拋光液是一種不含任何硫、磷、氯新增劑的水溶性拋光劑，具有良好的去油汙，防鏽，清洗和增光效能，並能使金屬製品超過原有的光澤。本產品效能穩定、無毒，對環境無汙染等作用，光液使用方法：包括棘輪扳手、開口扳手，批咀、套筒扳手，六角扳手，螺絲刀等，鉛錫合金、鋅合金等金屬產品經過研磨以後，再使用拋光劑配合振動研磨光飾機，滾桶式研磨光式機進行拋光；1拋光劑投放量為（根據不同產品的大小，光飾機的大小和各公司的產品光亮度要求進行適當配置），2：拋光時間：根據產品的狀態來定。3、拋光完成後用清水清洗一次並且烘乾即可。英文名polishing slurry拋光液CMP（Chemical Mechanical Polishing）化學機械拋光這兩個概念主要出現在半導體加工過程中，最初的半導體基片（襯底片）拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是及其嚴重的。直到60年代末，一種新的拋光技術——化學機械拋光技術（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了舊的方法。CMP技術綜合了化學和機械拋光的優勢：單純的化學拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，完美性好，但表面平整度和平行度差，拋光後表面一致性差；單純的機械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深。化學機械拋光可以獲得較為完美的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個數量級，是目前能夠實現全域性平面化的唯一有效方法。製作步驟依據機械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應多相催化理論、表面工程學、半導體化學基礎理論等，對矽單晶片化學機械拋光（CMP）機理、動力學控制過程和影響因素研究標明，化學機械拋光是一個複雜的多相反應，它存在著兩個動力學過程：（1）拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的矽原子在表面進行氧化還原的動力學過程。這是化學反應的主體。（2）拋光表面反應物脫離矽單晶表面，即解吸過程使未反應的矽單晶重新裸露出來的動力學過程。它是控制拋光速率的另一個重要過程。矽片的化學機械拋光過程是以化學反應為主的機械拋光過程，要獲得質量好的拋光片，必須使拋光過程中的化學腐蝕作用與機械磨削作用達到一種平衡。如果化學腐蝕作用大於機械拋光作用，則拋光片表面產生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機械磨削作用大於化學腐蝕作用，則表面產生高損傷層。

玻璃拋光液 玻璃拋光液用於拋光蒙砂玻璃與噴砂玻璃,以加深玻璃的無手印效果，手感光滑，顆粒感可以隨意由操作時間而調整，無手印效果明顯，可以加深無手印的效果，適用於生產各種移門，拋光後的玻璃表面光滑但顆粒感強.拋光工藝簡單易操作。 玻璃拋光液DF-808是北京東方永興化工最新研製的專門針對超高硬度玻璃設計的新型拋光液，它適用於各類超硬玻璃，例如，水晶工藝品玻璃，高鉛玻璃，高硼玻璃，微晶玻璃，光學石英玻璃等等，這類玻璃的特點是化學穩定性好，硬度很高，用普通拋光液進行處理的時候費時費力，而且很容易造成缺陷，而玻璃拋光液DF-808由於添加了有機促進劑，拋光時間很短，一般在5分鐘內即可完成，拋光後的玻璃明亮清透，不留瑕疵。 使用方法： 將背面貼好保護膜的乾淨蒙砂玻璃或異形玻璃直接浸泡到拋光池中，一般反應時間在20秒-5分鐘，要根據實際玻璃硬度確定拋光時間，最後用足量的自來水徹底清洗玻璃表面。 注意事項: 工人必須戴塑膠手套工作，如果不慎面板接觸到本產品，請即用清水洗掉，應該在通風環境中進行操作。 包裝規格：塑膠桶裝30公斤，50公斤，100公斤。 具體配方大家都是保密的。