samsung記憶體
具體含義解釋：
例：samsungk4h280838b-tcb0
主要含義：
第1位——晶片功能k，代表是記憶體晶片。
第2位——晶片型別4，代表dram。
第3位——晶片的更進一步的型別說明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。
第4、5位——容量和重新整理速率，容量相同的記憶體採用不同的重新整理速率，也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量；28、27、2a代表128mbit的容量；56、55、57、5a代表256mbit的容量；51代表512mbit的容量。
第6、7位——資料線引腳個數，08代表8位資料；16代表16位資料；32代表32位資料；64代表64位資料。
第11位——連線“-”。
第14、15位——晶片的速率，如60為6ns；70為7ns；7b為7.5ns(cl=3)；7c為7.5ns(cl=2)；80為8ns；10為10ns(66mhz)。
知道了記憶體顆粒編碼主要數位的含義，拿到一個記憶體條後就非常容易計算出它的容量。例如一條三星ddr記憶體，使用18片samsungk4h280838b-tcb0顆粒封裝。顆粒編號第4、5位“28”代表該顆粒是128mbits，第6、7位“08”代表該顆粒是8位資料頻寬，這樣我們可以計算出該記憶體條的容量是128mbits（兆數位）×16片/8bits=256mb（兆位元組）。
注：“bit”為“數位”，“b”即位元組“byte”，一個位元組為8位則計算時除以8。關於記憶體容量的計算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ecc記憶體，每8片8位資料寬度的顆粒就可以組成一條記憶體；另一種ecc記憶體，在每64位資料之後，還增加了8位的ecc校驗碼。透過校驗碼，可以檢測出記憶體資料中的兩位錯誤，糾正一位錯誤。所以在實際計算容量的過程中，不計算校驗位，具有ecc功能的18片顆粒的記憶體條實際容量按16乘。在購買時也可以據此判定18片或者9片記憶體顆粒貼片的記憶體條是ecc記憶體。
hynix(hyundai)現代
·“8”是記憶體條晶片結構，代表改記憶體由8顆晶片構成。(4=4顆晶片；8=8顆晶片；16=16顆晶片；32=32顆晶片)
·“2”指記憶體的bank(儲蓄位)。(1=2bank；2=4bank；3=8bank)
·“2”代表介面型別為sstl_2。(1=sstl_3；2=sstl_2；3=sstl_18)
·“b”是核心代號為第3代。(空白=第1代；a=第2代；b=第3代；c=第4代)
·能源消耗，空白代表普通；l代表低功耗型，該記憶體條的能源消耗程式碼為空，因此為普通型。
·封裝型別用“t”表示，即tsop封裝。(t=tsop；q=lofp；f=fbga；fc=fbga)
·封裝堆疊，空白=普通；s=hynix；k=m&t；j=其它；m=mcp(hynix)；mu=mcp(utc)，上述記憶體為空白，代表是普通封裝堆疊。
·封裝原料，空白=普通；p=鉛；h＝鹵素；r=鉛+鹵素。該記憶體為普通封裝材料。
·“d43”表示記憶體的速度為ddr400。(d43=ddr400，3-3-3；d4=ddr400，3-4-4；j=ddr333；m=ddr333，2-2-2；k=ddr266a；h=ddr266b；l=ddr200)
·工作溫度，一般被省略。i=工業常溫(-40～85度)；e=擴充套件溫度(-25～85度)
現代記憶體的含義：
hy5dv641622at-36
hyxxxxxxxxxxxxxxxx
123456789101112
1、hy代表是現代的產品
2、記憶體晶片型別：(57=sdram，5d=ddrsdram)；
3、處理工藝及工作電壓：(空白=5v；v：vdd=3.3v&vddq=2.5v；u：vdd=2.5v&vddq=2.5v；w：vdd=2.5v&vddq=1.8v；s：vdd=1.8v&vddq=1.8v)
4、晶片容量密度和重新整理速率：16=16mbits、4kref；64：64m4k重新整理；64=64mbits、8kref；65=64mbits、4kref；66：64m2k重新整理；28：128m4k重新整理；128=128mbits、8kref；129=128mbits、4kref；56：256m8k重新整理；57：256m4k重新整理；256=256mbits、16kref；257=256mbits、8kref；12：512m8k重新整理；1g：1g8k重新整理
