微星785G-E45在主機板上做的是個顯示卡超頻開關。要超頻CPU需要在主機板BIOS裡進行設定。具體的設定方法：一、BIOS主選單
1、StandardCMOSFeatures標準CMOS屬性8、CellMenu核心選單
2、AdvancedBIOSFeatures高階BIOS屬性9、M-Flash隨身碟重新整理BIOS
3、IntegratedPeripherals整合周邊裝置10、UserSettings使用者設定項
4、PowerManagement電源管理11、LoadFail-SafeDefaults載入安全預設值
5、H/WMonitor硬體監測12、LoadOptimizedDefaults載入最佳化值
6、GreenPower綠色節能13、Save&ExitSetup儲存設定並退出
7、BIOSSettingPassword開機密碼設定14、ExitWithoutSaving退出而不儲存
進入CellMenu核心選單設定
二、CellMenu核心選單設定
1、CPU相關設定
CPU相關設定有9項
1-1、CPUSpecifications：這是檢視CPU的規格和引數，也可以隨時按F4檢視。
1-2、ANDCool`n`Quiet：AMDCPU的節能技術，也叫“涼又靜”。依據CPU負載改變CPU的倍頻和電壓。當CPU空閒時，核心電壓降到最低，倍頻也降到最低。如果主機板有微星的APS功能，請開啟這個選項。該選項的設定是Enabled和Disabled。
1-3、AdjustCPUFSBFrequency（MHz）：調整CPU的前端匯流排頻率。預設的頻率是CPU的標準FSB頻率，使用者可以自己調整，就是超頻。在這裡直接鍵入頻率數值，比如220。
1-4、AdjustCPURatio：調整CPU的倍頻。AMD的CPU一般是鎖定最高倍頻的，只能降低倍頻。有個別不鎖倍頻的CPU才可以調整到更高的倍頻。該項的預設設定是Auto。敲回車，彈出倍頻列表，使用者可以從中選擇希望的倍頻。
1-5、AdjustCPU-NBRatio：調整CPU內北橋（記憶體控制器）的倍率。AMDCPU整合了記憶體控制器，這個選項可以調整記憶體控制器的倍率。調整這個倍率要與記憶體頻率設定相互配合，一般需要多次調整，才能達到最佳效果，如果設定不正確，可能引起藍色畫面宕機。
1-6、ECFirmware：EC韌體設定。這是AMDSB710晶片組新開的一個設定項，用於開啟被AMD關閉核心（有部分是不能正常運作的）。這項的預設設定是Normal。敲回車，彈出選項選單供使用者選擇。
Normal是普通模式，就是不開啟關閉的核心。Special是特殊模式，開啟被關閉的核心。注意這個選項要配合下面的AdvancedClockCalibration設定。
1-7、AdvancedClockCalibration：高階時鐘校準。這是SB750開始有的有的功能。用於校準CPU的時鐘頻率，同時支援AMD的CPU超頻軟體AMDOverDrive。SB710繼承了這項功能，還可以配合ECFirmware開啟關閉的核心。預設設定是Disabled。敲回車彈出選項選單：
Auto是自動模式。想開啟關閉的核心，請設定為Auto。
AllCores是對所有核心都進行相同的高階時鐘校準。選擇了AllCore後，選單會多出一個選項。
就是要求選擇校準的百分比。在Value上敲回車會彈出百分比選擇選單。
PerCore可以對每個核心單獨設定時鐘校準百分比。選擇PerCore後，選單會多出一個選項：
也是要求選擇校準的百分比。在每一個Value敲回車都會彈出百分比選擇選單。
請注意，Value的個數與CPU的核心數相匹配，比如2核的就有2個Value選項。
1-8、AutoOverClockTechnology：微星獨有的一種自動超頻技術，預設是Disabled，可以設定為MaxFSB。就是系統自動偵測CPU可能超頻的最大FSB值。設定該項後，系統可能重複啟動多次，最後找到最大FSB啟動。由於FSB涉及記憶體的頻率，可能會因為記憶體緣故而出現在最大FSB情況下，不能進系統，或者藍色畫面宕機。
1-9、MultistepOCBooster：這是微星獨有的超頻輔助技術，當CPU因超頻較高，不能啟動時，可以利用這個選項。它的作用是先以較低的頻率啟動進系統，然後再恢復原來頻率。
該選項預設是Disabled，有Mode1和Mode2選項。Mode1是以低於原頻率90%的頻率啟動。Mode2是以低於原頻率80%的頻率啟動。
2、記憶體相關設定
