題主的問題應該是：為什麼N溝道場效電晶體的Ugs為什麼必須是正電壓。

N溝道MOS管由一個P型襯底和兩個高濃度的N型區組成的，即有兩個PN接面。兩個N型區分別作為漏極(D)和源極(S)，在半導體表面的二氧化矽絕緣層上引出一個電極作為柵極(G)。

1. Vgs = 0 時

在Vgs = 0時，漏極和源極之間的兩個PN接面相當於兩個二極體，且這個兩個二極體背對背的連線在一起，即使在漏極D和源極S之間加上電壓也不可能形成電流。如下圖所示：

2. Vgs > 0時

Vsg>0時，在二氧化矽絕緣層上會產生一個垂直於絕緣層表面的垂直電場，這個電場會排斥P型半導體區帶正電荷的空穴，而吸引帶負電荷的電子，從而出現載流子運載電荷形成了電流。如下圖所示：

3. Vgs > Vth時

隨著Vgs的電壓繼續增大，帶正電荷的電子被吸附到P區形成導電溝道，使S和D極連線在一起就形成了一個大的N型半導體，所以在DS之間加上正電壓之後，電流可以在N型半導體中流動。

這裡的Vth叫做開啟電壓，當NMOS管的Vgs > Vth後，NMOS管就導通。這也就是為什麼MOS管是電壓型的控制器件。

關於UGS加正或負電壓控制的話題不再贅述，與溝道的型別有關，具體參考一些資料即可，很簡單，這裡僅談一下UDS是否必須為正電壓！

不需要，正反都可以，滿足VGS開啟電壓即可，只不過教材上是以正電壓來講解的，比如，模擬開關就是利於JFET原理製作而成的，可以用來控制交流電壓，也就是正負電壓都可以。