防止正、負接反損壞電路的設計叫做防反接電路

在沒有防反接電路的設計中，如果使用者接反電源正、負極，可能會發生意外事故或者燒壞電子產品。為了防止這些意外發生，提高產品的可靠性，我們可以設計一個防反接的電路。我們可以用二極體設計防反接，也可以用場效電晶體設計防反接電路。場效電晶體導通內阻很小，通常只有幾個毫姆，壓降非常小。使用二極體設計防反接電路雖然簡單、成本低，但會佔用較多的壓降。

P MOS管防反接電路

用P溝道場效電晶體防反接電路是最常見的設計，可以把P MOS管加在電源正極一端。

如果正確接電，P MOS管的寄生二極體會導通，電源透過負載形成迴路，柵極(G)電位為零，源極(S)電壓比電源電壓低大約0.6V，Vgs為負，使PMOS管導通，電流就可以正常的從漏極(D)流向源極(S)，使後端電路正常工作。如果輸入的電源正、負極接反，場效電晶體的G極是高電平，PMOS管不導通，後端電路不工作，起到保護作用。N MOS管防反接電路

用N溝道的場效電晶體同樣可以設計防反接電路，用NMOS管設計防反接電路時，NMOS管放在負極端。

正確接電時，剛上電時，NMOS管的寄生二極體導通，源極(S)的電位大約為0.6V，柵極(G)電壓為電源電壓，如果Vgs大於門極開啟電壓，場效電晶體導通，電流就可以正常的從源極(S)流向漏極(D)，使後端電路正常工作。如果電源正負極接反，柵極(G)電位為零，NMOS管不導通，後端電路不工作，起到保護作用。二極體防反接電路

二極體防反接電路是最簡單的，成本也低。利用二極體單向導通的特性，電源正、負極接反後，電流不能透過二極體，起到保護作用，但二極體的導通壓降壓較大，一般都會有0.3V~0.7V，會佔用電源較多的壓降，對電源壓降要求不高的應用可以使用二極體設計防反接電路。

防反接的二極體可以設計在電源正極一端，也可以設計在電源負極一端。

場效電晶體防反接電路其功能和二極體防反接電路一樣，其目的都是防止電源的正負輸入端接反而導致負載電路燒燬等意外情況發生。場效電晶體防反接電路相比二極體防反接電路最大的優勢是幾乎零壓降，二極體的壓降一般都0.5V~1V左右，但是場效電晶體就不一樣了，場效電晶體的內阻很小，小的只有幾mΩ。假如5mΩ的內阻，經過1A的電流壓降只有5mV，10A電流壓降也才50mV。

其缺點是成本高、電路略複雜。二極體防反接其電路設計簡單，只需串聯一個二極體即可，成本也低，缺點是壓降大，即使幾十mA的小電流二極體的壓降也有0.4V~0.6V左右，使用場效電晶體其壓降能做到1mV以下，相差好幾個數量級。

代替電源正極串聯二極體的設計方法

如下圖左側為常見的電源正輸入端正向串聯一個二極體用於防止電源反接，這是利用二極體的單向導通特性（正向導通，反向截止）。圖右側為相應的場效電晶體防反接電路設計，採用P溝道的場效電晶體（P-MOS管）代替二極體。請注意P-MOS管D極和S極的方向，接錯起不到防反作用。

防反接原理分析：當電源正負極輸入正常時，電源正極經過場效電晶體Q1後正電壓透過寄生二極體D1從漏極（D）流向源極（S），此瞬間電路板有有相應電源，只是有二極體壓降約0.7V，控制極G極串聯電阻後接到電源負極。G極和S極之間有相應的壓差，VGS=-（VCC-0.7）,P-MOS管導通，電流從MOS管流過，壓降減小。也就是說，上電瞬間，電流先從寄生二極體D1流過，此時壓降較大，電流經過P-MOS管的S極之後，P-MOS管導通，電流從MOS管經過，壓降變小。

