二極體截止,Uao = -6V
二極體導通,Uao = -8.3V(假設二極體為矽管,有0.7V壓降)
VD1不導通,VD2導通,Uao = -0.7V(假設二極體為矽管,有0.7V壓降)
假設不加二極體(以o點為0點位點),那麼左右的電壓分別為-3V和-6V,左邊的電位比右邊的高,所以加上二極體也不會導通。那麼輸出電壓就是-6V。
假設不加二極體(以o點為0點位點),那麼左右的電壓分別為-9V和-6V,左邊的電位比右邊的底3V,加上二極體的話,二極體必導通。那麼輸出電壓就是-8.3V(-9V+0.7V)。
運用上邊的分析方法,很快就可以知道VD2導通,VD1截止。故Uao = -0.7V。
擴充套件資料:
晶體二極體是一個由p型半導體和n型半導體燒結形成的p-n結介面。在其介面的兩側形成空間電荷層,構成自建電場。當外加電壓等於零時,由於p-n 結兩邊載流子的濃度差引起擴散電流和由自建電場引起的漂移電流相等而處於電平衡狀態,這也是常態下的二極體特性。
外加反向電壓超過某一數值時,反向電流會突然增大,這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極體反向擊穿電壓。電擊穿時二極體失去單向導電性。
如果二極體沒有因電擊穿而引起過熱,則單向導電性不一定會被永久破壞,在撤除外加電壓後,其效能仍可恢復,否則二極體就損壞了。因而使用時應避免二極體外加的反向電壓過高。
二極體截止,Uao = -6V
二極體導通,Uao = -8.3V(假設二極體為矽管,有0.7V壓降)
VD1不導通,VD2導通,Uao = -0.7V(假設二極體為矽管,有0.7V壓降)
假設不加二極體(以o點為0點位點),那麼左右的電壓分別為-3V和-6V,左邊的電位比右邊的高,所以加上二極體也不會導通。那麼輸出電壓就是-6V。
假設不加二極體(以o點為0點位點),那麼左右的電壓分別為-9V和-6V,左邊的電位比右邊的底3V,加上二極體的話,二極體必導通。那麼輸出電壓就是-8.3V(-9V+0.7V)。
運用上邊的分析方法,很快就可以知道VD2導通,VD1截止。故Uao = -0.7V。
擴充套件資料:
晶體二極體是一個由p型半導體和n型半導體燒結形成的p-n結介面。在其介面的兩側形成空間電荷層,構成自建電場。當外加電壓等於零時,由於p-n 結兩邊載流子的濃度差引起擴散電流和由自建電場引起的漂移電流相等而處於電平衡狀態,這也是常態下的二極體特性。
外加反向電壓超過某一數值時,反向電流會突然增大,這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極體反向擊穿電壓。電擊穿時二極體失去單向導電性。
如果二極體沒有因電擊穿而引起過熱,則單向導電性不一定會被永久破壞,在撤除外加電壓後,其效能仍可恢復,否則二極體就損壞了。因而使用時應避免二極體外加的反向電壓過高。