1947年12月，美國貝爾實驗室的肖克萊、巴丁和布拉頓組成的研究小組，研製出一種點接觸型的鍺電晶體。電晶體的問世，是20世紀的一項重大發明，是微電子革命的先聲。電晶體出現後，人們就能用一個小巧的、消耗功率低的電子器件，來代替體積大、功率消耗大的電子管了。電晶體的發明又為後來積體電路的降生吹響了號角。 20世紀最初的10年，通訊系統已開始應用半導體材料。20世紀上半葉，在無線電愛好者中廣泛流行的礦石收音機，就採用礦石這種半導體材料進行檢波。半導體的電學特性也在電話系統中得到了應用。 電晶體的發明，最早可以追溯到1929年，當時工程師利蓮費爾德就已經取得一種電晶體的專利。但是，限於當時的技術水平，製造這種器件的材料達不到足夠的純度，而使這種電晶體無法制造出來。 由於電子管處理高頻訊號的效果不理想，人們就設法改進礦石收音機中所用的礦石觸鬚式檢波器。在這種檢波器裡，有一根與礦石（半導體）表面相接觸的金屬絲（像頭髮一樣細且能形成檢波接點），它既能讓訊號電流沿一個方向流動，又能阻止訊號電流朝相反方向流動。在第二次世界大戰爆發前夕，貝爾實驗室在尋找比早期使用的方鉛礦晶體效能更好的檢波材料時，發現摻有某種極微量雜質的鍺晶體的效能不僅優於礦石晶體，而且在某些方面比電子管整流器還要好。 在第二次世界大戰期間，不少實驗室在有關矽和鍺材料的製造和理論研究方面，也取得了不少成績，這就為電晶體的發明奠定了基礎。 為了克服電子管的侷限性，第二次世界大戰結束後，貝爾實驗室加緊了對固體電子器件的基礎研究。肖克萊等人決定集中研究矽、鍺等半導體材料，探討用半導體材料製作放大器件的可能性。 1945年秋天，貝爾實驗室成立了以肖克萊為首的半導體研究小組，成員有布拉頓、巴丁等人。布拉頓早在1929年就開始在這個實驗室工作，長期從事半導體的研究，積累了豐富的經驗。他們經過一系列的實驗和觀察，逐步認識到半導體中電流放大效應產生的原因。布拉頓發現，在鍺片的底面接上電極，在另一面插上細針並通上電流，然後讓另一根細針儘量靠近它，並通上微弱的電流，這樣就會使原來的電流產生很大的變化。微弱電流少量的變化，會對另外的電流產生很大的影響，這就是“放大”作用。 布拉頓等人，還想出有效的辦法，來實現這種放大效應。他們在發射極和基極之間輸入一個弱訊號，在集電極和基極之間的輸出端，就放大為一個強訊號了。在現代電子產品中，上述晶體三極體的放大效應得到廣泛的應用。 巴丁和布拉頓最初製成的固體器件的放大倍數為50左右。不久之後，他們利用兩個靠得很近(相距0.05毫米)的觸鬚接點，來代替金箔接點，製造了“點接觸型電晶體”。1947年12月，這個世界上最早的實用半導體器件終於問世了，在首次試驗時，它能把音訊訊號放大100倍，它的外形比火柴棍短，但要粗一些。 在為這種器件命名時，布拉頓想到它的電阻變換特性，即它是靠一種從“低電阻輸入”到“高電阻輸出”的轉移電流來工作的，於是取名為trans-resister(轉換電阻)，後來縮寫為transister，中文譯名就是電晶體。 由於點接觸型晶體管制造工藝複雜，致使許多產品出現故障，它還存在噪聲大、在功率大時難於控制、適用範圍窄等缺點。為了克服這些缺點，肖克萊提出了用一種"整流結"來代替金屬半導體接點的大膽設想。半導體研究小組又提出了這種半導體器件的工作原理。 1950年，第一隻“面結型電晶體”問世了，它的效能與肖克萊原來設想的完全一致。今天的電晶體，大部分仍是這種面結型電晶體。 1956年，肖克萊、巴丁、布拉頓三人，因發明電晶體同時榮獲諾貝爾物理學獎。 [編輯本段]【電晶體的發展歷史及其重要里程碑】 1947年12月16日：威廉·邵克雷（William Shockley）、約翰·巴頓（John Bardeen）和沃特·布拉頓（Walter Brattain）成功地在貝爾實驗室製造出第一個電晶體。 1950年：威廉·邵克雷開發出雙極電晶體（Bipolar Junction Transistor），這是現在通行的標準的電晶體。 1953年：第一個採用電晶體的商業化裝置投入市場，即助聽器。 1954年10月18日：第一臺電晶體收音機Regency TR1投入市場，僅包含4只鍺電晶體。 1961年4月25日：第一個積體電路專利被授予羅伯特·諾伊斯（Robert Noyce）。