拋光粉化學機械拋光

拋光粉拋光是為了使材料表面達到平整化的方式。傳統的材料平面化技術較多，如熱流法、回蝕法、旋轉式玻璃法、電子環繞共振法、低壓CVD、選擇澱積、澱積一腐蝕一澱積、等離子增強CVD等，這些技術材料平面化工藝發展中都曾被應用，由於這些技術都屬於材料的區域性平面化技術，為了能達到全域性平面化，使用拋光粉做化學機械拋光技術逐步開始發展。

在上世紀的60年代起，使用拋興粉化學機械拋光技術應用於矽襯底片的平坦化，從80年代末期開始，CMP大規模用於積體電路的ULSI拋光，目前的CMP不僅能保證超高平坦化要求，還能減少表面去除量，現在CMP研究的熱門是關於超薄膜的去除和平坦化。從CMP裝置的發展來看，最初的CMP機臺是單頭工作的，且效率較低、自動化程度較差，目前的CMP臺己有多個機頭，可保證拋光的效率，近期日本的一些公司還研發了線性拋光機臺。

使用拋光粉做化學機械拋光是一種兼顧化學拋光和機械拋光二者優點的一種坦化工藝技術[m-19}CMP過程可簡單歸結為:在拋光墊和拋光粉的作用下，首先由於拋光粉的化學作用使材料表面薄層部分被軟化，隨後在拋光粉、拋光墊的機械作用下將其去除，從而實現工件表面的高速平坦化。整個過程涉及拋光機臺和拋光消耗品，主要消耗品包括拋光粉和拋光墊，大約佔據CMP總成本的60% o CMP機理與拋光粉中的化學分密切相關，拋光材料影響著CMP拋光速率和表面缺陷。