快速鑑別可控矽三個極也就是引腳的方法
很簡單，根據P-N結的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）。
控制極與陰極之間是一個P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的範圍，反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極體特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態的，可以有比較大的電流透過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，並不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。
若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明該元件已損壞。
可控矽分單向可控矽和雙向可控矽兩種，都是三個電極。單向可控矽有陰極（K）、陽極（A）、控制極（G）。雙向可控矽等效於兩隻單項可控矽反向並聯而成。即其中一隻單向矽陽極與另一隻陰極相邊連，其引出端稱T2極，其中一隻單向矽陰極與另一隻陽極相連，其引出端稱T2極，剩下則為控制極（G）。
1、單、雙向可控矽的判別：先任測兩個極，若正、反測指標均不動（R×1擋），可能是A、K或G、A極（對單向可控矽）也可能是T2、T1或T2、G極（對雙向可控矽）。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐，則必為單向可控矽。且紅筆所接為K極，黑筆接的為G極，剩下即為A極。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐，則必為雙向可控矽。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋複測，其中必有一次阻值稍大，則稍大的一次紅筆接的為G極，黑筆所接為T1極，餘下是T2極。
2、效能的差別：將旋鈕撥至R×1擋，對於1～6A單向可控矽，紅筆接K極，黑筆同時接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態下斷開G極，指標應指示幾十歐至一百歐，此時可控矽已被觸發，且觸發電壓低（或觸發電流小）。然後瞬時斷開A極再接通，指標應退回∞位置，則表明可控矽良好。
對於1～6A雙向可控矽，紅筆接T1極，黑筆同時接G、T2極，在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極，指標應指示為幾十至一百多歐（視可控矽電流大小、廠家不同而異）。然後將兩筆對調，重複上述步驟測一次，指標指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐，則表明可控矽良好，且觸發電壓（或電流）小
快速鑑別可控矽三個極也就是引腳的方法
很簡單，根據P-N結的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）。
控制極與陰極之間是一個P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的範圍，反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極體特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態的，可以有比較大的電流透過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，並不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。
若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明該元件已損壞。
可控矽分單向可控矽和雙向可控矽兩種，都是三個電極。單向可控矽有陰極（K）、陽極（A）、控制極（G）。雙向可控矽等效於兩隻單項可控矽反向並聯而成。即其中一隻單向矽陽極與另一隻陰極相邊連，其引出端稱T2極，其中一隻單向矽陰極與另一隻陽極相連，其引出端稱T2極，剩下則為控制極（G）。
1、單、雙向可控矽的判別：先任測兩個極，若正、反測指標均不動（R×1擋），可能是A、K或G、A極（對單向可控矽）也可能是T2、T1或T2、G極（對雙向可控矽）。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐，則必為單向可控矽。且紅筆所接為K極，黑筆接的為G極，剩下即為A極。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐，則必為雙向可控矽。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋複測，其中必有一次阻值稍大，則稍大的一次紅筆接的為G極，黑筆所接為T1極，餘下是T2極。
2、效能的差別：將旋鈕撥至R×1擋，對於1～6A單向可控矽，紅筆接K極，黑筆同時接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態下斷開G極，指標應指示幾十歐至一百歐，此時可控矽已被觸發，且觸發電壓低（或觸發電流小）。然後瞬時斷開A極再接通，指標應退回∞位置，則表明可控矽良好。
對於1～6A雙向可控矽，紅筆接T1極，黑筆同時接G、T2極，在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極，指標應指示為幾十至一百多歐（視可控矽電流大小、廠家不同而異）。然後將兩筆對調，重複上述步驟測一次，指標指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐，則表明可控矽良好，且觸發電壓（或電流）小