如果你要設計自己的磁遮蔽系統，你會發現以下的資訊是很有用的。 磁遮蔽目的：通常是保護電子線路免於受到諸如永磁體、變壓器、電機、線圈、電纜等產生磁場的干擾，當然遮蔽強的磁干擾源使它免於干擾附近的元器件功能也是一個重要的應用目的。 磁遮蔽材料引數及材料劃分：磁遮蔽體由磁性材料製成，衡量材料導磁能力的引數是磁導率，通常以數字來表示相對大小。真空磁導率為1，遮蔽材料的磁導率從200到350000；磁遮蔽材料的另一個重要引數是飽和磁化強度。磁遮蔽材料一般分為三類，即高導磁材料、中導磁材料和高飽和材料。 高飽和磁導率材料的磁導率在80000-350000之間，經熱處理後其飽和場可達7500Gs；中磁導率材料通常和高導材料一起使用，其磁導率值從12500-150000，飽和場15500Gs；高飽和場的磁導率值為200-50000，飽和場可達18000-21000Gs。 以下是一些常用量的定義： Gs：磁通密度的單位，相當於每平方釐米面積上有一條磁力線透過。 磁通量：由磁場產生的所有磁力線的總和。 飽和磁場：即材料磁感應強度漸趨於一恆定值時對應的磁場。 B：遮蔽體中的磁通密度，單位Gs。 d：遮蔽體直徑（注：當遮蔽體為矩形時指最長邊的尺寸）。 Ho：外場強度，單位Oe。 μ：材料磁導率。 A：衰減量（相對值）。 t：遮蔽體厚度。 磁場強度：遮蔽體中磁場強度估算用下面公式： B=2.5dHo/2t（Gs） 如用厚度為0.060″的材料製成直徑為1.5″的遮蔽體，在80Gs的磁場中其內部磁場為2500Gs。 遮蔽體厚度：用以下公式估算： t=Ad/μ（英寸） 如用磁導率為80000的材料製成直徑為1.5″的遮蔽體，當要求實現1000/1的衰減量時，遮蔽體的厚度為 t=1000×1.5/80000=0.019″ 厚度設計還應綜合考慮價效比的因素，一般遮蔽材料的磁導率應不低於80000，否則就要增加厚度以達到同樣的遮蔽效果，則會導致費用的增加。 當場強很強時，厚度的選取應使材料工作於磁導率最大的場強下。如當材料的磁導率在場強為2300-2500Gs時磁導率最大，則所需厚度為 t=1.25dHo/B（英寸） 如直徑1.5″，長度6″的遮蔽體置於80Gs的磁場中，所需的厚度是0.060″。 磁場衰減率：用下式估算： A=μt/d 用此式對上面的資料計算可得到，當材料磁導率為350000時，其衰減率為14000。 磁通密度：被遮蔽空間內磁通密度為 B=Ho/A（Gs） 同樣利用以上資料，則被遮蔽空間的磁場為0.0057Gs。 更多的設計要點： *開始設計前要正確估算干擾場的大小和頻率，其次，正確評價能承受的干擾場的大小。 *用以遮蔽很強的磁場時，可採用多層遮蔽的結構。如果可能，兩層遮蔽體間保留1/2″的間隙。 *在遮蔽如真空泵產生的強磁場時，要採用多層遮蔽結構。其中內層用低磁導率材料，中間層用中磁導率材料，外層用高磁導率材料。 *用單層結構遮蔽如CRTs等及其敏感的裝置時，應在離裝置5″處形成一個完整的遮蔽體；當型號很大時，只需對關鍵部分如磁軛等部位進行遮蔽即可。 *對於極低場的要求，通常採用3層遮蔽的方式，其中外層遮蔽用高磁導率材料，在內外遮蔽層間是Cu層。在Cu層上通以強的交流電流可對內遮蔽層消磁，同時Cu層還可以遮蔽靜磁場的干擾。 *對於磁遮蔽結構，在材料厚度允許的時候可採用搭接點焊，交接尺寸至少3/8″。在直徑發生變化或結構拐角的地方，應採用氦弧焊。 使用片狀材料的要點：在遮蔽小元件時，剛性結構加工應用都不方便，這時片狀材料是一個很好的選擇，但要注意以下事項： *為減少磁散射發生，結構中應避免出現 尖銳的拐角；如果結構上需要開孔或縫，則應力求其邊角採用圓弧形式。 *當遮蔽圓柱形物體時，每一層的搭接尺寸不少於3/4″，而且第一層的介面位於180°的位置，則下一層的介面位於90°的位置，再下一層又位於180°的位置，如此等等。 *為了提高遮蔽效果，每兩層遮蔽間保留3-4倍於薄片厚度的空間。 *因為薄片材料具有極高的磁導率，因此使用中應避免連續螺旋狀卷繞它，否則將有可能在遮蔽體中產生相當於磁極的結構。 *當在薄片材料上鑽孔時，應確保是在正確的加工片狀金屬的條件下進行，而不是在普通的金屬加工條件下操作，因為普通的操作方式會產生螺絲起子效應導致薄片發生彎曲，從而減小材料的磁導率，導致遮蔽效果的降低。