5、代表晶片輸出的資料位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位
6、bank數量：1、2、3分別代表2個、4個和8個bank，是2的冪次關係
7、i/o介面：1:sstl_3、2:sstl_2
8、晶片核心版本：可以為空白或a、b、c、d等字母，越往後代表核心越新
9、代表功耗：l=低功耗晶片，空白=普通晶片
10、記憶體晶片封裝形式：jc=400milsoj，tc=400miltsop-ⅱ，td=13mmtsop-ⅱ，tg=16mmtsop-ⅱ
11、工作速度：55:183mhz、5:200mhz、45:222mhz、43:233mhz、4:250mhz、33:300nhz、l:ddr200、h:ddr266b、k:ddr266a
現代的mbga封裝的顆粒
infineon（英飛凌）
infineon是德國西門子的一個分公司，目前國內市場上西門子的子公司infineon生產的記憶體顆粒只有兩種容量：容量為128mbits的顆粒和容量為256mbits的顆粒。編號中詳細列出了其記憶體的容量、資料寬度。infineon的記憶體佇列組織管理模式都是每個顆粒由4個bank組成。所以其記憶體顆粒型號比較少，辨別也是最容易的。
hyb39s128400即128mb/4bits，“128”標識的是該顆粒的容量，後三位標識的是該記憶體資料寬度。其它也是如此，如：hyb39s128800即128mb/8bits；hyb39s128160即128mb/16bits；hyb39s256800即256mb/8bits。
infineon記憶體顆粒工作速率的表示方法是在其型號最後加一短線，然後標上工作速率。
-7.5——表示該記憶體的工作頻率是133mhz；
-8——表示該記憶體的工作頻率是100mhz。
例如：
1條kingston的記憶體條，採用16片infineon的hyb39s128400-7.5的記憶體顆粒生產。其容量計算為：128mbits（兆數位）×16片/8=256mb（兆位元組）。
1條ramaxel的記憶體條，採用8片infineon的hyb39s128800-7.5的記憶體顆粒生產。其容量計算為：128mbits（兆數位）×8片/8=128mb（兆位元組）。
kingmax、kti
kingmax記憶體的說明
kingmax記憶體都是採用tinybga封裝（tinyballgridarray）。並且該封裝模式是專利產品，所以我們看到採用kingmax顆粒製作的記憶體條全是該廠自己生產。kingmax記憶體顆粒有兩種容量：64mbits和128mbits。在此可以將每種容量系列的記憶體顆粒型號列表出來。
容量備註：
ksva44t4a0a——64mbits，16m地址空間×4位資料寬度；
ksv884t4a0a——64mbits，8m地址空間×8位資料寬度；
ksv244t4xxx——128mbits，32m地址空間×4位資料寬度；
ksv684t4xxx——128mbits，16m地址空間×8位資料寬度；
ksv864t4xxx——128mbits，8m地址空間×16位資料寬度。
kingmax記憶體的工作速率有四種狀態，是在型號後用短線符號隔開標識記憶體的工作速率：
-7a——pc133/cl=2；
-7——pc133/cl=3；
-8a——pc100/cl=2；
-8——pc100/cl=3。
例如一條kingmax記憶體條，採用16片ksv884t4a0a-7a的記憶體顆粒製造，其容量計算為：64mbits（兆數位）×16片/8=128mb（兆位元組）。
micron（美光）
以mt48lc16m8a2tg-75這個編號來說明美光記憶體的編碼規則。
含義：
mt——micron的廠商名稱。
48——記憶體的型別。48代表sdram；46代表ddr。
lc——供電電壓。lc代表3v；c代表5v；v代表2.5v。
16m8——記憶體顆粒容量為128mbits，計算方法是：16m（地址）×8位資料寬度。
a2——記憶體核心版本號。
