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  • 1 # 繁星落石

    摩爾定律失效主要是因為製程接近原子尺寸,透過光柵蝕刻的方式已經做不到了,工藝方面會首先遇到問題。其次是因為間距過小,導致嚴重的隧穿效應,這種理論在量子力學中被廣泛接受,也許想要解決這個問題,也還是需要藉助量子力學的辦法。

    現階段使用的技術,依然是利用半導體的性質來束縛電子傳輸,保持矽基設計思路。但是對於更精細的製程,更密集的電路排布而言,也許矽基不是最好的解決辦法,材料的進步也許會解決這一問題。

    另外一種解決辦法是透過立體結構。目前即便是FinFET結構其實也只是部分實現了立體化設計,並不算是真正的立體化。美國提出了一種將整個電路進行3D設計的思路,使電路除了二維平面展開,在三維角度也具有電流流動和互動。藉助這種技術,即便製程稍大,依然可以實現更高的效能,只不過這個技術尚在開發。

  • 2 # 大山觀點

    本就沒有摩爾定律,只是一些專家過多的解讀了摩爾的意思,就像"魯迅先生說"這個窗簾是藍色的"",可以自行搜尋。

    至於晶片發現,個人認為會從工藝、成品率、ai運算能力 等幾個方面發展。

    1、工藝:7nm不是終點,更先進的工藝會讓晶片整合度更高,能耗更低,更適合大型運算或移動裝置;

    2、成品率:以64層堆疊為例,每一層良品率99%,整體良品率可能0%,所以每一層要99.999%,這也是導致晶片(例如儲存類)價格高的主要原因。成品率透過更先進的裝置提高,整體成本就會降低,這個很直接;

    3、人工智慧是趨勢,全世界的資本都在追,google和nVidia已經發布專門用於人工智慧的TPU,而且google對外的雲端ML,已經都以"gpu×日"為單位收費了,市場的需求就是行業發展的最好動力。

    答畢,手工碼字。

    @軍117397201 @肥羊187031211 @s-3265426 @196614408 @先說文化 @泊船山 @Antonio @Antonio @柯於洋 @泊船山 @追夢少年138807847 @柯於洋 @地下1194861282

  • 3 # 芯扒客

    摩爾定律畢竟不是以嚴謹科學程式所定義的真正「定律」,Moore自己也說,那只是一種觀察與推測。

    未來國際半導體技術的發展將沿著三條路線向前:

    第一條是more moore,繼續提升工藝極限。

    毫無疑問,more moore還是可以繼續。去年EETIMES發表一篇文章,5奈米的光刻技術已經成功了,而且這是一個混合的光刻技術。把193I和EUV混合起來,甚至用到四次曝光。這是最佳的更經濟的一種方式。

    所以我估計5奈米不是極限,可能3奈米。很可能還會做到2.5奈米,當然走到1.8奈米的時候是否還能繼續向下走?我覺得技術上可能沒問題,但是成本上是否划算的問題。

    第二條是more than moore,目的是把晶片和一些主動被動元器件實現系統級的整合,去尋找一個最小化的系統解決方案來提供更高的價值。

    more than moore,其實就是把大量的器件整合在一起,也就是Multi Conponent IC,多元整合IC。它實際上是要把晶片、主動、被動元件包括感測器全部透過一個小型化器件整合在一起。

    今後半導體的價值體現在哪?晶片固然重要,系統整合的價值更重要。在系統整合方面,我們的知識仍然處在一個初級階段。我們現在很多廠商可能從成本考慮,more moore路線往下走走不下去了。但是有沒有想過,把你們的支援和應用結合起來,形成新的Multi Conponent IC。

    第三條是beyond CMOS,直接改變現有的矽材料。

    去年看到一個新聞讓我感到非常吃驚。IBM提出的一個分子級的應用,它是在一個砷化銦的晶體上,放了12個帶正電的銦原子。中間放一個酞菁分子,透過改變12個排成6邊形的原子上的電荷數量。可以讓中間的酞菁分子發生方向的轉變。

    更為可怕的是,每一個銦原子的直徑只有167個皮米。一個皮米是千分之一奈米。所以這樣的分子電晶體的整個直徑小於一奈米。

    右邊的是去年IBM釋出的碳奈米管,是最有可能代替矽的技術,所以摩爾定律沒有大家想象得那麼悲觀,可能我們還會繼續走下去。能是因為新材料,可能是新技術。

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