最初的電晶體對收音機和電話而言已經足夠，但是新的電子裝置要求規格更小的電晶體，即積體電路。 1965年：摩爾定律誕生。當時，戈登·摩爾（Gordon Moore）預測，未來一個晶片上的電晶體數量大約每年翻一倍(10年後修正為每兩年)，摩爾定律在Electronics Magazine雜誌一篇文章中公佈。 1968年7月：羅伯特·諾伊斯和戈登·摩爾從仙童（Fairchild）半導體公司辭職，創立了一個新的企業，即英特爾公司，英文名Intel為“整合電子裝置（integrated electronics）”的縮寫。 1969年：英特爾成功開發出第一個PMOS矽柵電晶體技術。這些電晶體繼續使用傳統的二氧化矽柵介質，但是引入了新的多晶矽柵電極。 1971年：英特爾釋出了其第一個微處理器4004。4004規格為1/8英寸 x 1/16英寸，包含僅2000多個電晶體，採用英特爾10微米PMOS技術生產。 1978年：英特爾標誌性地把英特爾8088微處理器銷售給IBM新的個人電腦事業部，武裝了IBM新產品IBM PC的中樞大腦。16位8088處理器含有2.9萬個電晶體，執行頻率為5MHz、8MHz和10MHz。8088的成功推動英特爾進入了財富(Forture) 500強企業排名，《財富(Forture)》雜誌將英特爾公司評為“七十大商業奇蹟之一（Business Triumphs of the Seventies）”。 1982年：286微處理器(又稱80286)推出，成為英特爾的第一個16位處理器，可執行為英特爾前一代產品所編寫的所有軟體。286處理器使用了13400個電晶體，執行頻率為6MHz、8MHz、10MHz和12.5MHz。 1985年：英特爾386??微處理器問世，含有27.5萬個電晶體，是最初4004電晶體數量的100多倍。386是32位晶片，具備多工處理能力，即它可在同一時間執行多個程式。 1993年：英特爾·奔騰·處理器問世，含有3百萬個電晶體，採用英特爾0.8微米制程技術生產。 1999年2月：英特爾釋出了奔騰·III處理器。奔騰III是1x1正方形矽，含有950萬個電晶體，採用英特爾0.25微米制程技術生產。 2002年1月：英特爾奔騰4處理器推出，高效能桌面臺式電腦由此可實現每秒鐘22億個週期運算。它採用英特爾0.13微米制程技術生產，含有5500萬個電晶體。 2002年8月13日：英特爾透露了90納米制程技術的若干技術突破，包括高效能、低功耗電晶體，應變矽，高速銅質接頭和新型低-k介質材料。這是業內首次在生產中採用應變矽。 2003年3月12日：針對筆記本的英特爾·迅馳·移動技術平臺誕生，包括了英特爾最新的移動處理器“英特爾奔騰M處理器”。該處理器基於全新的移動最佳化微體系架構，採用英特爾0.13微米制程技術生產，包含7700萬個電晶體。 2005年5月26日：英特爾第一個主流雙核處理器“英特爾奔騰D處理器”誕生，含有2.3億個電晶體，採用英特爾領先的90納米制程技術生產。 2006年7月18日：英特爾®安騰®2雙核處理器釋出，採用世界最複雜的產品設計，含有17.2億個電晶體。該處理器採用英特爾90納米制程技術生產。 2006年7月27日：英特爾·酷睿??2雙核處理器誕生。該處理器含有2.9億多個電晶體，採用英特爾65納米制程技術在世界最先進的幾個實驗室生產。 2006年9月26日：英特爾宣佈，超過15種45納米制程產品正在開發，面向桌上型電腦、筆記本和企業級計算市場，研發程式碼Penryn，是從英特爾®酷睿??微體系架構派生而出。 2007年1月8日：為擴大四核PC向主流買家的銷售，英特爾釋出了針對桌面電腦的65納米制程英特爾·酷睿??2四核處理器和另外兩款四核伺服器處理器。英特爾·酷睿??2四核處理器含有5.8億多個電晶體。 2007年1月29日：英特爾公佈採用突破性的電晶體材料即高-k柵介質和金屬柵極。英特爾將採用這些材料在公司下一代處理器——英特爾®酷睿??2雙核、英特爾®酷睿??2四核處理器以及英特爾®至強®系列多核處理器的數以億計的45奈米電晶體或微小開關中用來構建絕緣“牆”和開關“門”，研發程式碼Penryn。採用了這些先進的電晶體，已經生產出了英特爾45奈米微處理器。