tg——封裝方式，tg即tsop封裝。
-75——記憶體工作速率，-75即133mhz；-65即150mhz。
例項：一條micronddr記憶體條，採用18片編號為mt46v32m4-75的顆粒製造。該記憶體支援ecc功能。所以每個bank是奇數片記憶體顆粒。
其容量計算為：容量32m×4bit×16片/8=256mb（兆位元組）。
winbond（華邦）
含義說明：
wxxxxxxxx
12345
1、w代表記憶體顆粒是由winbond生產
2、代表視訊記憶體型別：98為sdram，94為ddrram
3、代表顆粒的版本號：常見的版本號為b和h；
4、代表封裝，h為tsop封裝，b為bga封裝，d為lqfp封裝
5、工作頻率:0：10ns、100mhz；8：8ns、125mhz；z：7.5ns、133mhz；y：6.7ns、150mhz；6：6ns、166mhz；5：5ns、200mhz
mosel（臺灣茂矽）
臺灣茂矽科技是臺灣一家較大的記憶體晶片廠商，對大陸供貨不多，因此我們熟悉度不夠。這顆粒編號為v54c365164vdt45，從編號的6、7為65表示單顆粒為64/8＝8mb，從編號的8、9位16可知單顆粒位寬16bit，從編號的最後3位t45可知顆粒速度為4.5ns
nanya（南亞）、elixir、pqi、pluss、atl、eudar
南亞科技是全球第六大記憶體晶片廠商，也是去年臺灣記憶體晶片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。這顆視訊記憶體編號為nt5sv8m16ct-7k，其中第4位字母“s”表示是sdram視訊記憶體，6、7位8m表示單顆粒容量8m，8、9位16表示單顆粒位寬16bit，-7k表示速度為7ns。
ap、whichip、mr.stone、lei、gold
m.tec（勤茂）、twinmos（勤茂）
v-data（香港威剛）、a-data（臺灣威剛）、vt
記憶體顆粒編號為vdd8608a8a-6bh0327，是6納秒的顆粒，單面8片顆粒共256m容量，0327代表它的生產日期為2003年第27周
a－data
這是a－data的ddr500
samsung記憶體
具體含義解釋：
例：samsungk4h280838b-tcb0
主要含義：
第1位——晶片功能k，代表是記憶體晶片。
第2位——晶片型別4，代表dram。
第3位——晶片的更進一步的型別說明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。
第4、5位——容量和重新整理速率，容量相同的記憶體採用不同的重新整理速率，也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量；28、27、2a代表128mbit的容量；56、55、57、5a代表256mbit的容量；51代表512mbit的容量。
第6、7位——資料線引腳個數，08代表8位資料；16代表16位資料；32代表32位資料；64代表64位資料。
第11位——連線“-”。
第14、15位——晶片的速率，如60為6ns；70為7ns；7b為7.5ns(cl=3)；7c為7.5ns(cl=2)；80為8ns；10為10ns(66mhz)。
知道了記憶體顆粒編碼主要數位的含義，拿到一個記憶體條後就非常容易計算出它的容量。例如一條三星ddr記憶體，使用18片samsungk4h280838b-tcb0顆粒封裝。顆粒編號第4、5位“28”代表該顆粒是128mbits，第6、7位“08”代表該顆粒是8位資料頻寬，這樣我們可以計算出該記憶體條的容量是128mbits（兆數位）×16片/8bits=256mb（兆位元組）。
注：“bit”為“數位”，“b”即位元組“byte”，一個位元組為8位則計算時除以8。關於記憶體容量的計算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ecc記憶體，每8片8位資料寬度的顆粒就可以組成一條記憶體；另一種ecc記憶體，在每64位資料之後，還增加了8位的ecc校驗碼。透過校驗碼，可以檢測出記憶體資料中的兩位錯誤，糾正一位錯誤。所以在實際計算容量的過程中，不計算校驗位，具有ecc功能的18片顆粒的記憶體條實際容量按16乘。在購買時也可以據此判定18片或者9片記憶體顆粒貼片的記憶體條是ecc記憶體。
