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  • 1 # 知足常樂0724

    整流電路IGBT的型號如何選擇?

    答:整流電路中使用IGBT場效電晶體進行整流形式少,採用IGBT管直接整流可控電路少。故不能直接幫助提問者回答這種問題。

    ●整流電路都是採用單相或三相整流二極體模組進行整流。IGBT模組常用於控制逆變電路中,因為它是大功率壓控器件。見下圖所示。

    ●IGBT模組在開關電源逆變過程中不會產生電火花。因為它是一個非通即斷的電子壓控開關器件。

    ♥開關電源或者電源整流可控電路中選擇使用IGBT管,根據電路中的輸入電壓、輸出功率、觸發電壓等IGBT技術引數來選擇。

    它屬於電力場效電晶體(Power MOSFET),是近一些年發展速度很快,應用範圍很廣的一種單極性電壓控制器件(特殊形式控制電路)不但有自關斷能力,而且具有輸入阻抗高、可以直接與數字邏輯積體電路連線、要求驅動電路簡單,單功耗小、開關速度高達500KHz、開關損耗小、熱穩定性好、不存在二次擊穿問題和工作可靠等優點。可以應用於DC/DC變換、開關電源、逆變器、行動式電子裝置等電氣裝置中,但是目前它的工作電壓還不能夠太高,電流值也不能太大(功率從幾千瓦至幾百千瓦範圍之內),所以目前只適用於中、小功率的電力電子裝置。

    正是由於它具有這種特性,故將它廣泛應用於易燃易爆場所,作為無機械觸點和其它機械部件;其具有非常高的可靠性,並且它的使用壽命長,在通與斷的切換的瞬間亦不會產生電火花。

    但是這些IGBT模組在製造、運輸、保管與更換時必須注意。

    ①防止靜電擊穿。由於它具有很高的輸入阻抗,因此在靜電較強的場所釋放電荷困難,容易引起靜電擊穿而損壞它。

    ②防止偶然性寄生振盪。它在於測試儀器、插接盒等器件的輸入電容、輸入電阻匹配不當時,可能會引起寄生振盪。

    ④防止過電壓。a柵源間過電壓的保護。適當降低柵源間的阻抗,可在柵源間並接阻尼電阻或約20v的齊納二極體,特別要防止柵極開路。b漏源間過電壓的防護,在漏源間並接齊納二極體箝位或用RC抑制網路等保護措施。

    知足常樂2019.9.26日於上海

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