記憶體設定有3項：
2-1、MEMORY-Z：這是檢視記憶體的SPD引數。也可以隨時按F5檢視
插2條記憶體，彈出2條記憶體的SPD資訊，如果插4條，就會有4條SPD資訊。回車就可以檢視1條記憶體的SPD：
2-2、AdvanceDRAMConfiguration：高階DRAM配置。就是使用者自己配置記憶體時序引數。回車進入高階DRAM配置：
2-2-1、DRAMTimingMode：DRAM時序模式。有4項設定：Auto、DCT0、DCT1、Both。
Auto就是按記憶體條的SPD設定記憶體時序引數。DCT0是設定通道A，DCT1是設定通道B，Both是設定2個通道。預設設定是Auto。
這是DCT0的時序引數設定：
記憶體時序引數最主要的有4個。CL-tRCD-tRP-tRAS，這4個引數也是在記憶體條上常常看到的，比如8-8-8-24，就是這4個引數。
附註：記憶體時序引數知識
1、記憶體晶片內部的儲存單元是矩陣排列的，所以用行（Row）地址和列（Column）地址標識一個記憶體單元。
2、記憶體定址就是透過行地址和列地址尋找記憶體的一個儲存單元。系統發出的地址編碼需要經過地址譯碼器譯出行地址和列地址，才可以對記憶體讀寫。
3、記憶體晶片是易失性儲存器，必須經常對記憶體的每個儲存單元充電，才可以保持儲存的資料。讀寫前要先對選定的儲存單元預充電（Precharge）。
4、對記憶體的儲存單元讀寫前要先發出啟用（Active）命令，然後才是讀寫命令。
5、CL就是CASLatency，CAS（列地址選通）潛伏時間，實際上也是延遲。指的是CPU發出讀命令到獲得記憶體輸出資料的時間間隔。
6、tRCD是RAS-to-CASDelay，行地址選通到列地址選通的延遲。一般是指發出啟用命令和讀寫命令之間的時間間隔。在這段時間內經過充電，資料訊號足夠強。
7、tRP是Row-PrechargeDelay，行預充電延遲。一般是指發出預充電命令和啟用命令之間的時間間隔。在這段時間內對啟用的行充電。
8、tRAS是Row-activeDelay，行啟用延遲。一般是指行啟用命令和發出預充電命令之間的時間間隔。
9、上述潛伏和延遲時間可以用絕對時間值ns，也可用相對時間—週期。一般多用週期表達。週期數越小，記憶體的速度越高。選購記憶體，不僅要看標註的頻率，還要看標註的時序引數。記憶體時序引數標準由JEDEC制定。下面列出DDR3的時序引數規格，供參考。
標準的時序引數有7-7-7/8-8-8/9-9-9三種，其中7-7-7的最好。還有非標準的7-8-8/8-9-9的，這種時序引數的記憶體條，上標稱頻率就會宕機藍色畫面。降一級頻率就沒有問題。
2-2-2、DRAMDriveStrength：DRAM驅動強度。
該選項有4個引數，Auto是BIOS自動依據記憶體設定。其他是使用者自己設定，DCT0是設定通道A，DCT1是設定通道B，Both是設定2個通道。設定為DCT0/1或Both時，會增加設定專案，下面看看使用者自己手動設定的專案：
每個通道的訊號驅動強度設定包括8項。
CKEDriveStrength：時鐘允許（Clockenable）訊號驅動強度
CS/ODTDriveStrength：片選/內建終端電阻驅動強度
Addr/CmdDriveStrength：地址/命令驅動強度
ClockDriveStrength：時鐘訊號驅動強度
DataDriveStrength：資料訊號驅動強度
DQSDriveStrebgth：資料請求訊號驅動強度
ProcOdt：CPU內建終端電阻
驅動強度的設定就是使用者設定記憶體訊號的強度，一般以預設為1，設定選項是預設的倍率：
2-2-3、DRAMAdvanceControl：DRAM高階控制。
每個通道的高階控制有6項。
DRAMTermination：記憶體晶片的片內終端電阻。從DDR2開始記憶體防止訊號干擾的終端電阻放在晶片內。DDR3也是這樣。這項是設定終端電阻的引數，設定引數有Auto、Disabled、75ohms、150ohms、50ohms。預設是Auto。
DRAMDriveWeak：減弱DRAM驅動強度。設定引數有Auto、Normal、Reduced。Auto是讓BIOS依據記憶體條自動設定。Normal是預設強度，Reduced是減弱驅動強度。
DRAMParityEnable：允許DRAM奇偶校驗。奇偶校驗是對記憶體讀寫是防止資料錯誤的一種方法。但允許奇偶校驗會影響記憶體讀寫速度。設定引數有Auto、Enabled、Disabled。預設設定是Auto。
