不論是結型場效電晶體還是MOS場效電晶體，它們的柵源兩極之間所允許加的最高電壓是有限的，若超過最高允許電壓，管子的柵源兩極將被擊穿損壞，故場效電晶體在驅動電壓過高時，一般在管子的柵源兩極之間接一個穩壓管作為保護元件，電路如下圖所示。▲ 場效電晶體柵源兩極的保護電路。

場效電晶體工作於開關狀態時，若柵極驅動電壓的幅度過大，為了避免柵源兩極被擊穿損壞，一般可以在柵源兩極之間接一個穩壓管來保護柵源兩極免受擊穿，電路如上圖所示。當輸入端的驅動電壓幅度過高時，穩壓管VD被擊穿，此時加在場效電晶體VT柵源兩極之間的電壓被鉗位在VD的穩壓值附近，這樣便保護了柵源兩極不會被擊穿損壞。▲ TO-220封裝的IRF540場效電晶體。

這個用於保護的穩壓管在選用時，要求其穩壓值要小於場效電晶體柵源兩極的最大允許電壓。譬如上圖中常用的大功率MOS場效電晶體IRF540的柵源兩極最高允許電壓為±20V，當該管作為開關管時，柵源電壓≥10V足可以使管子充分飽和導通，過高的驅動電壓反而容易損壞管子，故此時選用穩壓值為12~15V的穩壓管即可。對於其他的場效電晶體，可以查一下其柵源兩極最高允許電壓為多少，然後再確定穩壓管的穩壓值。

順便說一下，若場效電晶體用於高速開關電路中，由於穩壓管的PN接面電容較大，加入穩壓管作為保護元件，可能會影響場效電晶體的開關速度。