氧化飾拋光粉中的主要有效成分是Ce02，另外含有少量其他稀土氧化物(如La203,Pr6011, Nd203等)及新增元素F, S等。一般的，稀土拋光粉中Ce02含量越高，拋光能力越強;但也有研究發現[[41]，隨著Ce02含量的增大，拋光粉拋光效能提高的趨勢變緩慢，含85% Ce02的拋光粉比含40% Ce02的拋光粉，其效能僅提高15%。由此可見，影響稀土拋光粉拋光效能的因素是多方面的，化學純度對拋光效能的影響並非唯一因素。 Ce02拋光粉還可按照Ce含量的不同來分，不同Ce02含量的拋光粉效能各異，Ce02含量越高，拋光能力越強，使用越壽命長，表1.1列出了目前國內外生產的部分拋光粉的性質及應用領域。 粒度與粒度分佈 所有市售拋光粉對粒度大小及分佈都有嚴格的控制[[42]，粒度必須符合一定的範圍，才能達到既能快速拋光，又不產生機械劃痕的效果。透過將不同粒度大小和分佈的Ce02拋光粉對K9玻璃和ZF1玻璃進行拋光發現，顆粒大小在1.0~10μm之間時，拋光效果較好，且10~30μm間顆粒少於13%時，對玻璃不會產生機械劃痕[[43] 拋光粉的粒度指中位粒徑D50或平均粒徑Dmean，一般透過鐳射散射法測定，反映的是多個細小顆粒團聚後形成二次顆粒的粒徑大小。在拋光壓力的作用下，團聚的大顆粒會被碾壓成更小的顆粒;因此，團聚粒徑的大小對拋光粉的拋光效能有顯著影響[[44] (4)硬度 Ce02拋光粉的硬度是其化學鍵強度、晶體結構等微觀性質的宏觀反應。對於化學機械拋光過程而言，Ce02拋光粉的硬度必須達到合適範圍才能符合要求:硬度過小，拋光過程中易被碾壓破碎，不能有效磨削拋光工件，拋光效率會降低;硬度過大，顆粒表面的尖銳稜角會對拋光工件表面造成劃傷，嚴重破壞拋光產品質量 由於Ce02拋光粉粒度小，對其硬度的測量存在一定困難，目前可以用纖維硬度計測量，但誤差較大。一般，Ce02拋光粉的硬度與焙燒溫度和冷卻方式有關，焙燒溫度高會提高其硬度，採取不同的冷卻方式也會改變其硬度 Ce02拋光粉的化學活性主要是指Ce02對拋光工件表面的化學吸附能力。一般，化學活性與Ce02表面的晶格缺陷有關，表面缺陷和懸鍵的存在會提高Ce02的表面活性，增強拋光粉對拋光工件表面的吸附能力。 Ce02的化學活性還與焙燒溫度和冷卻方式有關，選擇合適的焙燒溫度，會使Ce02晶粒生長到適合拋光的粒度大小，此時比表面積較大，表面活性強;另外，採取快速冷卻方式可以造成晶粒瞬間停止生長，晶格缺陷增多，化學活性提高。有研究者[[31〕採用水冷方式製備Ce02拋光粉，其拋光速率比隨爐冷卻提高10% 。
氧化飾拋光粉中的主要有效成分是Ce02，另外含有少量其他稀土氧化物(如La203,Pr6011, Nd203等)及新增元素F, S等。一般的，稀土拋光粉中Ce02含量越高，拋光能力越強;但也有研究發現[[41]，隨著Ce02含量的增大，拋光粉拋光效能提高的趨勢變緩慢，含85% Ce02的拋光粉比含40% Ce02的拋光粉，其效能僅提高15%。由此可見，影響稀土拋光粉拋光效能的因素是多方面的，化學純度對拋光效能的影響並非唯一因素。 Ce02拋光粉還可按照Ce含量的不同來分，不同Ce02含量的拋光粉效能各異，Ce02含量越高，拋光能力越強，使用越壽命長，表1.1列出了目前國內外生產的部分拋光粉的性質及應用領域。 粒度與粒度分佈 所有市售拋光粉對粒度大小及分佈都有嚴格的控制[[42]，粒度必須符合一定的範圍，才能達到既能快速拋光，又不產生機械劃痕的效果。透過將不同粒度大小和分佈的Ce02拋光粉對K9玻璃和ZF1玻璃進行拋光發現，顆粒大小在1.0~10μm之間時，拋光效果較好，且10~30μm間顆粒少於13%時，對玻璃不會產生機械劃痕[[43] 拋光粉的粒度指中位粒徑D50或平均粒徑Dmean，一般透過鐳射散射法測定，反映的是多個細小顆粒團聚後形成二次顆粒的粒徑大小。在拋光壓力的作用下，團聚的大顆粒會被碾壓成更小的顆粒;因此，團聚粒徑的大小對拋光粉的拋光效能有顯著影響[[44] (4)硬度 Ce02拋光粉的硬度是其化學鍵強度、晶體結構等微觀性質的宏觀反應。對於化學機械拋光過程而言，Ce02拋光粉的硬度必須達到合適範圍才能符合要求:硬度過小，拋光過程中易被碾壓破碎，不能有效磨削拋光工件，拋光效率會降低;硬度過大，顆粒表面的尖銳稜角會對拋光工件表面造成劃傷，嚴重破壞拋光產品質量 由於Ce02拋光粉粒度小，對其硬度的測量存在一定困難，目前可以用纖維硬度計測量，但誤差較大。一般，Ce02拋光粉的硬度與焙燒溫度和冷卻方式有關，焙燒溫度高會提高其硬度，採取不同的冷卻方式也會改變其硬度 Ce02拋光粉的化學活性主要是指Ce02對拋光工件表面的化學吸附能力。一般，化學活性與Ce02表面的晶格缺陷有關，表面缺陷和懸鍵的存在會提高Ce02的表面活性，增強拋光粉對拋光工件表面的吸附能力。 Ce02的化學活性還與焙燒溫度和冷卻方式有關，選擇合適的焙燒溫度，會使Ce02晶粒生長到適合拋光的粒度大小，此時比表面積較大，表面活性強;另外，採取快速冷卻方式可以造成晶粒瞬間停止生長，晶格缺陷增多，化學活性提高。有研究者[[31〕採用水冷方式製備Ce02拋光粉，其拋光速率比隨爐冷卻提高10% 。