調幅發射機的設計指導
技術指標:載波頻率f0 =10MHZ,載波頻率穩定度不低於10-3,輸出負載RL=50Ω,總的輸出功率PA=200mW,調幅係數平均值ma=30%。 調製頻率F=20Hz~20kHz.。
本設計可提供的器件如下,引數見附錄。
高頻小功率電晶體 、整合模擬乘法器 (XCC , MC1496 )、高頻磁環 、運算放大器 (A741 )、
整合振盪器(E1648 ) [/U]本的小功率調幅發射機的設計和安裝除錯。
一.調幅發射機的設計原則
(一)方框圖
圖1為最基本的調幅發射機的方框圖。
(二)技術指標
調幅發射機的主要技術指標:載波頻率 ,載波頻
率的穩定度,輸出負載電阻RL,發射功率PL,發射機效率,調幅係數ma,調製頻率F。
1.發射功率
發射功率一般是指發射機輸送到天線上的功率。只有當天線的長度與發射機高頻振盪的波長λ相比擬時,天線才能有效地把載波發射出去。波長與頻率的關係為:λ= c/f。式中, c為電磁波傳播速度,c=3×108m/s。
若接收機的靈敏度Us=2μV,則通訊距離s與發射功率PA的關係為
表1小功率發射系統的功率與通訊距離的關係
2. 工作頻率或波段
發射機的工作頻率應根據調製方式,在國家或有關部門所規定的範圍內選取。對調頻發射機,工作頻率一般在超短波(30-300MHZ)範圍內;對調幅發射機一般在中頻(0.3-3MHZ)和高頻(3-30MHZ)範圍內。
3. 總效率
發射系統發射的總功率PA與其消耗的總功率P’c之
比稱為發射系統的總效率 ,即
(三)電路型式選擇
調幅發射機是由主振器,緩衝級,高頻電壓放大
器,振幅調製器,高頻功率放大器等電路組成。
1. 主振器
電容三點式振盪器的輸出波形比電感三點式振盪器的輸出波形好。這是因為電容三點式振盪器中,反饋是由電容產生的,高次諧波在電容上產生的反饋壓降較小,輸出中高頻諧波小;而在電感三點式振盪器中,反饋是由電感產生的,高次諧波在電感上產生的反饋壓降較大。另外,電容三點式振盪器最高工作頻率一般比電感三點式振盪器的高。
這是因為在電感三點式振盪器中,電晶體的極間電容與迴路電感相併聯,在頻率高時可能改變電抗的性質;在電容三點式振盪器中,極間電容與電容並聯,頻率變化不改變電抗的性質。因此振盪器的電路型式一般採用電容三點式。在頻率穩定度要求不高的情況下,可以採用克拉潑,西勒電路。頻率穩定度要求高的情況下,可以採用晶體振盪器,也可以採用單片整合振盪電路。
調幅發射機的設計指導
技術指標:載波頻率f0 =10MHZ,載波頻率穩定度不低於10-3,輸出負載RL=50Ω,總的輸出功率PA=200mW,調幅係數平均值ma=30%。 調製頻率F=20Hz~20kHz.。
本設計可提供的器件如下,引數見附錄。
高頻小功率電晶體 、整合模擬乘法器 (XCC , MC1496 )、高頻磁環 、運算放大器 (A741 )、
整合振盪器(E1648 ) [/U]本的小功率調幅發射機的設計和安裝除錯。
一.調幅發射機的設計原則
(一)方框圖
圖1為最基本的調幅發射機的方框圖。
(二)技術指標
調幅發射機的主要技術指標:載波頻率 ,載波頻
率的穩定度,輸出負載電阻RL,發射功率PL,發射機效率,調幅係數ma,調製頻率F。
1.發射功率
發射功率一般是指發射機輸送到天線上的功率。只有當天線的長度與發射機高頻振盪的波長λ相比擬時,天線才能有效地把載波發射出去。波長與頻率的關係為:λ= c/f。式中, c為電磁波傳播速度,c=3×108m/s。
若接收機的靈敏度Us=2μV,則通訊距離s與發射功率PA的關係為
表1小功率發射系統的功率與通訊距離的關係
2. 工作頻率或波段
發射機的工作頻率應根據調製方式,在國家或有關部門所規定的範圍內選取。對調頻發射機,工作頻率一般在超短波(30-300MHZ)範圍內;對調幅發射機一般在中頻(0.3-3MHZ)和高頻(3-30MHZ)範圍內。
3. 總效率
發射系統發射的總功率PA與其消耗的總功率P’c之
比稱為發射系統的總效率 ,即
(三)電路型式選擇
調幅發射機是由主振器,緩衝級,高頻電壓放大
器,振幅調製器,高頻功率放大器等電路組成。
1. 主振器
電容三點式振盪器的輸出波形比電感三點式振盪器的輸出波形好。這是因為電容三點式振盪器中,反饋是由電容產生的,高次諧波在電容上產生的反饋壓降較小,輸出中高頻諧波小;而在電感三點式振盪器中,反饋是由電感產生的,高次諧波在電感上產生的反饋壓降較大。另外,電容三點式振盪器最高工作頻率一般比電感三點式振盪器的高。
這是因為在電感三點式振盪器中,電晶體的極間電容與迴路電感相併聯,在頻率高時可能改變電抗的性質;在電容三點式振盪器中,極間電容與電容並聯,頻率變化不改變電抗的性質。因此振盪器的電路型式一般採用電容三點式。在頻率穩定度要求不高的情況下,可以採用克拉潑,西勒電路。頻率穩定度要求高的情況下,可以採用晶體振盪器,也可以採用單片整合振盪電路。