外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→幹法刻蝕→去膠→退火→SiO2沉積→視窗圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→晶片→成品測試。其實外延片的生產製作過程是非常複雜的，在展完外延片後，下一步就開始對LED外延片做電極（P極，N極），接著就開始用鐳射機切割LED外延片（以前切割LED外延片主要用鑽石刀），製造成晶片後，在晶圓上的不同位置抽取九個點做引數測試.
1、 主要對電壓、波長、亮度進行測試，能符合正常出貨標準引數的晶圓片再繼續做下一步的操作，如果這九點測試不符合相關要求的晶圓片，就放在一邊另外處理。
2、 晶圓切割成晶片後，100%的目檢（VI/VC），操作者要使用放大30倍數的顯微鏡下進行目測。
3、 接著使用全自動分類機根據不同的電壓，波長，亮度的預測引數對晶片進行全自動化挑選、測試和分類。
4、 最後對LED晶片進行檢查（VC）和貼標籤。晶片區域要在藍膜的中心，藍膜上最多有5000粒晶片，但必須保證每張藍膜上晶片的數量不得少於1000粒，晶片型別、批號、數量和光電測量統計資料記錄在標籤上，附在蠟光紙的背面。藍膜上的晶片將做最後的目檢測試與第一次目檢標準相同，確保晶片排列整齊和質量合格。這樣就製成LED晶片（目前市場上統稱方片）。在LED晶片製作過程中，把一些有缺陷的或者電極有磨損的晶片，分撿出來，這些就是後面的散晶，此時在藍膜上有一些不符合正常出貨要求的晶片，也就自然成了邊片或毛片等。剛才談到在晶圓上的不同位置抽取九個點做引數測試，對於不符合相關要求的晶圓片作另外處理，這些晶圓片是不能直接用來做LED方片，也就不做任何分檢了，直接賣給客戶了，也就是目前市場上的LED大圓片（但是大圓片裡也有好東西，如方片）。
外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→幹法刻蝕→去膠→退火→SiO2沉積→視窗圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→晶片→成品測試。其實外延片的生產製作過程是非常複雜的，在展完外延片後，下一步就開始對LED外延片做電極（P極，N極），接著就開始用鐳射機切割LED外延片（以前切割LED外延片主要用鑽石刀），製造成晶片後，在晶圓上的不同位置抽取九個點做引數測試.
1、 主要對電壓、波長、亮度進行測試，能符合正常出貨標準引數的晶圓片再繼續做下一步的操作，如果這九點測試不符合相關要求的晶圓片，就放在一邊另外處理。
2、 晶圓切割成晶片後，100%的目檢（VI/VC），操作者要使用放大30倍數的顯微鏡下進行目測。
3、 接著使用全自動分類機根據不同的電壓，波長，亮度的預測引數對晶片進行全自動化挑選、測試和分類。
4、 最後對LED晶片進行檢查（VC）和貼標籤。晶片區域要在藍膜的中心，藍膜上最多有5000粒晶片，但必須保證每張藍膜上晶片的數量不得少於1000粒，晶片型別、批號、數量和光電測量統計資料記錄在標籤上，附在蠟光紙的背面。藍膜上的晶片將做最後的目檢測試與第一次目檢標準相同，確保晶片排列整齊和質量合格。這樣就製成LED晶片（目前市場上統稱方片）。在LED晶片製作過程中，把一些有缺陷的或者電極有磨損的晶片，分撿出來，這些就是後面的散晶，此時在藍膜上有一些不符合正常出貨要求的晶片，也就自然成了邊片或毛片等。剛才談到在晶圓上的不同位置抽取九個點做引數測試，對於不符合相關要求的晶圓片作另外處理，這些晶圓片是不能直接用來做LED方片，也就不做任何分檢了，直接賣給客戶了，也就是目前市場上的LED大圓片（但是大圓片裡也有好東西，如方片）。