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  • 1 # 手機使用者86515297641

    三極體是全控的,可以用小電流控制輸出的電流大小。可控矽只能控制通斷,可控矽接通後不能自動截斷,必須有個負電壓才能截斷。場效電晶體不太清楚,這是網上的資料:場效電晶體與三極體的各自應用特點1.場效電晶體的源極s、柵極g、漏極d分別對應於三極管的發射極e、基極b、集電極c,它們的作用相似。2.場效電晶體是電壓控制電流器件,由vGS控制iD,其放大係數gm一般較小,因此場效電晶體的放大能力較差;三極體是電流控制電流器件,由iB(或iE)控制iC。場效電晶體3.場效電晶體柵極幾乎不取電流(ig»0);而三極體工作時基極總要吸取一定的電流。因此場效電晶體的柵極輸入電阻比三極體的輸入電阻高。4.場效電晶體是由多子參與導電;三極體有多子和少子兩種載流子參與導電,而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大,因而場效電晶體比電晶體的溫度穩定性好、抗輻射能力強。在環境條件(溫度等)變化很大的情況下應選用場效電晶體。5.場效電晶體在源極金屬與襯底連在一起時,源極和漏極可以互換使用,且特性變化不大;而三極體的集電極與發射極互換使用時,其特性差異很大,β值將減小很多。6.場效電晶體的噪聲係數很小,在低噪聲放大電路的輸入級及要求信噪比較高的電路中要選用場效電晶體。7.場效電晶體和三極體均可組成各種放大電路和開關電路,但由於前者製造工藝簡單,且具有耗電少,熱穩定性好,工作電源電壓範圍寬等優點,因而被廣泛用於大規模和超大規模積體電路中。8.三極體導通電阻大,場效電晶體導通電阻小,只有幾百毫歐姆,在現用電器件上,一般都用場效電晶體做開關來用,他的效率是比較高的。

  • 2 # 哦哦無痛vvv

    可控矽可以工作在直流電路中,也可以工作在在交流電路中。不過當它用在直流電路中時,一旦觸發,即便觸發電壓消失了,只有陽陰極間電壓存在,它就仍然處於導通狀態。三極體必須用在直流供電的電路中,這是它的特性決定的。他可以處於放大狀態,用於類比電路中。也可以僅處於飽和導通和截止兩種狀態,用於開關電路或數位電路中。可控矽,陽極與陰極間有兩隻反向PN接面,用表測量電阻極大;只有門極與陰極是PN接面,正反間電阻相差很大;只要電極間符合這個現象的,那就是可控矽了。三極體,基極對其它兩極都是一個PN接面,當你用表迴圈測量到某個電極對其它兩極都能呈現出低阻或高阻時,那麼基本可以斷定這是三極體。

  • 3 # 手機使用者85831026491

    可控矽的導通是可以輸出隨著輸入的改變而改變,也就是非線性特性的。通常我們靠改變可控矽的導通角來進行PWM控制(大電流方面)。而開關管則只有開和閉兩種狀態,是線行特性。

  • 4 # 使用者5186752739180

    三極體是全控的,可以用小電流控制輸出的電流大小。可控矽只能控制通斷,可控矽接通後不能自動截斷,必須有個負電壓才能截斷。場效電晶體不太清楚,這是網上的資料:場效電晶體與三極體的各自應用特點1.場效電晶體的源極s、柵極g、漏極d分別對應於三極管的發射極e、基極b、集電極c,它們的作用相似。2.場效電晶體是電壓控制電流器件,由vGS控制iD,其放大係數gm一般較小,因此場效電晶體的放大能力較差;三極體是電流控制電流器件,由iB(或iE)控制iC。場效電晶體3.場效電晶體柵極幾乎不取電流(ig»0);而三極體工作時基極總要吸取一定的電流。因此場效電晶體的柵極輸入電阻比三極體的輸入電阻高。4.場效電晶體是由多子參與導電;三極體有多子和少子兩種載流子參與導電,而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大,因而場效電晶體比電晶體的溫度穩定性好、抗輻射能力強。在環境條件(溫度等)變化很大的情況下應選用場效電晶體。5.場效電晶體在源極金屬與襯底連在一起時,源極和漏極可以互換使用,且特性變化不大;而三極體的集電極與發射極互換使用時,其特性差異很大,β值將減小很多。6.場效電晶體的噪聲係數很小,在低噪聲放大電路的輸入級及要求信噪比較高的電路中要選用場效電晶體。7.場效電晶體和三極體均可組成各種放大電路和開關電路,但由於前者製造工藝簡單,且具有耗電少,熱穩定性好,工作電源電壓範圍寬等優點,因而被廣泛用於大規模和超大規模積體電路中。8.三極體導通電阻大,場效電晶體導通電阻小,只有幾百毫歐姆,在現用電器件上,一般都用場效電晶體做開關來用,他的效率是比較高的。三極體是全控的,可以用小電流控制輸出的電流大小。可控矽只能控制通斷,可控矽接通後不能自動截斷,必須有個負電壓才能截斷。場效電晶體不太清楚,這是網上的資料:場效電晶體與三極體的各自應用特點1.場效電晶體的源極s、柵極g、漏極d分別對應於三極管的發射極e、基極b、集電極c,它們的作用相似。2.場效電晶體是電壓控制電流器件,由vGS控制iD,其放大係數gm一般較小,因此場效電晶體的放大能力較差;三極體是電流控制電流器件,由iB(或iE)控制iC。場效電晶體3.場效電晶體柵極幾乎不取電流(ig»0);而三極體工作時基極總要吸取一定的電流。因此場效電晶體的柵極輸入電阻比三極體的輸入電阻高。4.場效電晶體是由多子參與導電;三極體有多子和少子兩種載流子參與導電,而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大,因而場效電晶體比電晶體的溫度穩定性好、抗輻射能力強。在環境條件(溫度等)變化很大的情況下應選用場效電晶體。5.場效電晶體在源極金屬與襯底連在一起時,源極和漏極可以互換使用,且特性變化不大;而三極體的集電極與發射極互換使用時,其特性差異很大,β值將減小很多。6.場效電晶體的噪聲係數很小,在低噪聲放大電路的輸入級及要求信噪比較高的電路中要選用場效電晶體。7.場效電晶體和三極體均可組成各種放大電路和開關電路,但由於前者製造工藝簡單,且具有耗電少,熱穩定性好,工作電源電壓範圍寬等優點,因而被廣泛用於大規模和超大規模積體電路中。8.三極體導通電阻大,場效電晶體導通電阻小,只有幾百毫歐姆,在現用電器件上,一般都用場效電晶體做開關來用,他的效率是比較高的。

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