DRAMSelfRefreshRateEnable：允許DRAM自重新整理速率。DRAM重新整理就是充電，透過充電保持資料訊號。自重新整理是關閉系統時鐘CKE，DRAM採用自己的內部時鐘確定重新整理速率。設定引數有Auto、Enabled、Disabled。預設設定是Auto。
DRAMBurstLength32：DRAM突發模式的長度32。突發模式是系統對記憶體讀寫時一次連續讀寫。連續讀寫的長度有32位元組和64位元組。這項設定就是選擇32位元組，還是64位元組。設定引數有Auto、64位元組、32位元組。預設是Auto。Auto就是由系統依據資料分佈自動採用突發模式的長度。
BankSwizzleMode：Bank攪和模式。記憶體晶片內的儲存單元是按矩陣排列的，每一矩陣組成一個Bank，晶片內的Bank有4Bank、8Bank等，一般中文稱之為邏輯Bank。
記憶體晶片組成記憶體條後，也有Bank，一般以64位為一個Bank。通常一面記憶體的8顆晶片構成一個Bank。雙面就是2個Bank。CPU和記憶體進行資料交換時以Bank為單位，一次交換64位資料，也就是通常說的“頻寬”，雙通道就是128位。這種Bank稱之為物理Bank。CPU訪問記憶體時先定位物理Bank，然後透過片選（訊號）定位晶片內的邏輯Bank。
插在DIMM槽的記憶體條有1個或2個片選Bank，訪問命令不管實際有幾個片選Bank，都是覆蓋2個。BankSwizzle模式就是透過異或（XOR）邏輯運算，判定實際的片選Bank。設定引數有Auto、Disabled、Enabled。Auto就是交給BIOS和系統處理。Disabled就是禁止Swizzle模式，Enabled就是允許。Swizzle模式可以提高CPU的效能，但是會影響顯示卡效能。一般還是設定Auto為好。
2-2-4、1T/2TMemoryTiming：1T/2T記憶體時序。這個選項也叫做“命令速度”，就是記憶體控制器開始傳送命令到命令被送到記憶體晶片的延遲。1T當然比2T快。但是要依據記憶體條的效能。效能低的設定1T後肯定要藍色畫面宕機。一般保持Auto設定即可，讓BIOS自己去設定。
2-2-5、DCTUngangedMode：記憶體通道控制模式。選擇記憶體通道的控制模式，Ganged是一個雙通道，128位頻寬。Unganged是2個單通道，64位x2頻寬。設定選項是Disabled（Ganged）和Enabled（Unganged）。預設是Enabled。
2-2-6、BankInterleaving：Bank交錯存取。記憶體bank交錯存取可以讓系統對記憶體的不同bank同時存取，可以提升記憶體速度及穩定性。設定值有Auto和Disabled，預設值是Auto(開啟交錯存取)。
2-2-7、PowerDownEnabled：開啟或關閉DRAMPowerDown。記憶體掉電設定，選項有Disabled和Enabled。預設是Disabled。
設定為Enabled後，增加PowerDownMode選項，選擇Channel模式和ChipSelect模式。
2-2-8、MemClkTristateC3/ATLVID：開啟或關閉記憶體時鐘在C3/ATLVID下的3態。預設是關閉的（Disabled）。
2-3、FSB/DRAMRatio：前端匯流排和記憶體倍率設定。
預設設定是Auto，自動識別記憶體條的SPD，設定記憶體頻率。回車可以手動設定。
透過設定倍率可以改變記憶體的頻率，FSB=200，1:2就是DDR800，1:3.33就是DDR1333。1:4就是DDR1600。
如果出現藍色畫面宕機現象，可以先透過這項設定降低記憶體頻率試試，是不是記憶體不相容或記憶體品質不良。如果降低頻率可以排除故障，可以降頻使用，或者更換記憶體條。
DDR31333記憶體條有3種，一種是SPD只有1066，沒有1333，可以透過設定倍率（1:1.333）上到1333。第二種是SPD有1333，但是1333的引數不對，1333對應的頻率應該是666，這種記憶體的頻率是601，這樣的記憶體也需要透過設定倍率上1333。第三種是標準的1333，SPD的1333頻率引數是666或667。這種記憶體預設就可以上1333。
DDR31600記憶體有3種：超頻1600的（SPD只有1333），可以透過設定倍率（!:4）到1600。第2種是SPD引數有1600（800），這樣的記憶體條可以預設上1600。第3種是1600採用X.M.P規格，使用這種1600記憶體，BIOS會出現X.M.P選項，把這項設定為Disabled即可上1600
