旁路電容是把輸入訊號中的干擾作為濾除物件，而去耦電容是把輸出訊號的干擾作為濾除物件，防止干擾訊號返回電源。這應該是他們的本質區別。去耦電容相當於電池，避免由於電流的突變而使電壓下降，相當於濾紋波。具體容值可以根據電流的大小、期望的紋波大小、作用時間的大小來計算。去耦電容一般都很大，對更高頻率的噪聲，基本無效。旁路電容就是針對高頻來的，也就是利用了電容的頻率阻抗特性。只是旁路電容一般是指高頻旁路，也就是給高頻的開關噪聲提高一條低阻抗洩防途徑。高頻旁路電容一般比較小，根據諧振頻率一般是0.1u，0.01u等 ，而去耦合電容一般比較大，是10u或者更大，依據電路中分佈引數，以及驅動電流的變化大小來確定。 旁路電容，旁路電容（bypass）是把輸入訊號中的高頻噪聲作為濾除物件，把前級攜帶的高頻雜波濾除。 旁路電容一般是接在訊號端對地的，有抗干擾或降低噪聲作用； 旁路：從元件或電纜中轉移出不想要的共模RF能量。這主要是透過產生AC旁路消除無意的能量進入敏感的部分，另外還可以提供基帶濾波功能（頻寬受限）。 旁路電容的主要功能是產生一個交流分路，從而消去進入易感區的那些不需要的能量。 旁路電容一般作為高頻旁路器件來減小對電源模組的瞬態電流需求。 通常鋁電解電容和鉭電 容比較適合作旁路電容，其電容值取決於PCB板上的瞬態電流需求，一般在10至470μF範圍內。 去耦電容，去耦電容（decoupling）也稱退耦電容，是把輸出訊號的干擾作為濾除物件。去耦電容在積體電路電源和地之間的有兩個作用：一方面是本積體電路的蓄能電容，另一方面旁路掉該器件的高頻噪聲(c對高頻阻力小，將之瀉至GND)。 數位電路中，當電路從一個狀態轉換為另一種狀態時，就會在電源線上產生一個很大的尖峰電流，形成瞬變的噪聲電壓，會影響前級的正常工作。這就是耦合。對於噪聲能力弱、關斷時電流變化大的器件和ROM、RAM等儲存型器件，應在晶片的電源線（Vcc）和地線（GND）間直接接入去耦電容。 數位電路中典型的去耦電容值是0.1μF。這個電容的分佈電感的典型值是5μH。 0.1μF的去耦電容有5μH的分佈電感，它的並行共振頻率大約在7MHz左右，也就是說，對於10MHz以 下的噪聲有較好的去耦效果，對40MHz以上的噪聲幾乎不起作用。 1μF、10μF的電容，並行共振頻率在20MHz以上，去除高頻噪聲的效果要好一些。 每10片左右積體電路要加一片充放電電容，或1個蓄能電容，可選10μF左右。最好不用電解電容，電解電容是兩層薄膜捲起來的，這種捲起來的結構在高頻時表現為電感。要使用 鉭電容或聚碳酸酯電容。去耦電容的選用並不嚴格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μ。
旁路電容是把輸入訊號中的干擾作為濾除物件，而去耦電容是把輸出訊號的干擾作為濾除物件，防止干擾訊號返回電源。這應該是他們的本質區別。去耦電容相當於電池，避免由於電流的突變而使電壓下降，相當於濾紋波。具體容值可以根據電流的大小、期望的紋波大小、作用時間的大小來計算。去耦電容一般都很大，對更高頻率的噪聲，基本無效。旁路電容就是針對高頻來的，也就是利用了電容的頻率阻抗特性。只是旁路電容一般是指高頻旁路，也就是給高頻的開關噪聲提高一條低阻抗洩防途徑。高頻旁路電容一般比較小，根據諧振頻率一般是0.1u，0.01u等 ，而去耦合電容一般比較大，是10u或者更大，依據電路中分佈引數，以及驅動電流的變化大小來確定。 旁路電容，旁路電容（bypass）是把輸入訊號中的高頻噪聲作為濾除物件，把前級攜帶的高頻雜波濾除。 旁路電容一般是接在訊號端對地的，有抗干擾或降低噪聲作用； 旁路：從元件或電纜中轉移出不想要的共模RF能量。這主要是透過產生AC旁路消除無意的能量進入敏感的部分，另外還可以提供基帶濾波功能（頻寬受限）。 旁路電容的主要功能是產生一個交流分路，從而消去進入易感區的那些不需要的能量。 旁路電容一般作為高頻旁路器件來減小對電源模組的瞬態電流需求。 通常鋁電解電容和鉭電 容比較適合作旁路電容，其電容值取決於PCB板上的瞬態電流需求，一般在10至470μF範圍內。 去耦電容，去耦電容（decoupling）也稱退耦電容，是把輸出訊號的干擾作為濾除物件。去耦電容在積體電路電源和地之間的有兩個作用：一方面是本積體電路的蓄能電容，另一方面旁路掉該器件的高頻噪聲(c對高頻阻力小，將之瀉至GND)。 數位電路中，當電路從一個狀態轉換為另一種狀態時，就會在電源線上產生一個很大的尖峰電流，形成瞬變的噪聲電壓，會影響前級的正常工作。這就是耦合。對於噪聲能力弱、關斷時電流變化大的器件和ROM、RAM等儲存型器件，應在晶片的電源線（Vcc）和地線（GND）間直接接入去耦電容。 數位電路中典型的去耦電容值是0.1μF。這個電容的分佈電感的典型值是5μH。 0.1μF的去耦電容有5μH的分佈電感，它的並行共振頻率大約在7MHz左右，也就是說，對於10MHz以 下的噪聲有較好的去耦效果，對40MHz以上的噪聲幾乎不起作用。 1μF、10μF的電容，並行共振頻率在20MHz以上，去除高頻噪聲的效果要好一些。 每10片左右積體電路要加一片充放電電容，或1個蓄能電容，可選10μF左右。最好不用電解電容，電解電容是兩層薄膜捲起來的，這種捲起來的結構在高頻時表現為電感。要使用 鉭電容或聚碳酸酯電容。去耦電容的選用並不嚴格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μ。