詳細講就太複雜了，現在做一個晶片得幾百上千道工序。
簡單講就是這樣的：首先想象一條線，初中數學和物理告訴我們線沒有寬度，實際上這是不可能的！按人類現在的水平，一條線的寬度至少也是一個原子的直徑。那麼怎樣才能畫出一條很細很細細到與原子直徑一個量級的線呢？答案就是使用光束。
製造晶片必不可少的一個東西就是掩模版，它是一個玻璃基板，透過電子束等手段在上面畫出高精度的電路圖形。光束透過掩模版就能把電路圖形的陰影轉移到另一塊板子上，而且中間還會經過一塊凸透鏡，聚焦光束，起到把圖象縮小的作用。可能需要經過多級縮小。另一個必不可少的東西是光刻膠，光刻膠經過光照之後可能“變硬（不被化學試劑刻蝕）”或者“變軟（會被化學試劑刻蝕）”。
這樣，首先在矽片上塗一層光刻膠，然後把矽片放在掩模版下面，再用光束照射掩模版。經過一段時間的曝光，被照射的光刻膠區域發生變化，然後用化學試劑刻蝕，就在矽片上留下了想要的圖形。這個過程俗稱“光刻”。最後，再對矽片進行摻雜，也就是加入三族（硼）或者五族（磷）元素，形成相應的P型或者N型電晶體。如果矽片上面還殘留了光刻膠，那麼光刻膠就會阻擋摻雜元素進入下面的矽片，保護矽片不被摻雜；對於那些光刻膠被刻蝕的區域，摻雜元素就進入矽片，形成晶體管了。早期的摻雜手段是化學氣相沉澱，現在都是用離子注入機直接發射高速離子轟擊矽片，直接“撞”進矽片。電晶體是積體電路的基石，有了電晶體就能搭建成任何想要的電路。經過多次光刻後，一塊矽片上就形成了想要的圖形，也就是密密麻麻的電晶體組成的電路。
再說一下光束種類的重要性。根據波長=光速/頻率，頻率越高，光的波長越短。按高中物理的知識，波長越短的光，就越能直接穿過狹小的縫隙而不發生衍射。因此電晶體尺寸的縮小、線條的變細，離不開高頻的光束。所以在7nm工藝之後，為什麼都講極紫外光（EUV），因為極紫外光的波長是10-14nm，目前只有它才能刻出這麼細的線條（PS: IC製程節點的几几nm指的是電晶體溝道的寬度，溝道寬度越短越好，越短電晶體效能就越好，而且溝道是不摻雜的區域，需要光刻膠保護，所以電晶體效能的好壞，就取決於你能畫多細的一條線）。最早的製程節點是10微米，然後逐步發展到今天的7奈米。發展速度之快是人類所有產業中前所未有的，只能說摩爾定律牛逼！
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關於摩爾定律的終結：一條線不可能無限變細，所以摩爾定律必有終結的一天，只不過被無數科學家和工程師的努力拖延到今天還沒結束。理論上，極限寬度是3nm，而一個矽原子的直徑是0.5nm。按3年縮一半的速度，不出5年就到頭了（英特爾擠牙膏的日子越來越少了(￣▽￣)"）。
關於幾十上百億電晶體：你可能覺得這很神奇（其實真的很神奇，要知道摩爾等人做的第一個積體電路才6個電晶體，不到五十年時間翻了幾億、幾十億倍(￣_￣|||)），其實如果瞭解版圖的話，你就知道刻幾條線就可能出來了成千上萬個電晶體。而且CPU超過60%的面積都是cache，這些都是很簡單的重複單元，隨便幾條線就出來很多。GPU就更不用說了，都是幾百上千個重複的小核心。而且現在製造處理器的一個很大挑戰是金屬導線的連線，電路越來越複雜，連線線也就越來越多。以前一個晶片只有兩三層金屬，現在都十幾二十層了。反倒是製造電晶體容易多了。
(a)圖是一個SRAM(cache)的常見版圖，裡面有6個電晶體，這6個電晶體能存1bit資訊，也就是一個0或者1；(b)圖是四個(a)的複製，想象一下把它拉長拉高，是不是幾根線條就造出了很多電晶體？
這是最新的Intel Xeon Platinum 8180處理器的版圖。
這是上一張圖片的分解，可以看到有28個核心，2個記憶體控制器，6個DDR通道，3條UPI匯流排，48個PCI-E通道，4條DMI3匯流排。