1947年12月，美國貝爾實驗室的肖克萊、巴丁和布拉頓組成的研究小組，研製出一種點接觸型的鍺電晶體。電晶體的問世，是20世紀的一項重大發明，是微電子革命的先聲。電晶體出現後，人們就能用一個小巧的、消耗功率低的電子器件，來代替體積大、功率消耗大的電子管了。電晶體的發明又為後來積體電路的降生吹響了號角。 20世紀最初的10年，通訊系統已開始應用半導體材料。20世紀上半葉，在無線電愛好者中廣泛流行的礦石收音機，就採用礦石這種半導體材料進行檢波。半導體的電學特性也在電話系統中得到了應用。 電晶體的發明，最早可以追溯到1929年，當時工程師利蓮費爾德就已經取得一種電晶體的專利。但是，限於當時的技術水平，製造這種器件的材料達不到足夠的純度，而使這種電晶體無法制造出來。 由於電子管處理高頻訊號的效果不理想，人們就設法改進礦石收音機中所用的礦石觸鬚式檢波器。在這種檢波器裡，有一根與礦石（半導體）表面相接觸的金屬絲（像頭髮一樣細且能形成檢波接點），它既能讓訊號電流沿一個方向流動，又能阻止訊號電流朝相反方向流動。在第二次世界大戰爆發前夕，貝爾實驗室在尋找比早期使用的方鉛礦晶體效能更好的檢波材料時，發現摻有某種極微量雜質的鍺晶體的效能不僅優於礦石晶體，而且在某些方面比電子管整流器還要好。 在第二次世界大戰期間，不少實驗室在有關矽和鍺材料的製造和理論研究方面，也取得了不少成績，這就為電晶體的發明奠定了基礎。 為了克服電子管的侷限性，第二次世界大戰結束後，貝爾實驗室加緊了對固體電子器件的基礎研究。肖克萊等人決定集中研究矽、鍺等半導體材料，探討用半導體材料製作放大器件的可能性。 1945年秋天，貝爾實驗室成立了以肖克萊為首的半導體研究小組，成員有布拉頓、巴丁等人。布拉頓早在1929年就開始在這個實驗室工作，長期從事半導體的研究，積累了豐富的經驗。他們經過一系列的實驗和觀察，逐步認識到半導體中電流放大效應產生的原因。布拉頓發現，在鍺片的底面接上電極，在另一面插上細針並通上電流，然後讓另一根細針儘量靠近它，並通上微弱的電流，這樣就會使原來的電流產生很大的變化。微弱電流少量的變化，會對另外的電流產生很大的影響，這就是“放大”作用。 布拉頓等人，還想出有效的辦法，來實現這種放大效應。他們在發射極和基極之間輸入一個弱訊號，在集電極和基極之間的輸出端，就放大為一個強訊號了。在現代電子產品中，上述晶體三極體的放大效應得到廣泛的應用。 巴丁和布拉頓最初製成的固體器件的放大倍數為50左右。不久之後，他們利用兩個靠得很近(相距0.05毫米)的觸鬚接點，來代替金箔接點，製造了“點接觸型電晶體”。1947年12月，這個世界上最早的實用半導體器件終於問世了，在首次試驗時，它能把音訊訊號放大100倍，它的外形比火柴棍短，但要粗一些。 在為這種器件命名時，布拉頓想到它的電阻變換特性，即它是靠一種從“低電阻輸入”到“高電阻輸出”的轉移電流來工作的，於是取名為trans-resister(轉換電阻)，後來縮寫為transister，中文譯名就是電晶體。 由於點接觸型晶體管制造工藝複雜，致使許多產品出現故障，它還存在噪聲大、在功率大時難於控制、適用範圍窄等缺點。為了克服這些缺點，肖克萊提出了用一種"整流結"來代替金屬半導體接點的大膽設想。半導體研究小組又提出了這種半導體器件的工作原理。 1950年，第一隻“面結型電晶體”問世了，它的效能與肖克萊原來設想的完全一致。今天的電晶體，大部分仍是這種面結型電晶體。 1956年，肖克萊、巴丁、布拉頓三人，因發明電晶體同時榮獲諾貝爾物理學獎。 [編輯本段]【電晶體的發展歷史及其重要里程碑】 1947年12月16日：威廉·邵克雷（William Shockley）、約翰·巴頓（John Bardeen）和沃特·布拉頓（Walter Brattain）成功地在貝爾實驗室製造出第一個電晶體。 1950年：威廉·邵克雷開發出雙極電晶體（Bipolar Junction Transistor），這是現在通行的標準的電晶體。 1953年：第一個採用電晶體的商業化裝置投入市場，即助聽器。 1954年10月18日：第一臺電晶體收音機Regency TR1投入市場，僅包含4只鍺電晶體。 1961年4月25日：第一個積體電路專利被授予羅伯特·諾伊斯（Robert Noyce）。