TMOS的英文定義：Trench Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，也叫Trench-MOSFET，中文翻譯為深槽MOS工藝技術。
看到這裡，如果你沒有半導體基礎，你可能還是會很迷糊，那麼還得先了解下什麼是MOSFET技術。
上面講了，MOSFET是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor的縮寫，翻譯為金屬-氧化物半導體場效應電晶體，是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效電晶體，是功率半導體器件的主體之一。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種型別，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET。
上圖是常見的N溝道增強型MOSFET的基本結構圖。為了改善某些引數的特性，如提高工作電流、提高工作電壓、降低導通電阻、提高開關特性等有不同的結構及工藝，構成所謂VMOS、DMOS、TMOS等結構。而其中的TMOS管具有開關速度高、關斷延遲時間短、反偏安全工作區大，dv／dt抗擾度高、費用低廉等優點。
TMOS的英文定義：Trench Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，也叫Trench-MOSFET，中文翻譯為深槽MOS工藝技術。
看到這裡，如果你沒有半導體基礎，你可能還是會很迷糊，那麼還得先了解下什麼是MOSFET技術。
上面講了，MOSFET是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor的縮寫，翻譯為金屬-氧化物半導體場效應電晶體，是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效電晶體，是功率半導體器件的主體之一。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種型別，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET。
下圖是典型平面N溝道增強型NMOSFET的剖面圖。它用一塊P型矽半導體材料作襯底，在其面上擴散了兩個N型區，再在上面覆蓋一層二氧化矽(SiO2）絕緣層，最後在N區上方用腐蝕的方法做成兩個孔，用金屬化的方法分別在絕緣層上及兩個孔內做成三個電極：G(柵極）、S（源極）及D（漏極），如圖所示。上圖是常見的N溝道增強型MOSFET的基本結構圖。為了改善某些引數的特性，如提高工作電流、提高工作電壓、降低導通電阻、提高開關特性等有不同的結構及工藝，構成所謂VMOS、DMOS、TMOS等結構。而其中的TMOS管具有開關速度高、關斷延遲時間短、反偏安全工作區大，dv／dt抗擾度高、費用低廉等優點。
介紹完了TMOS，那麼晶片研發中心的TMOS技術員，我認為主要是從事功率半導體器件(TMOSFET)的產品設計和生產工作。