最近三星電子在DRAM和儲存領域瘋狂的刷存在感，從MWC 2019展會發布eUFS 3.0儲存晶片，到eMRAM儲存器，再到高容量LPDDR4x記憶體。而現在三星再次更新記憶體技術，在NVIDIA的GTC大會上專門為資料中心、GPU等高效能計算帶來了更新的HBM2E記憶體。這款晶片是業界首款符合HBM2E規範的產品。
在效能上， 這款產品將傳輸速率從2.4Gbps提升到3.2Gbps，提升幅度達到33%。同時每晶片的容量提升了兩倍，達到16Gb。而HBM產品一般透過TSVs（矽穿孔技術）進行多層堆疊，所以透過這個技術進行8-Hi堆疊，可以讓HBM2E記憶體容量達到16GB。同時採用1024位寬的匯流排可以讓HBM2e記憶體的頻寬高達410GB/s。相比前代產品有了大幅度提升。
三星將這款產品定位於下一代資料中心、超級計算機以及人工智慧/機器學習應用。事實上，三星的上一代HBM2晶片在規格上就已經超過了HBM2規範，最高頻寬達到了307.2GB/s，同時容量最大為8GB，而工作電壓僅為1.2v。而實際上的HBM2規範為最高256GB/s的頻寬和4GB的最大容量，同時工作電壓為1.35v。而這次三星再次提高HBM記憶體的效能，但遺憾的是，這次三星並沒有公佈這款晶片的工作電壓。
HBM記憶體在功耗和效能上相比於常見的GDDR5或GDDR6晶片都更有優勢，同時採用TSV技術，並與GPU等封裝在一起，所以佔用更小的面積。但是由於成本原因，這些HBM晶片通常只有高階產品才會配有，如AMD的Radeon VII、NVIDIA的GV100或Intel的FPGA。但作為一款全新的產品，目前並沒有產品宣佈使用這款晶片。雖然三星官方目前已經公佈了這款產品，但是並沒有宣佈量產。相信這款產品離量產不會太久。
最近三星電子在DRAM和儲存領域瘋狂的刷存在感，從MWC 2019展會發布eUFS 3.0儲存晶片，到eMRAM儲存器，再到高容量LPDDR4x記憶體。而現在三星再次更新記憶體技術，在NVIDIA的GTC大會上專門為資料中心、GPU等高效能計算帶來了更新的HBM2E記憶體。這款晶片是業界首款符合HBM2E規範的產品。
在效能上， 這款產品將傳輸速率從2.4Gbps提升到3.2Gbps，提升幅度達到33%。同時每晶片的容量提升了兩倍，達到16Gb。而HBM產品一般透過TSVs（矽穿孔技術）進行多層堆疊，所以透過這個技術進行8-Hi堆疊，可以讓HBM2E記憶體容量達到16GB。同時採用1024位寬的匯流排可以讓HBM2e記憶體的頻寬高達410GB/s。相比前代產品有了大幅度提升。
三星將這款產品定位於下一代資料中心、超級計算機以及人工智慧/機器學習應用。事實上，三星的上一代HBM2晶片在規格上就已經超過了HBM2規範，最高頻寬達到了307.2GB/s，同時容量最大為8GB，而工作電壓僅為1.2v。而實際上的HBM2規範為最高256GB/s的頻寬和4GB的最大容量，同時工作電壓為1.35v。而這次三星再次提高HBM記憶體的效能，但遺憾的是，這次三星並沒有公佈這款晶片的工作電壓。
HBM記憶體在功耗和效能上相比於常見的GDDR5或GDDR6晶片都更有優勢，同時採用TSV技術，並與GPU等封裝在一起，所以佔用更小的面積。但是由於成本原因，這些HBM晶片通常只有高階產品才會配有，如AMD的Radeon VII、NVIDIA的GV100或Intel的FPGA。但作為一款全新的產品，目前並沒有產品宣佈使用這款晶片。雖然三星官方目前已經公佈了這款產品，但是並沒有宣佈量產。相信這款產品離量產不會太久。