傳統的普通充電器，它的基礎材料是矽，矽也是電子行業內非常重要的材料。但隨著矽的極限逐步逼近，矽的開發也到了一定的瓶頸，許多廠商開始努力尋找更合適的替代品。

加之隨著快充功率的增大，快充頭體積也就更大，攜帶起來非常不方便；一些大功率充電器長時間充電還容易引起充電頭髮熱；因此，尋找新型的代替材料就更加迫切。

氮化鎵（GaN）被稱為第三代半導體材料。相比矽，它的效能成倍提升，而且比矽更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大。氮化鎵晶片頻率遠高於矽，有效降低內部變壓器等原件體積，同時優秀的散熱效能也使內部原件排布可以更加精密，最終完美解決了充電速率和便攜性的矛盾。很明顯，氮化鎵就是我們要尋找的代替材料。

瞭解了各自的材質特性，氮化鎵充電器和普通充電器的區別也就不言而喻了，氮化鎵充電器同功率下體積更小，且散熱更優秀，輕鬆實現小體積大功率。

那麼

為什麼氮化鎵充電器還沒有普及？

由於氮化鎵採用了新型材料，早前的技術還不夠成熟，成本也相對更高，其中最主要的成本來自於MOS功率晶片。不過隨著技術越來越成熟，不僅在效能與體驗上會有改進，成本也會慢慢下降。

在充電協議上，GaN 充電頭目前以PD協議為主，對支援該協議的裝置均能進行快充，包括MacBook（以及其他 C 口筆記本）、iPad Pro、iPhone、Switch 等裝置。在氮化鎵的加持下，相信智慧手機的快充功率有望再創新高。