SDR和DDR有什麼區別 傳統的SDRSDRAM只能在訊號的上升沿進行資料傳輸，而DDRSDRAM卻可以在訊號的上升沿和下降沿都進行資料傳輸，所以DDR記憶體在每個時鐘週期都可以完成兩倍於SDRAM的資料傳輸量，這也是DDR的意義——DoubleDataRate，雙倍資料速率。舉例來說，DDR266標準的DDRSDRAM能提供2.1GB/s的記憶體頻寬，而傳統的PC133SDRAM卻只能提供1.06GB/s的記憶體頻寬。 一般的記憶體條會註明CL值，此數值越低表明記憶體的資料讀取週期越短，效能也就越好，DDRSDRAM的CL常見值一般為2和2.5兩種。 DDR DDR是雙倍資料速率(DoubleDataRate)。DDR與普通同步動態隨機儲存器（DRAM）非常相象。普通同步DRAM（現在被稱為SDR）與標準DRAM有所不同。 標準的DRAM接收的地址命令由二個地址字組成。為接省輸入管腳，採用了多路傳輸的方案。第一地址字由原始地址選通（RAS）鎖存在DRAM晶片。緊隨RAS命令之後，列地址選通（CAS）鎖存第二地址字。經過RAS和CAS，儲存的資料可以被讀取。 同步動態隨機儲存器（SDRDRAM)由一個標準DRAM和時鐘組成，RAS、CAS、資料有效均在時鐘脈衝的上升邊沿被啟動。根據時鐘指示，可以預測資料和剩餘指令的位置。因而，資料鎖存選通可以精確定位。由於資料有效視窗的可預計性，所以可將儲存器劃分成4個區進行內部單元的預充電和預獲取。透過脈衝串模式，可進行連續地址獲取而不必重複RAS選通。連續CAS選通可對來自相同源的資料進行再現。 DDR儲存器與SDR儲存器工作原理基本相同，只不過DDR在時鐘脈衝的上升和下降沿均讀取資料。新一代DDR儲存器的工作頻率和資料速率分別為200MHz和266MHz，與此對應的時鐘頻率為100MHz和133MHz。 SDR DRAM是動態儲存器(DynamicRAM)的縮寫SDRAM是英文SynchronousDRAM的縮寫，譯成中文就是同步動態儲存器的意思。從技術角度上講，同步動態儲存器(SDRAM)是在現有的標準動態儲存器中加入同步控制邏輯(一個狀態機)，利用一個單一的系統時鐘同步所有的地址資料和控制訊號。使用SDRAM不但能提高系統表現，還能簡化設計、提供高速的資料傳輸。在功能上，它類似常規的DRAM，且也需時鐘進行重新整理。可以說，SDRAM是一種改善了結構的增強型DRAM。目前的SDRAM有10ns和8ns。
SDR和DDR有什麼區別 傳統的SDRSDRAM只能在訊號的上升沿進行資料傳輸，而DDRSDRAM卻可以在訊號的上升沿和下降沿都進行資料傳輸，所以DDR記憶體在每個時鐘週期都可以完成兩倍於SDRAM的資料傳輸量，這也是DDR的意義——DoubleDataRate，雙倍資料速率。舉例來說，DDR266標準的DDRSDRAM能提供2.1GB/s的記憶體頻寬，而傳統的PC133SDRAM卻只能提供1.06GB/s的記憶體頻寬。 一般的記憶體條會註明CL值，此數值越低表明記憶體的資料讀取週期越短，效能也就越好，DDRSDRAM的CL常見值一般為2和2.5兩種。 DDR DDR是雙倍資料速率(DoubleDataRate)。DDR與普通同步動態隨機儲存器（DRAM）非常相象。普通同步DRAM（現在被稱為SDR）與標準DRAM有所不同。 標準的DRAM接收的地址命令由二個地址字組成。為接省輸入管腳，採用了多路傳輸的方案。第一地址字由原始地址選通（RAS）鎖存在DRAM晶片。緊隨RAS命令之後，列地址選通（CAS）鎖存第二地址字。經過RAS和CAS，儲存的資料可以被讀取。 同步動態隨機儲存器（SDRDRAM)由一個標準DRAM和時鐘組成，RAS、CAS、資料有效均在時鐘脈衝的上升邊沿被啟動。根據時鐘指示，可以預測資料和剩餘指令的位置。因而，資料鎖存選通可以精確定位。由於資料有效視窗的可預計性，所以可將儲存器劃分成4個區進行內部單元的預充電和預獲取。透過脈衝串模式，可進行連續地址獲取而不必重複RAS選通。連續CAS選通可對來自相同源的資料進行再現。 DDR儲存器與SDR儲存器工作原理基本相同，只不過DDR在時鐘脈衝的上升和下降沿均讀取資料。新一代DDR儲存器的工作頻率和資料速率分別為200MHz和266MHz，與此對應的時鐘頻率為100MHz和133MHz。 SDR DRAM是動態儲存器(DynamicRAM)的縮寫SDRAM是英文SynchronousDRAM的縮寫，譯成中文就是同步動態儲存器的意思。從技術角度上講，同步動態儲存器(SDRAM)是在現有的標準動態儲存器中加入同步控制邏輯(一個狀態機)，利用一個單一的系統時鐘同步所有的地址資料和控制訊號。使用SDRAM不但能提高系統表現，還能簡化設計、提供高速的資料傳輸。在功能上，它類似常規的DRAM，且也需時鐘進行重新整理。可以說，SDRAM是一種改善了結構的增強型DRAM。目前的SDRAM有10ns和8ns。