3、內建顯示卡超頻
為方便使用者對內建顯示卡4200超頻，BIOS把顯示卡頻率設定選項移到核心選單，叫做：
OnboardVGACoreOverClock。
OnboardVGACoreOverClock的設定項有Disabled（預設）和Enabled。
開啟顯示卡超頻，增加一項調整顯示卡頻率值的選項：AdjustOnboardVGAFrequency。預設值是500MHz。超頻時直接鍵入頻率值，比如550MHz。
4、HT和PCI相關設定
HT（超傳輸）匯流排是AMD的開發的晶片互連匯流排。AMD把記憶體控制器移到CPU，CPU內部採用HT匯流排。顯示卡採用PCIE匯流排，HT和PCIE之間需要橋接。AMD的北橋就起到HT和PCIE的橋接作用。北橋和CPU之間是HT匯流排連線。所以BIOS有HT匯流排的設定和PCIE匯流排的設定。相關設定有4項：
4-1、HTLinkControl：HT連結控制。這個選項設定需進入二級選單。回車進入二級選單後，看到的是2個選項：
HTIncomingLinkWidth和HTOutgoingLinkWidth：HT上行連結寬度和下行連結寬度。HT匯流排採用差分訊號，單向序列傳輸。每一路採用一對訊號線，一條傳送訊號（下行），一條接收訊號（上行）。這兩個選項就是設定HT匯流排的位寬。3個設定項：Auto（預設）、8位、16位。Auto是讓系統自動設定，8位和16位是手動設定。
2-4-2、HTLinkSpeed：HT連結速度。連結速度以倍率表示，從x1到x13。預設設定是Auto，系統自動依據CPU動態設定，FSB超頻會自動提升HT連結速度。使用者也可以手動設定固定的倍率。X1是200MHz，X5就是1000MHz，以此類推。
2-4-3、AdjustPCI-EFrequency：調整PCI-E頻率。
系統給PCI-E的頻率是100MHz，由於現在的FSB和PCI-E時鐘頻率是分開的，調整FSB頻率不會影響PCI-E/PCI頻率。超頻時不必再考慮鎖定PCI-E和PCI頻率。BIOS也沒有鎖定選項。這裡的PCI-E頻率調整是為PCI-E超頻設計的，直接鍵入超頻頻率值，超頻範圍是100MHz-150MHz。
2-4-4、AutoDisableDRAM/PCIFrequency：自動關閉DRAM/PCI時鐘訊號。
預設設定是Enabled，系統將關閉空閒的DRAM和PCI槽的時鐘訊號，降低干擾。
5、電壓設定
785GM-E65BIOS提供了8項電壓設定：
CPUVDD電壓：CPUVDD電壓。調整範圍1.1000-1.5500V
CPU-NBVDD電壓：CPU內北橋VDD電壓。調整範圍1.1000-1.5500
CPU電壓：CPU核心電壓。調整範圍1.025-1.975V
CPU-NB電壓：CPU內北橋電壓。調整範圍1.202-1.520V
DRAM電壓：記憶體電壓。調整範圍1.50-2.42V
NB電壓：北橋電壓。調整範圍1.108-1.337V
HTLink電壓：HT匯流排連結電壓。調整範圍1.202-1.454V
SB電壓：南橋電壓。調整範圍1.228-1.472V
1、上面8項電壓中，前2項VDD電壓是CPU內的CMOS電路的漏極電壓。調整這個電壓可以使超頻更穩定。
2、其餘5項電壓是供電電壓。超頻時提高一點電壓可以提高超頻成功率。因為超頻後，CPU內的CMOS開關頻率加快，輸出訊號的電平幅度會降低，導致訊號不穩定，提高一點供電電壓，就會提高訊號電平幅度，增強訊號。
簡單講CPU內的所有電晶體都是CMOS電路，都是開關。CPU運算就是這些CMOS開關電路不停地“開”和“關”。“開”就是導通，讓代表“1”的高電平訊號透過。“關”就是斷開，訊號變成低電平，表示“0”。如果代表“1”的高電平較低，就會與低電平的“0”混淆，CPU分辨不出“1”和“0”，自然運算就出錯，導致宕機、藍色畫面。
3、電壓提升過高也不利於超頻，因為電壓過高，把訊號電平也拉高，訊號電平越高，CMOS開關的頻率就無法加快。這個道理可以從CPU電壓的進展歷程看出來。486/586時代，CPU的核心電壓和I/O電壓都是3.3V。奔騰4開始，把CPU的核心電壓與I/O分開，核心電壓降到2V左右，現在降到1.xxV，降低訊號電平就是要提高CPU的頻率。CPU的頻率取決於CMOS電路的開關速度，訊號電平設計的越低，開關速度就越快。