最初的電晶體對收音機和電話而言已經足夠，但是新的電子裝置要求規格更小的電晶體，即積體電路。 1965年：摩爾定律誕生。當時，戈登·摩爾（Gordon Moore）預測，未來一個晶片上的電晶體數量大約每年翻一倍(10年後修正為每兩年)，摩爾定律在Electronics Magazine雜誌一篇文章中公佈。 1968年7月：羅伯特·諾伊斯和戈登·摩爾從仙童（Fairchild）半導體公司辭職，創立了一個新的企業，即英特爾公司，英文名Intel為“整合電子裝置（integrated electronics）”的縮寫。 1969年：英特爾成功開發出第一個PMOS矽柵電晶體技術。這些電晶體繼續使用傳統的二氧化矽柵介質，但是引入了新的多晶矽柵電極。 1971年：英特爾釋出了其第一個微處理器4004。4004規格為1/8英寸 x 1/16英寸，包含僅2000多個電晶體，採用英特爾10微米PMOS技術生產。 1978年：英特爾標誌性地把英特爾8088微處理器銷售給IBM新的個人電腦事業部，武裝了IBM新產品IBM PC的中樞大腦。16位8088處理器含有2.9萬個電晶體，執行頻率為5MHz、8MHz和10MHz。8088的成功推動英特爾進入了財富(Forture) 500強企業排名，《財富(Forture)》雜誌將英特爾公司評為“七十大商業奇蹟之一（Business Triumphs of the Seventies）”。 1982年：286微處理器(又稱80286)推出，成為英特爾的第一個16位處理器，可執行為英特爾前一代產品所編寫的所有軟體。286處理器使用了13400個電晶體，執行頻率為6MHz、8MHz、10MHz和12.5MHz。 1985年：英特爾386??微處理器問世，含有27.5萬個電晶體，是最初4004電晶體數量的100多倍。386是32位晶片，具備多工處理能力，即它可在同一時間執行多個程式。 1993年：英特爾·奔騰·處理器問世，含有3百萬個電晶體，採用英特爾0.8微米制程技術生產。 1999年2月：英特爾釋出了奔騰·III處理器。奔騰III是1x1正方形矽，含有950萬個電晶體，採用英特爾0.25微米制程技術生產。 2002年1月：英特爾奔騰4處理器推出，高效能桌面臺式電腦由此可實現每秒鐘22億個週期運算。它採用英特爾0.13微米制程技術生產，含有5500萬個電晶體。 2002年8月13日：英特爾透露了90納米制程技術的若干技術突破，包括高效能、低功耗電晶體，應變矽，高速銅質接頭和新型低-k介質材料。這是業內首次在生產中採用應變矽。 2003年3月12日：針對筆記本的英特爾·迅馳·移動技術平臺誕生，包括了英特爾最新的移動處理器“英特爾奔騰M處理器”。該處理器基於全新的移動最佳化微體系架構，採用英特爾0.13微米制程技術生產，包含7700萬個電晶體。 2005年5月26日：英特爾第一個主流雙核處理器“英特爾奔騰D處理器”誕生，含有2.3億個電晶體，採用英特爾領先的90納米制程技術生產。 2006年7月18日：英特爾®安騰®2雙核處理器釋出，採用世界最複雜的產品設計，含有17.2億個電晶體。該處理器採用英特爾90納米制程技術生產。 2006年7月27日：英特爾·酷睿??2雙核處理器誕生。該處理器含有2.9億多個電晶體，採用英特爾65納米制程技術在世界最先進的幾個實驗室生產。 2006年9月26日：英特爾宣佈，超過15種45納米制程產品正在開發，面向桌上型電腦、筆記本和企業級計算市場，研發程式碼Penryn，是從英特爾®酷睿??微體系架構派生而出。 2007年1月8日：為擴大四核PC向主流買家的銷售，英特爾釋出了針對桌面電腦的65納米制程英特爾·酷睿??2四核處理器和另外兩款四核伺服器處理器。英特爾·酷睿??2四核處理器含有5.8億多個電晶體。 2007年1月29日：英特爾公佈採用突破性的電晶體材料即高-k柵介質和金屬柵極。英特爾將採用這些材料在公司下一代處理器——英特爾®酷睿??2雙核、英特爾®酷睿??2四核處理器以及英特爾®至強®系列多核處理器的數以億計的45奈米電晶體或微小開關中用來構建絕緣“牆”和開關“門”，研發程式碼Penryn。採用了這些先進的電晶體，已經生產出了英特爾45奈米微處理器。