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  • 1 # pxzhou

    普通二極體的檢測(包括檢波二極體、整流二極體、阻尼二極體、開關二極體、續流二極體)是由一個PN接面構成的半導體器件,具有單向導電特性。透過用萬用表檢測其正、反向電阻值,可以判別出二極體的電極,還可估測出二極體是否損壞。

     1.極性的判別將萬用表置於R×100檔或R×1k檔,兩表筆分別接二極體的兩個電極,測出一個結果後,對調兩表筆,再測出一個結果。 兩次測量的結果中,有一次測量出的阻值較大(為反向電阻),一次測量出的阻值較小(為正向電阻)。

    在阻值較小的一次測量中,黑表筆接的是二極體的正極,紅表筆接的是二極體的負極。 2.單負導電效能的檢測及好壞的判斷通常,鍺材料

    二極體的正向電阻值為1kΩ左右,反向電阻值為300左右。 矽材料二極體的電阻值為5 kΩ左右,反向電阻值為∞(無窮大)。

    正向電阻越小越好,反向電阻越大越好。正、反向電阻值相差越懸殊,說明二極體的單向導電特性越好。 若測得二極體的正、反向電阻值均接近0或阻值較小,則說明該二極體內部已擊穿短路或漏電損壞。若測得二極體的正、反向電阻值均為無窮大,則說明該二極體已開路損壞。

     3.反向擊穿電壓的檢測二極體反向擊穿電壓(耐壓值)可以用電晶體直流引數測試表測量。其方法是:測量二極體時,應將測試表的“NPN/PNP”選擇鍵設定為NPN狀態,再將被測二極體的正極接測試表的“C”插孔內,負極插入測試表的“e”插孔,然後按下“V(BR)”鍵,測試表即可指示出二極體的反向擊穿電壓值。

    。穩壓二極體的檢測  1.正、負電極的判別從外形上看,金屬封裝穩壓二極體管體的正極一端為平面形,負極一端為半圓面形。塑封穩壓二極體管體上印有彩色標記的一端為負極,另一端為正極。

    對標誌不清楚的穩壓二極體,也可以用萬用表判別其極性,測量的方法與普通二極體相同,即用萬用表R×1k檔,將兩表筆分別接穩壓二極體的兩個電極,測出一個結果後,再對調兩表筆進行測量。 在兩次測量結果中,阻值較小那一次,黑表筆接的是穩壓二極體的正極,紅表筆接的是穩壓二極體的負極。

    若測得穩壓二極體的正、反向電阻均很小或均為無窮大,則說明該二極體已擊穿或開路損壞。  2.穩壓值的測量用0~30V連續可調直流電源,對於13V以下的穩壓二極體,可將穩壓電源的輸出電壓調至15V,將電源正極串接1只1。

    5kΩ限流電阻後與被測穩壓二極體的負極相連線,電源負極與穩壓二極體的正極相接,再用萬用表測量穩壓二極體兩端的電壓值,所測的讀數即為穩壓二極體的穩壓值。若穩壓二極體的穩壓值高於15V,則應將穩壓電源調至20V以上。

    雙向觸發二極體的檢測  1.正、反向電阻值的測量用萬用表R×1k或R×10k檔,測量雙向觸發二極體正、反向電阻值。 正常時其正、反向電阻值均應為無窮大。若測得正、反向電阻值均很小或為0,則說明該二極體已擊穿損壞。

     2.測量轉折電壓測量雙向觸發二極體的轉折電壓有三種方法。 第一種方法是:將兆歐表的正極(E)和負極(L)分別接雙向觸發二極體的兩端,用兆歐表提供擊穿電壓,同時用萬用表的直流電壓檔測量出電壓值,將雙向觸發二極體的兩極對調後再測量一次。

    比較一下兩次測量的電壓值的偏差(一般為3~6V)。此偏差值越小,說明此二極體的效能越好。 第二種方法是:先用萬用表測出市電電壓U,然後將被測雙向觸發二極體串入萬用表的交流電壓測量回路後,接入市電電壓,讀出電壓值U1,再將雙向觸發二極體的兩極對調連線後並讀出電壓值U2。

     若U1與U2的電壓值相同,但與U的電壓值不同,則說明該雙向觸發二極體的導通效能對稱性良好。若U1與U2的電壓值相差較大時,則說明該雙向觸發二極體的導通性不對稱。若U1、U2電壓值均與市電U相同時,則說明該雙向觸發二極體內部已短路損壞。

    若U1、U2的電壓值均為0V,則說明該雙向觸發二極體內部已開路損壞。  第三種方法是:用0~50V連續可調直流電源,將電源的正極串接1只20kΩ電阻器後與雙向觸發二極體的一端相接,將電源的負極串接萬用表電流檔(將其置於1mA檔)後與雙向觸發二極體的另一端相接。

    逐漸增加電源電壓,當電流表指標有較明顯擺動時(幾十微安以上),則說明此雙向觸發二極體已導通,此時電源的電壓值即是雙向觸發二極體的轉折電壓。 發光二極體的檢測  1.正、負極的判別將發光二極體放在一個光源下,觀察兩個金屬片的大小,通常金屬片大的一端為負極,金屬片小的一端為正極。

     2.效能好壞的判斷 用萬用表R×10k檔,測量發光二極體的正、反向電阻值。正常時,正向電阻值(黑表筆接正極時)約為10~20kΩ,反向電阻值為250kΩ~∞(無窮大)。 較高靈敏度的發光二極體,在測量正向電阻值時,管內會發微光。