4、有些DIY發現，超頻頻率很高時，CPU滿載運作會有“掉”電壓的現象。於是想辦法改電路，或者再提高電壓。其實，“掉”電壓是正常現象。頻率提高30%，CMOS電路的開關頻率提高30%，開關時間縮短30%，輸出的高電平訊號電壓肯定降低，自然也要把供電電壓拉低。
5、所以，調整電壓要適當，不是越高越好。上述8項電壓設定，灰色的Auto表示預設電壓。白色數字表示正常範圍的電壓。紅色數字表示非正常電壓，包括過高和過低的。
6、調整電壓時，可以用小鍵盤的“+”和“-”鍵，也可以用PageUp和PageDown鍵
超頻CPU可以提高效能，但帶來的壞處是降低CPU的壽命。建議過保再超。
微星785G-E45在主機板上做的是個顯示卡超頻開關。要超頻CPU需要在主機板BIOS裡進行設定。具體的設定方法：一、BIOS主選單
1、StandardCMOSFeatures標準CMOS屬性8、CellMenu核心選單
2、AdvancedBIOSFeatures高階BIOS屬性9、M-Flash隨身碟重新整理BIOS
3、IntegratedPeripherals整合周邊裝置10、UserSettings使用者設定項
4、PowerManagement電源管理11、LoadFail-SafeDefaults載入安全預設值
5、H/WMonitor硬體監測12、LoadOptimizedDefaults載入最佳化值
6、GreenPower綠色節能13、Save&ExitSetup儲存設定並退出
7、BIOSSettingPassword開機密碼設定14、ExitWithoutSaving退出而不儲存
進入CellMenu核心選單設定
二、CellMenu核心選單設定
1、CPU相關設定
CPU相關設定有9項
1-1、CPUSpecifications：這是檢視CPU的規格和引數，也可以隨時按F4檢視。
1-2、ANDCool`n`Quiet：AMDCPU的節能技術，也叫“涼又靜”。依據CPU負載改變CPU的倍頻和電壓。當CPU空閒時，核心電壓降到最低，倍頻也降到最低。如果主機板有微星的APS功能，請開啟這個選項。該選項的設定是Enabled和Disabled。
1-3、AdjustCPUFSBFrequency（MHz）：調整CPU的前端匯流排頻率。預設的頻率是CPU的標準FSB頻率，使用者可以自己調整，就是超頻。在這裡直接鍵入頻率數值，比如220。
1-4、AdjustCPURatio：調整CPU的倍頻。AMD的CPU一般是鎖定最高倍頻的，只能降低倍頻。有個別不鎖倍頻的CPU才可以調整到更高的倍頻。該項的預設設定是Auto。敲回車，彈出倍頻列表，使用者可以從中選擇希望的倍頻。
1-5、AdjustCPU-NBRatio：調整CPU內北橋（記憶體控制器）的倍率。AMDCPU整合了記憶體控制器，這個選項可以調整記憶體控制器的倍率。調整這個倍率要與記憶體頻率設定相互配合，一般需要多次調整，才能達到最佳效果，如果設定不正確，可能引起藍色畫面宕機。
1-6、ECFirmware：EC韌體設定。這是AMDSB710晶片組新開的一個設定項，用於開啟被AMD關閉核心（有部分是不能正常運作的）。這項的預設設定是Normal。敲回車，彈出選項選單供使用者選擇。
Normal是普通模式，就是不開啟關閉的核心。Special是特殊模式，開啟被關閉的核心。注意這個選項要配合下面的AdvancedClockCalibration設定。
1-7、AdvancedClockCalibration：高階時鐘校準。這是SB750開始有的有的功能。用於校準CPU的時鐘頻率，同時支援AMD的CPU超頻軟體AMDOverDrive。SB710繼承了這項功能，還可以配合ECFirmware開啟關閉的核心。預設設定是Disabled。敲回車彈出選項選單：
Auto是自動模式。想開啟關閉的核心，請設定為Auto。
AllCores是對所有核心都進行相同的高階時鐘校準。選擇了AllCore後，選單會多出一個選項。
就是要求選擇校準的百分比。在Value上敲回車會彈出百分比選擇選單。
PerCore可以對每個核心單獨設定時鐘校準百分比。選擇PerCore後，選單會多出一個選項：
也是要求選擇校準的百分比。在每一個Value敲回車都會彈出百分比選擇選單。
請注意，Value的個數與CPU的核心數相匹配，比如2核的就有2個Value選項。
1-8、AutoOverClockTechnology：微星獨有的一種自動超頻技術，預設是Disabled，可以設定為MaxFSB。就是系統自動偵測CPU可能超頻的最大FSB值。設定該項後，系統可能重複啟動多次，最後找到最大FSB啟動。由於FSB涉及記憶體的頻率，可能會因為記憶體緣故而出現在最大FSB情況下，不能進系統，或者藍色畫面宕機。
