可控矽的移相觸發是利用電容移相功能實現的典型應用。

採用RC移相電路觸發可控矽是一種非常通用的調壓電路。

交流市電一路透過負載X1連線到可控矽，另一種連線到電阻R1，以及C1，同時，連線到DB3觸發可控矽。

DB3得到的電壓是經過電阻R1，C1移相，施加到負載的電壓以及DB3上的電壓相位波形圖如下:

藍色波形為施加到負載上的交流市電波形，紅色為經過移相網路之後施加在DB3上的波形，正是因為有了電容了移相作用，兩個波形之間存在相位差，而DB3在施加在其上的電壓達到+/-32V左右將被擊穿，從而觸發可控矽導通。

如上圖，黑色斜線區域的電壓為透過可控矽施加在X1上的電壓。

而這個平均電壓與黑色斜線區域的面積成正比，面積越大，平均電壓越大。

而該面積又與紅色控制電壓的移相大小正反比。

即移相越大，面積越小。

所以透過調節可調電阻R1的大小，我們可以調節透過可控矽的輸出電壓的大小。

根據C1兩端電壓的與交流市電的相位差=arctan(1/R1/C1/w)，得到，R1越大，相位差越小。

所以R1越大，輸出電壓越大，R1越小，輸出電壓越小。