按電晶體的溝道導電型別，可分為P溝MOSIC、N溝MOSIC以及將P溝和N溝MOS電晶體結合成一個電路單元的互補MOSIC，分別稱為PMOS 、NMOS和CMOS積體電路。隨著工藝技術的發展，CMOS積體電路已成為積體電路的主流，工藝也日趨完善和複雜 ，由P阱或N阱CMOS發展到雙阱CMOS工藝。80年代又出現了集雙極型電路和互補金 屬-氧化物-半導體（CMOS）電路優點的BiCMOS積體電路結構。按柵極材料可分為鉛柵、矽柵、矽化物柵和難熔金屬（如鉬、鎢）柵等MOSIC，柵極尺寸已由微米進入亞微米（0.5～1微米）和強亞微米（0.5微米以下）量級 。此外，還發展了不同的MOS積體電路結構的MOSIC：如浮柵雪崩注入MOS（FAMOS）結構，用於可擦寫只讀存貯器；擴散自對準MOS（DMOS）結構和V型槽MOS結構等，可滿足高速、高電壓要求。近年來發展了以藍寶石為絕緣襯底的CMOS結構，具有抗輻照、功耗低和速度快等優點。MOSIC廣泛用於計算機、通訊、機電儀器、家電自動化、航空航天等領域，可使整機體積縮小、工作速度快、功能複雜、可靠性高、功耗低和成本便宜等。

MOS積體電路是以金屬-氧化物-半導體（MOS）場效應電晶體為主要元件構成的積體電路 。簡稱MOSIC 。1964年研究出絕緣柵場效應電晶體。直到1968年解決了MOS器件的穩定。