1-9、MultistepOCBooster：這是微星獨有的超頻輔助技術，當CPU因超頻較高，不能啟動時，可以利用這個選項。它的作用是先以較低的頻率啟動進系統，然後再恢復原來頻率。
該選項預設是Disabled，有Mode1和Mode2選項。Mode1是以低於原頻率90%的頻率啟動。Mode2是以低於原頻率80%的頻率啟動。
2、記憶體相關設定
記憶體設定有3項：
2-1、MEMORY-Z：這是檢視記憶體的SPD引數。也可以隨時按F5檢視
插2條記憶體，彈出2條記憶體的SPD資訊，如果插4條，就會有4條SPD資訊。回車就可以檢視1條記憶體的SPD：
2-2、AdvanceDRAMConfiguration：高階DRAM配置。就是使用者自己配置記憶體時序引數。回車進入高階DRAM配置：
2-2-1、DRAMTimingMode：DRAM時序模式。有4項設定：Auto、DCT0、DCT1、Both。
Auto就是按記憶體條的SPD設定記憶體時序引數。DCT0是設定通道A，DCT1是設定通道B，Both是設定2個通道。預設設定是Auto。
這是DCT0的時序引數設定：
記憶體時序引數最主要的有4個。CL-tRCD-tRP-tRAS，這4個引數也是在記憶體條上常常看到的，比如8-8-8-24，就是這4個引數。
附註：記憶體時序引數知識
1、記憶體晶片內部的儲存單元是矩陣排列的，所以用行（Row）地址和列（Column）地址標識一個記憶體單元。
2、記憶體定址就是透過行地址和列地址尋找記憶體的一個儲存單元。系統發出的地址編碼需要經過地址譯碼器譯出行地址和列地址，才可以對記憶體讀寫。
3、記憶體晶片是易失性儲存器，必須經常對記憶體的每個儲存單元充電，才可以保持儲存的資料。讀寫前要先對選定的儲存單元預充電（Precharge）。
4、對記憶體的儲存單元讀寫前要先發出啟用（Active）命令，然後才是讀寫命令。
5、CL就是CASLatency，CAS（列地址選通）潛伏時間，實際上也是延遲。指的是CPU發出讀命令到獲得記憶體輸出資料的時間間隔。
6、tRCD是RAS-to-CASDelay，行地址選通到列地址選通的延遲。一般是指發出啟用命令和讀寫命令之間的時間間隔。在這段時間內經過充電，資料訊號足夠強。
7、tRP是Row-PrechargeDelay，行預充電延遲。一般是指發出預充電命令和啟用命令之間的時間間隔。在這段時間內對啟用的行充電。
8、tRAS是Row-activeDelay，行啟用延遲。一般是指行啟用命令和發出預充電命令之間的時間間隔。
9、上述潛伏和延遲時間可以用絕對時間值ns，也可用相對時間—週期。一般多用週期表達。週期數越小，記憶體的速度越高。選購記憶體，不僅要看標註的頻率，還要看標註的時序引數。記憶體時序引數標準由JEDEC制定。下面列出DDR3的時序引數規格，供參考。
標準的時序引數有7-7-7/8-8-8/9-9-9三種，其中7-7-7的最好。還有非標準的7-8-8/8-9-9的，這種時序引數的記憶體條，上標稱頻率就會宕機藍色畫面。降一級頻率就沒有問題。
2-2-2、DRAMDriveStrength：DRAM驅動強度。
該選項有4個引數，Auto是BIOS自動依據記憶體設定。其他是使用者自己設定，DCT0是設定通道A，DCT1是設定通道B，Both是設定2個通道。設定為DCT0/1或Both時，會增加設定專案，下面看看使用者自己手動設定的專案：
每個通道的訊號驅動強度設定包括8項。
CKEDriveStrength：時鐘允許（Clockenable）訊號驅動強度
CS/ODTDriveStrength：片選/內建終端電阻驅動強度
Addr/CmdDriveStrength：地址/命令驅動強度
ClockDriveStrength：時鐘訊號驅動強度
DataDriveStrength：資料訊號驅動強度
DQSDriveStrebgth：資料請求訊號驅動強度
ProcOdt：CPU內建終端電阻
驅動強度的設定就是使用者設定記憶體訊號的強度，一般以預設為1，設定選項是預設的倍率：
2-2-3、DRAMAdvanceControl：DRAM高階控制。
該選項有4個引數，Auto是BIOS自動依據記憶體設定。其他是使用者自己設定，DCT0是設定通道A，DCT1是設定通道B，Both是設定2個通道。設定為DCT0/1或Both時，會增加設定專案，下面看看使用者自己手動設定的專案：