如果你要設計自己的磁遮蔽系統，你會發現以下的資訊是很有用的。 磁遮蔽目的：通常是保護電子線路免於受到諸如永磁體、變壓器、電機、線圈、電纜等產生磁場的干擾，當然遮蔽強的磁干擾源使它免於干擾附近的元器件功能也是一個重要的應用目的。 磁遮蔽材料引數及材料劃分：磁遮蔽體由磁性材料製成，衡量材料導磁能力的引數是磁導率，通常以數字來表示相對大小。真空磁導率為1，遮蔽材料的磁導率從200到350000；磁遮蔽材料的另一個重要引數是飽和磁化強度。磁遮蔽材料一般分為三類，即高導磁材料、中導磁材料和高飽和材料。 高飽和磁導率材料的磁導率在80000-350000之間，經熱處理後其飽和場可達7500Gs；中磁導率材料通常和高導材料一起使用，其磁導率值從12500-150000，飽和場15500Gs；高飽和場的磁導率值為200-50000，飽和場可達18000-21000Gs。 以下是一些常用量的定義： Gs：磁通密度的單位，相當於每平方釐米面積上有一條磁力線透過。 磁通量：由磁場產生的所有磁力線的總和。 飽和磁場：即材料磁感應強度漸趨於一恆定值時對應的磁場。 B：遮蔽體中的磁通密度，單位Gs。 d：遮蔽體直徑（注：當遮蔽體為矩形時指最長邊的尺寸）。 Ho：外場強度，單位Oe。 μ：材料磁導率。 A：衰減量（相對值）。 t：遮蔽體厚度。 磁場強度：遮蔽體中磁場強度估算用下面公式： B=2.5dHo/2t（Gs） 如用厚度為0.060″的材料製成直徑為1.5″的遮蔽體，在80Gs的磁場中其內部磁場為2500Gs。 遮蔽體厚度：用以下公式估算： t=Ad/μ（英寸） 如用磁導率為80000的材料製成直徑為1.5″的遮蔽體，當要求實現1000/1的衰減量時，遮蔽體的厚度為 t=1000×1.5/80000=0.019″ 厚度設計還應綜合考慮價效比的因素，一般遮蔽材料的磁導率應不低於80000，否則就要增加厚度以達到同樣的遮蔽效果，則會導致費用的增加。 當場強很強時，厚度的選取應使材料工作於磁導率最大的場強下。如當材料的磁導率在場強為2300-2500Gs時磁導率最大，則所需厚度為 t=1.25dHo/B（英寸） 如直徑1.5″，長度6″的遮蔽體置於80Gs的磁場中，所需的厚度是0.060″。 磁場衰減率：用下式估算： A=μt/d 用此式對上面的資料計算可得到，當材料磁導率為350000時，其衰減率為14000。 磁通密度：被遮蔽空間內磁通密度為 B=Ho/A（Gs） 同樣利用以上資料，則被遮蔽空間的磁場為0.0057Gs。 更多的設計要點： *開始設計前要正確估算干擾場的大小和頻率，其次，正確評價能承受的干擾場的大小。 *用以遮蔽很強的磁場時，可採用多層遮蔽的結構。如果可能，兩層遮蔽體間保留1/2″的間隙。 *在遮蔽如真空泵產生的強磁場時，要採用多層遮蔽結構。其中內層用低磁導率材料，中間層用中磁導率材料，外層用高磁導率材料。 *用單層結構遮蔽如CRTs等及其敏感的裝置時，應在離裝置5″處形成一個完整的遮蔽體；當型號很大時，只需對關鍵部分如磁軛等部位進行遮蔽即可。 *對於極低場的要求，通常採用3層遮蔽的方式，其中外層遮蔽用高磁導率材料，在內外遮蔽層間是Cu層。在Cu層上通以強的交流電流可對內遮蔽層消磁，同時Cu層還可以遮蔽靜磁場的干擾。 *對於磁遮蔽結構，在材料厚度允許的時候可採用搭接點焊，交接尺寸至少3/8″。在直徑發生變化或結構拐角的地方，應採用氦弧焊。 使用片狀材料的要點：在遮蔽小元件時，剛性結構加工應用都不方便，這時片狀材料是一個很好的選擇，但要注意以下事項： *為減少磁散射發生，結構中應避免出現 尖銳的拐角；如果結構上需要開孔或縫，則應力求其邊角採用圓弧形式。 *當遮蔽圓柱形物體時，每一層的搭接尺寸不少於3/4″，而且第一層的介面位於180°的位置，則下一層的介面位於90°的位置，再下一層又位於180°的位置，如此等等。 *為了提高遮蔽效果，每兩層遮蔽間保留3-4倍於薄片厚度的空間。 *因為薄片材料具有極高的磁導率，因此使用中應避免連續螺旋狀卷繞它，否則將有可能在遮蔽體中產生相當於磁極的結構。 *當在薄片材料上鑽孔時，應確保是在正確的加工片狀金屬的條件下進行，而不是在普通的金屬加工條件下操作，因為普通的操作方式會產生螺絲起子效應導致薄片發生彎曲，從而減小材料的磁導率，導致遮蔽效果的降低。