了，這一步驟是將晶片進行測試、剔除不良品，以及包裝。