    若用萬用表R×1k檔測量發光二極體的正、反向電阻值,則會發現其正、反向電阻值均接近∞(無窮大),這是因為發光二極體的正向壓降大於1。6V(高於萬用表R×1k檔內電池的電壓值1。5V)的緣故 用萬用表的R×10k檔對一隻220μF/25V電解電容器充電(黑表筆接電容器正極,紅表筆接電容器負極),再將充電後的電容器正極接發光二極體正極、電容器負極接發光二極體負極,若發光二極體有很亮的閃光,則說明該發光二極體完好。

    紅外發光二極體的檢測  1.正、負極性的判別紅外發光二極體多采用透明樹脂封裝,管心下部有一個淺盤,管內電極寬大的為負極,而電極窄小的為正極。也可從管身形狀和引腳的長短來判斷。

    通常,靠近管身側向小平面的電極為負極,另一端引腳為正極。長引腳為正極,短引腳為負極。  2.效能好壞的測量用萬用表R×10k檔測量紅外發光管有正、反向電阻。 正常時,正向電阻值約為15~40kΩ(此值越小越好);反向電阻大於500kΩ(用R×10k檔測量,反向電阻大於200 kΩ)。

    若測得正、反向電阻值均接近零,則說明該紅外發光二極體內部已擊穿損壞。若測得正、反向電阻值均為無窮大,則說明該二極體已開路損壞。若測得的反向電阻值遠遠小於500kΩ,則說明該二極體已漏電損壞。 紅外光敏二極體的檢測  將萬用表置於R×1k檔,測量紅外光敏二極體的正、反向電阻值。

    正常時,正向電阻值(黑表筆所接引腳為正極)為3~10 kΩ左右,反向電阻值為500 kΩ以上。若測得其正、反向電阻值均為0或均為無窮大,則說明該光敏二極體已擊穿或開路損壞。鐳射二極體的檢測  阻值測量法拆下鐳射二極體,用萬用表R×1k或R×10k檔測量其正、反向電阻值。

    正常時,正向電阻值為20~40kΩ之間,反向電阻值為∞(無窮大)。若測得正向電阻值已超過50kΩ,則說明鐳射二極體的效能已下降。若測得的正向電阻值大於90kΩ,則說明該二極體已嚴重老化,不能再使用了。

    變容二極體的檢測  1.正、負極的判別有的變容二極體的一端塗有黑色標記,這一端即是負極,而另一端為正極。 還有的變容二極體的管殼兩端分別塗有黃色環和紅色環,紅色環的一端為正極,黃色環的一端為負極。

     也可以用數字萬用表的二極體檔,透過測量變容二極體的正、反向電壓降來判斷出其正、負極性。正常的變容二極體,在測量其正向電壓降時,表的讀數為0。58~0。65V;測量其反向電壓降時,表的讀數顯示為溢位符號“1”。

    在測量正向電壓降時,紅表筆接的是變容二極體的正極,黑表筆接的是變容二極體的負極。  2.效能好壞的判斷用指標式萬用表的R×10k檔測量變容二極體的正、反向電阻值。正常的變容二極體,其正、反向電阻值均為∞(無窮大)。

    若被測變容二極體的正、反向電阻值均有一定阻值或均為0,則是該二極體漏電或擊穿損壞。 雙基極二極體的檢測  1.電極的判別將萬用表置於R×1k檔,用兩表筆測量雙基極二極體三個電極中任意兩個電極間的正反向電阻值,會測出有兩個電極之間的正、反向電阻值均為2~10kΩ,這兩個電極即是基極B1和基極B2,另一個電極即是發射極E。

    再將黑表筆接發射極E,用紅表筆依次去接觸另外兩個電極,一般會測出兩個不同的電阻值。 有阻值較小的一次測量中,紅表筆接的是基極B2,另一個電極即是基極B1。 2.效能好壞的判斷雙基極二極體效能的好壞可以透過測量其各極間的電阻值是否正常來判斷。

    用萬用表R×1k檔,將黑表筆接發射極E,紅表筆依次接兩個基極(B1和B2),正常時均應有幾千歐至十幾千歐的電阻值。 再將紅表筆接發射極E,黑表筆依次接兩個基極,正常時阻值為無窮大。

     雙基極二極體兩個基極(B1和B2)之間的正、反向電阻值均為2~10kΩ範圍內,若測得某兩極之間的電阻值與上述正常值相差較大時,則說明該二極體已損壞。橋堆的檢測  1.全橋的檢測大多數的整流全橋上,均標註有“ ”、“-”、“~”符號(其中“ ”為整流後輸出電壓的正極,“-”為輸出電壓的負極,“~”為交流電壓輸入端),很容易確定出各電極。

    Rac電子資料網 檢測時,可透過分別測量“ ”極與兩個“~”極、“-”極與兩個“~”之間各整流二極體的正、反向電阻值(與普通二極體的測量方法相同)是否正常,即可判斷該全橋是否已損壞。

    若測得全橋內鞭只二極體的正、反向電阻值均為0或均為無窮大,則可判斷該二極體已擊穿或開路損壞。   2.半橋的檢測半橋是由兩隻整流二極體組成,透過用萬用表分別測量半橋內部的兩隻二極體的正、反電阻值是否正常,即可判斷出該半橋是否正常。

    高壓矽堆的檢測  高壓矽堆內部是由多隻高壓整流二極體(矽粒)串聯組成,檢測時,可用萬用表的R×10k檔測量其正、反向電阻值。 正常的高壓矽堆,其正向電阻值大於

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