hynix(hyundai)現代
·“8”是記憶體條晶片結構，代表改記憶體由8顆晶片構成。(4=4顆晶片；8=8顆晶片；16=16顆晶片；32=32顆晶片)
·“2”指記憶體的bank(儲蓄位)。(1=2bank；2=4bank；3=8bank)
·“2”代表介面型別為sstl_2。(1=sstl_3；2=sstl_2；3=sstl_18)
·“b”是核心代號為第3代。(空白=第1代；a=第2代；b=第3代；c=第4代)
·能源消耗，空白代表普通；l代表低功耗型，該記憶體條的能源消耗程式碼為空，因此為普通型。
·封裝型別用“t”表示，即tsop封裝。(t=tsop；q=lofp；f=fbga；fc=fbga)
·封裝堆疊，空白=普通；s=hynix；k=m&t；j=其它；m=mcp(hynix)；mu=mcp(utc)，上述記憶體為空白，代表是普通封裝堆疊。
·封裝原料，空白=普通；p=鉛；h＝鹵素；r=鉛+鹵素。該記憶體為普通封裝材料。
·“d43”表示記憶體的速度為ddr400。(d43=ddr400，3-3-3；d4=ddr400，3-4-4；j=ddr333；m=ddr333，2-2-2；k=ddr266a；h=ddr266b；l=ddr200)
·工作溫度，一般被省略。i=工業常溫(-40～85度)；e=擴充套件溫度(-25～85度)
現代記憶體的含義：
hy5dv641622at-36
hyxxxxxxxxxxxxxxxx
123456789101112
1、hy代表是現代的產品
2、記憶體晶片型別：(57=sdram，5d=ddrsdram)；
3、處理工藝及工作電壓：(空白=5v；v：vdd=3.3v&vddq=2.5v；u：vdd=2.5v&vddq=2.5v；w：vdd=2.5v&vddq=1.8v；s：vdd=1.8v&vddq=1.8v)
4、晶片容量密度和重新整理速率：16=16mbits、4kref；64：64m4k重新整理；64=64mbits、8kref；65=64mbits、4kref；66：64m2k重新整理；28：128m4k重新整理；128=128mbits、8kref；129=128mbits、4kref；56：256m8k重新整理；57：256m4k重新整理；256=256mbits、16kref；257=256mbits、8kref；12：512m8k重新整理；1g：1g8k重新整理
5、代表晶片輸出的資料位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位
6、bank數量：1、2、3分別代表2個、4個和8個bank，是2的冪次關係
7、i/o介面：1:sstl_3、2:sstl_2
8、晶片核心版本：可以為空白或a、b、c、d等字母，越往後代表核心越新
9、代表功耗：l=低功耗晶片，空白=普通晶片
10、記憶體晶片封裝形式：jc=400milsoj，tc=400miltsop-ⅱ，td=13mmtsop-ⅱ，tg=16mmtsop-ⅱ
11、工作速度：55:183mhz、5:200mhz、45:222mhz、43:233mhz、4:250mhz、33:300nhz、l:ddr200、h:ddr266b、k:ddr266a
現代的mbga封裝的顆粒
infineon（英飛凌）
infineon是德國西門子的一個分公司，目前國內市場上西門子的子公司infineon生產的記憶體顆粒只有兩種容量：容量為128mbits的顆粒和容量為256mbits的顆粒。編號中詳細列出了其記憶體的容量、資料寬度。infineon的記憶體佇列組織管理模式都是每個顆粒由4個bank組成。所以其記憶體顆粒型號比較少，辨別也是最容易的。
hyb39s128400即128mb/4bits，“128”標識的是該顆粒的容量，後三位標識的是該記憶體資料寬度。其它也是如此，如：hyb39s128800即128mb/8bits；hyb39s128160即128mb/16bits；hyb39s256800即256mb/8bits。
infineon記憶體顆粒工作速率的表示方法是在其型號最後加一短線，然後標上工作速率。
-7.5——表示該記憶體的工作頻率是133mhz；
-8——表示該記憶體的工作頻率是100mhz。
例如：