每個通道的高階控制有6項。
DRAMTermination：記憶體晶片的片內終端電阻。從DDR2開始記憶體防止訊號干擾的終端電阻放在晶片內。DDR3也是這樣。這項是設定終端電阻的引數，設定引數有Auto、Disabled、75ohms、150ohms、50ohms。預設是Auto。
DRAMDriveWeak：減弱DRAM驅動強度。設定引數有Auto、Normal、Reduced。Auto是讓BIOS依據記憶體條自動設定。Normal是預設強度，Reduced是減弱驅動強度。
DRAMParityEnable：允許DRAM奇偶校驗。奇偶校驗是對記憶體讀寫是防止資料錯誤的一種方法。但允許奇偶校驗會影響記憶體讀寫速度。設定引數有Auto、Enabled、Disabled。預設設定是Auto。
DRAMSelfRefreshRateEnable：允許DRAM自重新整理速率。DRAM重新整理就是充電，透過充電保持資料訊號。自重新整理是關閉系統時鐘CKE，DRAM採用自己的內部時鐘確定重新整理速率。設定引數有Auto、Enabled、Disabled。預設設定是Auto。
DRAMBurstLength32：DRAM突發模式的長度32。突發模式是系統對記憶體讀寫時一次連續讀寫。連續讀寫的長度有32位元組和64位元組。這項設定就是選擇32位元組，還是64位元組。設定引數有Auto、64位元組、32位元組。預設是Auto。Auto就是由系統依據資料分佈自動採用突發模式的長度。
BankSwizzleMode：Bank攪和模式。記憶體晶片內的儲存單元是按矩陣排列的，每一矩陣組成一個Bank，晶片內的Bank有4Bank、8Bank等，一般中文稱之為邏輯Bank。
記憶體晶片組成記憶體條後，也有Bank，一般以64位為一個Bank。通常一面記憶體的8顆晶片構成一個Bank。雙面就是2個Bank。CPU和記憶體進行資料交換時以Bank為單位，一次交換64位資料，也就是通常說的“頻寬”，雙通道就是128位。這種Bank稱之為物理Bank。CPU訪問記憶體時先定位物理Bank，然後透過片選（訊號）定位晶片內的邏輯Bank。
插在DIMM槽的記憶體條有1個或2個片選Bank，訪問命令不管實際有幾個片選Bank，都是覆蓋2個。BankSwizzle模式就是透過異或（XOR）邏輯運算，判定實際的片選Bank。設定引數有Auto、Disabled、Enabled。Auto就是交給BIOS和系統處理。Disabled就是禁止Swizzle模式，Enabled就是允許。Swizzle模式可以提高CPU的效能，但是會影響顯示卡效能。一般還是設定Auto為好。
2-2-4、1T/2TMemoryTiming：1T/2T記憶體時序。這個選項也叫做“命令速度”，就是記憶體控制器開始傳送命令到命令被送到記憶體晶片的延遲。1T當然比2T快。但是要依據記憶體條的效能。效能低的設定1T後肯定要藍色畫面宕機。一般保持Auto設定即可，讓BIOS自己去設定。
2-2-5、DCTUngangedMode：記憶體通道控制模式。選擇記憶體通道的控制模式，Ganged是一個雙通道，128位頻寬。Unganged是2個單通道，64位x2頻寬。設定選項是Disabled（Ganged）和Enabled（Unganged）。預設是Enabled。
2-2-6、BankInterleaving：Bank交錯存取。記憶體bank交錯存取可以讓系統對記憶體的不同bank同時存取，可以提升記憶體速度及穩定性。設定值有Auto和Disabled，預設值是Auto(開啟交錯存取)。
2-2-7、PowerDownEnabled：開啟或關閉DRAMPowerDown。記憶體掉電設定，選項有Disabled和Enabled。預設是Disabled。
設定為Enabled後，增加PowerDownMode選項，選擇Channel模式和ChipSelect模式。
2-2-8、MemClkTristateC3/ATLVID：開啟或關閉記憶體時鐘在C3/ATLVID下的3態。預設是關閉的（Disabled）。
2-3、FSB/DRAMRatio：前端匯流排和記憶體倍率設定。
預設設定是Auto，自動識別記憶體條的SPD，設定記憶體頻率。回車可以手動設定。
透過設定倍率可以改變記憶體的頻率，FSB=200，1:2就是DDR800，1:3.33就是DDR1333。1:4就是DDR1600。
