MOS管和三極體不同，是可以反向導通的

MOS管有三個腳，柵極(G)、漏極(D)和源極(S)。其中柵極(G)為導通的控制引腳。MOS分為N溝道和P溝道兩種。MOS管導通時，電流可以從漏極(D)流向源極(S)，電流也可以從源極(S)流向漏極(D)。

MOS管導通分析

在增強型MOS中，漏極(D)和源極(S)之間會有一個背靠著的PN接面，柵極(G)沒有施加電壓時，總會有一個PN接面反偏，導通不了。當在柵極(G)施加電壓後，柵極(G)和矽襯底之間的SiO2絕緣層中就會產生一個柵極(G)指向矽襯底的電場。氧化物層兩邊形成一個電容，門極電壓等於對電容充電，受電壓吸引，電容另一邊聚集大量電子，形成導電溝道，MOS管開始導通，電流可以從漏極(D)流向源極(S)，也可以從源極(S)流向漏極(D)。

MOS管正、反向導通應用

充電寶大家都用過了吧？有一種充電寶只有一個介面，充電和放電共用這個介面，它會自識別插入的是充電器還是手機，接上充電器時，自動對充電寶進行充電；接上手機時，自動切換為放電，對手機進行充電。這種設計就需要用到MOS的雙向導通特性了，充電時，電流從MOS的源極(S)流向漏極(D)，放電時，電流從漏極(D)流向源極(S)。

MOS管驅動電路

MOS是電壓驅動型器件，驅動電壓滿足它的門極開啟電壓（Vgs）就可以讓它導通。

N溝道MOS管：DR為高電平時導通

P溝道MOS管：DR為低電平時導通

在設計MOS驅動電路時，一定要注意它的門極開啟電壓（Vgs)。如果門極驅動電壓不足，會導致MOS導通不完全，內阻增大，發熱量增加。

MOS管的Ｄ、Ｓ極之間存在寄生二極體，被稱為體二極體。

從MOS管的結構示意也可以看出寄生二極體的存在，如下圖：

寄生二極體是由生產工藝造成的，ＭOS管的漏極從矽片底片引出，從而產生了寄生的二極體。

寄生二極體可以起到以下兩個作用：

１、防止VDD過壓的情況下，燒壞MOS管，因為在過壓對MOS管造成破壞之前，二極體先反向擊穿，將大電流直接到地，從而避免MOS管被燒壞。

2、防止管子的源極和漏極反接時燒壞MOS管，也可以在電路有反向感生電壓時，為反向感生電壓提供通路，避免反向感生電壓擊穿MOS管。

綜上，功率型MOS管由於生產工藝的原因，其內部存在寄生二極體，也稱體二極體，當將反向電壓作用於D、S極時，其寄生二極體會反向導通。在MOS管開關瞬間時，比如採用MOS管實現的橋式驅動電路中，寄生二極體可用導通反向電流，避免反向高壓擊穿MOS管。

MOS管是常用的電子元器件，經常被用作功率開關來使用，如用在可控整流電路中、用作控制直流負載迴路的通斷等。MOS管因為工藝的原因，會存在寄生/體二極體，所以會存在雙向導通的問題。

1 MOS管的導通方向

MOS可以分為NMOS和PMOS。兩者在使用的時候，其電流方向是不一樣的。NMOS寄生二極體的正極在S源極上，負極在漏極D上，當作開關使用時電流ID的方向由漏極D指向源極S。而PMOS寄生二極體的正極在漏極D上，負極在源極S上，當作開關使用時電流由源極S指向漏極D。

上圖是NMOS和PMOS的電路符號和電流的方向，MOS在直流電路中應用的時候一定要注意電流的方向。電流方向與寄生二極體的方向是相反的。

2 MOS管的寄生二極體

MOS管在製造時，因為工藝的原因，存在寄生二極體，也叫做體二極體。以NMOS為例介紹，NMOS由一塊P型半導體和兩塊N型半導體構成。我們知道二極體是由PN接面構成的，一個PN接面就是一個二極體。NMOS中，有兩個PN接面，所以存在兩個二極體，即體二極體，只不過其中一個在NMOS導通後被短路掉，最後只剩下一個。NMOS的半導體結構如下圖所示。

3 MOS管反向導通的應用

電源防反接電路可以透過二極體/整流橋來實現，但是會帶來電壓降，對於低壓而言不適用。MOS管也可以用作電源的防反接。下面以PMOS防反接為例來講解。PMOS防反接電路示意圖如下圖所示。

電源反接時，G為高電平，UGS>0，所以PMOS不導通；

電源正接時，G為低電平，由於寄生二極體的存在，所以S的電平是V-0.7，所以UGS<0，電路導通，正常工作。

使用NMOS也可以實現電源防反接。在使用時必須要注意：PMOS要放在高邊；NMOS要放在低邊。