MPSH10 - 雙極性電晶體. 目錄. 引數. 資料表 (PDF)

製造商零件編號: MPSH10

材料: Si

電晶體極性: NPN

最大耗散功率 (Pc): 0.31

集電極--基極擊穿電壓 (Ucb): 30

集電極--發射極擊穿電壓 (Uce): 25

發射極--基極擊穿電壓 (Ueb): 3

最大集電極電流 (Ic): 0.05

最大工作溫度 (Tj), °C: 135

最大工作頻率 (ft): 650

輸出電容 (Cc), pF: 0.7

直流電流增益 (hfe): 60

封裝形式: TO92

代替型號：

Mat Struct Pc Ucb Uce Ueb Ic Tj Ft Cc, pF Hfe Caps

1. 1401 Si NPN 0.6 30 25 4 0.05 150 110 TO92

2. 1402 Si NPN 0.6 35 30 4 0.05 150 110 TO92

3. 1501 Si NPN 0.6 30 25 4 0.05 150 110 TO92

4. 1702 Si NPN 0.6 30 25 4 1 150 110 TO92

5. 2SC1213AKC Si NPN 0.4 0 50 0 0.5 100 TO92(1)

6. 2SC1213AKD Si NPN 0.4 0 50 0 0.5 160 TO92(1)

7. 2SC1815(L) Si NPN 0 0 50 0 0.15 70 TO92

MPSH10 - 雙極性電晶體. 目錄. 引數. 資料表 (PDF)

製造商零件編號: MPSH10

材料: Si

電晶體極性: NPN

最大耗散功率 (Pc): 0.31

集電極--基極擊穿電壓 (Ucb): 30

集電極--發射極擊穿電壓 (Uce): 25

發射極--基極擊穿電壓 (Ueb): 3

最大集電極電流 (Ic): 0.05

最大工作溫度 (Tj), °C: 135

最大工作頻率 (ft): 650

輸出電容 (Cc), pF: 0.7

直流電流增益 (hfe): 60

封裝形式: TO92

代替型號：

Mat Struct Pc Ucb Uce Ueb Ic Tj Ft Cc, pF Hfe Caps

1. 1401 Si NPN 0.6 30 25 4 0.05 150 110 TO92

2. 1402 Si NPN 0.6 35 30 4 0.05 150 110 TO92

3. 1501 Si NPN 0.6 30 25 4 0.05 150 110 TO92

4. 1702 Si NPN 0.6 30 25 4 1 150 110 TO92

5. 2SC1213AKC Si NPN 0.4 0 50 0 0.5 100 TO92(1)

6. 2SC1213AKD Si NPN 0.4 0 50 0 0.5 160 TO92(1)

7. (L) Si NPN 0 0 50 0 0.15 70 TO92