詳細講就太複雜了，現在做一個晶片得幾百上千道工序。
簡單講就是這樣的：首先想象一條線，初中數學和物理告訴我們線沒有寬度，實際上這是不可能的！按人類現在的水平，一條線的寬度至少也是一個原子的直徑。那麼怎樣才能畫出一條很細很細細到與原子直徑一個量級的線呢？答案就是使用光束。
製造晶片必不可少的一個東西就是掩模版，它是一個玻璃基板，透過電子束等手段在上面畫出高精度的電路圖形。光束透過掩模版就能把電路圖形的陰影轉移到另一塊板子上，而且中間還會經過一塊凸透鏡，聚焦光束，起到把圖象縮小的作用。可能需要經過多級縮小。另一個必不可少的東西是光刻膠，光刻膠經過光照之後可能“變硬（不被化學試劑刻蝕）”或者“變軟（會被化學試劑刻蝕）”。
這樣，首先在矽片上塗一層光刻膠，然後把矽片放在掩模版下面，再用光束照射掩模版。經過一段時間的曝光，被照射的光刻膠區域發生變化，然後用化學試劑刻蝕，就在矽片上留下了想要的圖形。這個過程俗稱“光刻”。最後，再對矽片進行摻雜，也就是加入三族（硼）或者五族（磷）元素，形成相應的P型或者N型電晶體。如果矽片上面還殘留了光刻膠，那麼光刻膠就會阻擋摻雜元素進入下面的矽片，保護矽片不被摻雜；對於那些光刻膠被刻蝕的區域，摻雜元素就進入矽片，形成晶體管了。早期的摻雜手段是化學氣相沉澱，現在都是用離子注入機直接發射高速離子轟擊矽片，直接“撞”進矽片。電晶體是積體電路的基石，有了電晶體就能搭建成任何想要的電路。經過多次光刻後，一塊矽片上就形成了想要的圖形，也就是密密麻麻的電晶體組成的電路。
再說一下光束種類的重要性。根據波長=光速/頻率，頻率越高，光的波長越短。按高中物理的知識，波長越短的光，就越能直接穿過狹小的縫隙而不發生衍射。因此電晶體尺寸的縮小、線條的變細，離不開高頻的光束。所以在7nm工藝之後，為什麼都講極紫外光（EUV），因為極紫外光的波長是10-14nm，目前只有它才能刻出這麼細的線條（PS: IC製程節點的几几nm指的是電晶體溝道的寬度，溝道寬度越短越好，越短電晶體效能就越好，而且溝道是不摻雜的區域，需要光刻膠保護，所以電晶體效能的好壞，就取決於你能畫多細的一條線）。最早的製程節點是10微米，然後逐步發展到今天的7奈米。發展速度之快是人類所有產業中前所未有的，只能說摩爾定律牛逼！
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關於摩爾定律的終結：一條線不可能無限變細，所以摩爾定律必有終結的一天，只不過被無數科學家和工程師的努力拖延到今天還沒結束。理論上，極限寬度是3nm，而一個矽原子的直徑是0.5nm。按3年縮一半的速度，不出5年就到頭了（英特爾擠牙膏的日子越來越少了(￣▽￣)"）。
關於幾十上百億電晶體：你可能覺得這很神奇（其實真的很神奇，要知道摩爾等人做的第一個積體電路才6個電晶體，不到五十年時間翻了幾億、幾十億倍(￣_￣|||)），其實如果瞭解版圖的話，你就知道刻幾條線就可能出來了成千上萬個電晶體。而且CPU超過60%的面積都是cache，這些都是很簡單的重複單元，隨便幾條線就出來很多。GPU就更不用說了，都是幾百上千個重複的小核心。而且現在製造處理器的一個很大挑戰是金屬導線的連線，電路越來越複雜，連線線也就越來越多。以前一個晶片只有兩三層金屬，現在都十幾二十層了。反倒是製造電晶體容易多了。
(a)圖是一個SRAM(cache)的常見版圖，裡面有6個電晶體，這6個電晶體能存1bit資訊，也就是一個0或者1；(b)圖是四個(a)的複製，想象一下把它拉長拉高，是不是幾根線條就造出了很多電晶體？
這是最新的Intel Xeon Platinum 8180處理器的版圖。
這是上一張圖片的分解，可以看到有28個核心，2個記憶體控制器，6個DDR通道，3條UPI匯流排，48個PCI-E通道，4條DMI3匯流排。