動態RAM共有三種重新整理方式：集中重新整理，分散重新整理，非同步重新整理重新整理的實質：先將原資訊讀出，再由重新整理放大器形成原資訊重新寫入的再生成的過程
為什麼要進行重新整理：儲存單元被訪問是隨機的，有些儲存單元可能長時間的不被訪問，不進行儲存器的讀寫操作，其儲存單元內的原資訊就可能會丟失。
重新整理是一行行進行的，必須在重新整理週期內完成。
重新整理週期：對DRAM的所有儲存單元恢復一次原狀態的時間間隔
重新整理間隔：兩次重新整理的起始時間差（某行從第一次重新整理到第二次重新整理的等待時間）
行重新整理間隔：兩行重新整理的起始時間差
重新整理時間：規定的一個週期內重新整理的總時間
重新整理一行的時間是等於存取週期的。因為重新整理的過程與一次存取相同，只是沒有在總線上輸入輸出。
集中重新整理
集中重新整理：在規定的一個重新整理週期內，對全部儲存單元集中一段時間逐行進行重新整理（用專門的時間進行全部重新整理）例對128×128的矩陣的儲存晶片進行重新整理，儲存週期為0.5μs，重新整理週期為2ms
2ms的重新整理週期，佔得存取週期個數為：
2000μs÷0.5μs=4000（個）
共有128行要進行重新整理，則重新整理佔128個存取週期，則重新整理的時間為：
128×0.5μs=64μs
讀寫或維持的時間：
2000μs-64μs=1936μs
讀/寫或維持的儲存週期為：
4000-128=3872（個）
當用64μs進行集中重新整理是，此時不能進行任何的讀/寫操作，故將這64μs稱為“死區”或“死時間”
“死時間”所佔的比率也稱為“死時間率”則集中重新整理的“死時間率為”
128÷4000×100%=3.2%
優點：速度高缺點：存在死區，死時間長
分散重新整理
分散重新整理：是指對每行儲存單元的重新整理分散到每個儲存週期內完成（對某一行某晶片進行讀寫操作後，緊接著重新整理）
例：對128×128的矩陣的儲存晶片進行重新整理，儲存週期為0.5μs，
將重新整理分散到儲存週期內完成 ，則儲存週期就包含了重新整理時間此時，儲存週期為
t=0.5μs+0.5μs=1μs
重新整理（重新整理以行算）一行的時間為1μs，全部重新整理完的時間為：
128×1μs=128μs
此時比2ms小的多
優點：無死區缺點：存取週期長，整個系統的速度降低了
非同步重新整理
非同步重新整理：前兩種方式的結合，縮短了死時間，充分利用了最大重新整理間隔為2ms的特點（只要在2ms內對這一行重新整理一遍就行）
例：對128×128的矩陣的儲存晶片進行重新整理，儲存週期為0.5μs，重新整理週期為2ms
2ms內對每行重新整理一遍：
2000μs÷128≈15.6μs
即每隔15.6μs重新整理一行，每行的重新整理時間仍然為0.5μs。重新整理一行就停一個儲存週期，“死時間縮短為0.5μs”
這種方案克服了分散重新整理許獨佔0.5μs用於重新整理，使存取週期加長且降低系統速度的缺點，又不會出現集中重新整理的訪問“死區”。
動態RAM共有三種重新整理方式：集中重新整理，分散重新整理，非同步重新整理重新整理的實質：先將原資訊讀出，再由重新整理放大器形成原資訊重新寫入的再生成的過程
為什麼要進行重新整理：儲存單元被訪問是隨機的，有些儲存單元可能長時間的不被訪問，不進行儲存器的讀寫操作，其儲存單元內的原資訊就可能會丟失。
重新整理是一行行進行的，必須在重新整理週期內完成。
重新整理週期：對DRAM的所有儲存單元恢復一次原狀態的時間間隔
重新整理間隔：兩次重新整理的起始時間差（某行從第一次重新整理到第二次重新整理的等待時間）
行重新整理間隔：兩行重新整理的起始時間差
重新整理時間：規定的一個週期內重新整理的總時間
重新整理一行的時間是等於存取週期的。因為重新整理的過程與一次存取相同，只是沒有在總線上輸入輸出。
集中重新整理
集中重新整理：在規定的一個重新整理週期內，對全部儲存單元集中一段時間逐行進行重新整理（用專門的時間進行全部重新整理）例對128×128的矩陣的儲存晶片進行重新整理，儲存週期為0.5μs，重新整理週期為2ms
2ms的重新整理週期，佔得存取週期個數為：
2000μs÷0.5μs=4000（個）
共有128行要進行重新整理，則重新整理佔128個存取週期，則重新整理的時間為：
128×0.5μs=64μs
讀寫或維持的時間：
2000μs-64μs=1936μs
讀/寫或維持的儲存週期為：
4000-128=3872（個）
當用64μs進行集中重新整理是，此時不能進行任何的讀/寫操作，故將這64μs稱為“死區”或“死時間”
“死時間”所佔的比率也稱為“死時間率”則集中重新整理的“死時間率為”
128÷4000×100%=3.2%
優點：速度高缺點：存在死區，死時間長
分散重新整理
分散重新整理：是指對每行儲存單元的重新整理分散到每個儲存週期內完成（對某一行某晶片進行讀寫操作後，緊接著重新整理）
例：對128×128的矩陣的儲存晶片進行重新整理，儲存週期為0.5μs，
將重新整理分散到儲存週期內完成 ，則儲存週期就包含了重新整理時間此時，儲存週期為
t=0.5μs+0.5μs=1μs
重新整理（重新整理以行算）一行的時間為1μs，全部重新整理完的時間為：
128×1μs=128μs
此時比2ms小的多
優點：無死區缺點：存取週期長，整個系統的速度降低了
非同步重新整理
非同步重新整理：前兩種方式的結合，縮短了死時間，充分利用了最大重新整理間隔為2ms的特點（只要在2ms內對這一行重新整理一遍就行）
例：對128×128的矩陣的儲存晶片進行重新整理，儲存週期為0.5μs，重新整理週期為2ms
2ms內對每行重新整理一遍：
2000μs÷128≈15.6μs
即每隔15.6μs重新整理一行，每行的重新整理時間仍然為0.5μs。重新整理一行就停一個儲存週期，“死時間縮短為0.5μs”
這種方案克服了分散重新整理許獨佔0.5μs用於重新整理，使存取週期加長且降低系統速度的缺點，又不會出現集中重新整理的訪問“死區”。