1條kingston的記憶體條，採用16片infineon的hyb39s128400-7.5的記憶體顆粒生產。其容量計算為：128mbits（兆數位）×16片/8=256mb（兆位元組）。
1條ramaxel的記憶體條，採用8片infineon的hyb39s128800-7.5的記憶體顆粒生產。其容量計算為：128mbits（兆數位）×8片/8=128mb（兆位元組）。
kingmax、kti
kingmax記憶體的說明
kingmax記憶體都是採用tinybga封裝（tinyballgridarray）。並且該封裝模式是專利產品，所以我們看到採用kingmax顆粒製作的記憶體條全是該廠自己生產。kingmax記憶體顆粒有兩種容量：64mbits和128mbits。在此可以將每種容量系列的記憶體顆粒型號列表出來。
容量備註：
ksva44t4a0a——64mbits，16m地址空間×4位資料寬度；
ksv884t4a0a——64mbits，8m地址空間×8位資料寬度；
ksv244t4xxx——128mbits，32m地址空間×4位資料寬度；
ksv684t4xxx——128mbits，16m地址空間×8位資料寬度；
ksv864t4xxx——128mbits，8m地址空間×16位資料寬度。
kingmax記憶體的工作速率有四種狀態，是在型號後用短線符號隔開標識記憶體的工作速率：
-7a——pc133/cl=2；
-7——pc133/cl=3；
-8a——pc100/cl=2；
-8——pc100/cl=3。
例如一條kingmax記憶體條，採用16片ksv884t4a0a-7a的記憶體顆粒製造，其容量計算為：64mbits（兆數位）×16片/8=128mb（兆位元組）。
micron（美光）
以mt48lc16m8a2tg-75這個編號來說明美光記憶體的編碼規則。
含義：
mt——micron的廠商名稱。
48——記憶體的型別。48代表sdram；46代表ddr。
lc——供電電壓。lc代表3v；c代表5v；v代表2.5v。
16m8——記憶體顆粒容量為128mbits，計算方法是：16m（地址）×8位資料寬度。
a2——記憶體核心版本號。
tg——封裝方式，tg即tsop封裝。
-75——記憶體工作速率，-75即133mhz；-65即150mhz。
例項：一條micronddr記憶體條，採用18片編號為mt46v32m4-75的顆粒製造。該記憶體支援ecc功能。所以每個bank是奇數片記憶體顆粒。
其容量計算為：容量32m×4bit×16片/8=256mb（兆位元組）。
winbond（華邦）
含義說明：
wxxxxxxxx
12345
1、w代表記憶體顆粒是由winbond生產
2、代表視訊記憶體型別：98為sdram，94為ddrram
3、代表顆粒的版本號：常見的版本號為b和h；
4、代表封裝，h為tsop封裝，b為bga封裝，d為lqfp封裝
5、工作頻率:0：10ns、100mhz；8：8ns、125mhz；z：7.5ns、133mhz；y：6.7ns、150mhz；6：6ns、166mhz；5：5ns、200mhz
mosel（臺灣茂矽）
臺灣茂矽科技是臺灣一家較大的記憶體晶片廠商，對大陸供貨不多，因此我們熟悉度不夠。這顆粒編號為v54c365164vdt45，從編號的6、7為65表示單顆粒為64/8＝8mb，從編號的8、9位16可知單顆粒位寬16bit，從編號的最後3位t45可知顆粒速度為4.5ns
nanya（南亞）、elixir、pqi、pluss、atl、eudar
南亞科技是全球第六大記憶體晶片廠商，也是去年臺灣記憶體晶片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。這顆視訊記憶體編號為nt5sv8m16ct-7k，其中第4位字母“s”表示是sdram視訊記憶體，6、7位8m表示單顆粒容量8m，8、9位16表示單顆粒位寬16bit，-7k表示速度為7ns。
ap、whichip、mr.stone、lei、gold
m.tec（勤茂）、twinmos（勤茂）
v-data（香港威剛）、a-data（臺灣威剛）、vt
記憶體顆粒編號為vdd8608a8a-6bh0327，是6納秒的顆粒，單面8片顆粒共256m容量，0327代表它的生產日期為2003年第27周
a－data
這是a－data的ddr500