當電源正負極反接時，P-MOS管的G極為正電壓，MOS管截止，其寄生二極體D1也截止，S極也為正電壓，無法觸發P-MOS管導通，因此起到防反接作用。

代替電源負極串聯二極體的設計方法

如下圖左側為電壓負輸入端串聯二極體的防反接電路，正電壓從電路板經過二極體，二極體導通，當電源正負極接反時，二極體截止。圖右側為相應的使用場效電晶體設計的原理，採用N-MOS管進行設計，請注意N-MOS管D極和S極的方向，接錯起不到防反作用。

防反原理分析：當電源正負極輸入正常時，N-MOS管的控制極G為正電壓，接通瞬間，電路板負極電流從寄生二極體D1流向電源負極，此時若電壓滿足要求，電路板是可以正常工作的，只是有約0.7V的壓降。當負極電流流向電源負極之後，N-MOS管的S極為低電平（電壓約0.7V），VGS=VCC-0.7V，場效電晶體導通，壓降變小。其工作原理也是，剛開始場效電晶體截止，電流走寄生二極體，之後S極變低電平觸發場效電晶體導通，電流走場效電晶體。

總結：N溝道和P溝道場效電晶體都可以設計防反接電路，但是其設計方法不同，一個是接在電源正輸入端，一個是接在電源負輸入端。使用場效電晶體作為防反接電路設計，一般使場效電晶體工作在飽和區，內阻小，管子內耗也小。因此，一般應用在輸入電源較大的場合，一般5V以上，具體要看管子飽和時的控制電壓，不同管子其飽和時控制電壓不同，一般5V~10V。比如3.3V電源系統就不適合使用場效電晶體作為防反接電路設計了，因為觸發電壓只有3.3V-0.7V=2.6V，無法觸發場效電晶體導通。

場效電晶體可以用在控制迴路中，起到控制負載迴路通斷的作用，也可以用在防反接電路中，避免電源防接將電路燒壞。二極體可以實現電源防反接，但是二極體會產生正向壓降，不適合低電壓供電的情況，如3.3V。而場效電晶體因為內阻低，所以導通壓降可以忽略不計。下面以MOSFET為例來介紹場效電晶體的防反接原理。

NMOS防反接原理

用NMOS設計防反接電路時，需要將NMOS放在電源的低端側。所設計的原理示意圖如下圖所示。

當電源反接的時候，G極為低電平和S極同電位，NMOS不導通，不會燒壞負載。當電源正接的時候，G極高電平，D極為低電平，因為寄生二極體的存在，S極的電平為0.7V，此時VGS為VBat-0.7V大於Vth，則NMOS導通，電路正常工作。

PMOS防反接原理

用PMOS設計防反接電路時，需要將PMOS放在電源的高側。所設計的電路示意圖如下圖所示。

當電源反接時，G極為高電平，PMOS不導通，避免負載電路被燒壞；當電源正接時，G極為低電平，因為寄生二極體的原因，S極為VBat-0.7，所以，Vgs小於零，所以PMOS導通，電路正常工作。

需要注意的問題

在設計防反接電路時，NMOS要放在低端側；PMOS要放在高階側。這一點一定要注意。

按我們日常生活的理解，其實相當於一扇門加了防盜保護措施。防盜就相當於反接保護，只要打不開門也就實現了屋內財產的保護。

防反接對於我們的電路有著很大的保護作用，在電路中的主要作用是避免電源反接而導致的電路器件的損壞。

在電路中為什麼選擇場效電晶體來設計反接電路，這是由於場效電晶體內阻很低，這樣導通壓降就很小，這樣不至於拉低輸入電源電壓。

場效電晶體一般分為N溝道與P溝道兩種型別。

咱們先說一下PMOS反接電路，其電路圖如下所示。

其工作原理：當電源接反時，G極為高電平，此時場效電晶體不導通，這樣就阻止了由於反接造成的後端電子器件及電路的損壞。當電源正接時，此時G為低電平，場效電晶體導通，電路正常工作。

而對於N溝道管其實原理和上邊P溝道相同，

在這裡要注意N溝道要放在電源低端側，P溝道要放在電源高階側。