如果出現藍色畫面宕機現象，可以先透過這項設定降低記憶體頻率試試，是不是記憶體不相容或記憶體品質不良。如果降低頻率可以排除故障，可以降頻使用，或者更換記憶體條。
DDR31333記憶體條有3種，一種是SPD只有1066，沒有1333，可以透過設定倍率（1:1.333）上到1333。第二種是SPD有1333，但是1333的引數不對，1333對應的頻率應該是666，這種記憶體的頻率是601，這樣的記憶體也需要透過設定倍率上1333。第三種是標準的1333，SPD的1333頻率引數是666或667。這種記憶體預設就可以上1333。
DDR31600記憶體有3種：超頻1600的（SPD只有1333），可以透過設定倍率（!:4）到1600。第2種是SPD引數有1600（800），這樣的記憶體條可以預設上1600。第3種是1600採用X.M.P規格，使用這種1600記憶體，BIOS會出現X.M.P選項，把這項設定為Disabled即可上1600
3、內建顯示卡超頻
為方便使用者對內建顯示卡4200超頻，BIOS把顯示卡頻率設定選項移到核心選單，叫做：
OnboardVGACoreOverClock。
OnboardVGACoreOverClock的設定項有Disabled（預設）和Enabled。
開啟顯示卡超頻，增加一項調整顯示卡頻率值的選項：AdjustOnboardVGAFrequency。預設值是500MHz。超頻時直接鍵入頻率值，比如550MHz。
4、HT和PCI相關設定
HT（超傳輸）匯流排是AMD的開發的晶片互連匯流排。AMD把記憶體控制器移到CPU，CPU內部採用HT匯流排。顯示卡採用PCIE匯流排，HT和PCIE之間需要橋接。AMD的北橋就起到HT和PCIE的橋接作用。北橋和CPU之間是HT匯流排連線。所以BIOS有HT匯流排的設定和PCIE匯流排的設定。相關設定有4項：
4-1、HTLinkControl：HT連結控制。這個選項設定需進入二級選單。回車進入二級選單後，看到的是2個選項：
HTIncomingLinkWidth和HTOutgoingLinkWidth：HT上行連結寬度和下行連結寬度。HT匯流排採用差分訊號，單向序列傳輸。每一路採用一對訊號線，一條傳送訊號（下行），一條接收訊號（上行）。這兩個選項就是設定HT匯流排的位寬。3個設定項：Auto（預設）、8位、16位。Auto是讓系統自動設定，8位和16位是手動設定。
2-4-2、HTLinkSpeed：HT連結速度。連結速度以倍率表示，從x1到x13。預設設定是Auto，系統自動依據CPU動態設定，FSB超頻會自動提升HT連結速度。使用者也可以手動設定固定的倍率。X1是200MHz，X5就是1000MHz，以此類推。
2-4-3、AdjustPCI-EFrequency：調整PCI-E頻率。
系統給PCI-E的頻率是100MHz，由於現在的FSB和PCI-E時鐘頻率是分開的，調整FSB頻率不會影響PCI-E/PCI頻率。超頻時不必再考慮鎖定PCI-E和PCI頻率。BIOS也沒有鎖定選項。這裡的PCI-E頻率調整是為PCI-E超頻設計的，直接鍵入超頻頻率值，超頻範圍是100MHz-150MHz。
2-4-4、AutoDisableDRAM/PCIFrequency：自動關閉DRAM/PCI時鐘訊號。
預設設定是Enabled，系統將關閉空閒的DRAM和PCI槽的時鐘訊號，降低干擾。
5、電壓設定
785GM-E65BIOS提供了8項電壓設定：
CPUVDD電壓：CPUVDD電壓。調整範圍1.1000-1.5500V
CPU-NBVDD電壓：CPU內北橋VDD電壓。調整範圍1.1000-1.5500
CPU電壓：CPU核心電壓。調整範圍1.025-1.975V
CPU-NB電壓：CPU內北橋電壓。調整範圍1.202-1.520V
DRAM電壓：記憶體電壓。調整範圍1.50-2.42V
NB電壓：北橋電壓。調整範圍1.108-1.337V
HTLink電壓：HT匯流排連結電壓。調整範圍1.202-1.454V
SB電壓：南橋電壓。調整範圍1.228-1.472V
1、上面8項電壓中，前2項VDD電壓是CPU內的CMOS電路的漏極電壓。調整這個電壓可以使超頻更穩定。
2、其餘5項電壓是供電電壓。超頻時提高一點電壓可以提高超頻成功率。因為超頻後，CPU內的CMOS開關頻率加快，輸出訊號的電平幅度會降低，導致訊號不穩定，提高一點供電電壓，就會提高訊號電平幅度，增強訊號。
簡單講CPU內的所有電晶體都是CMOS電路，都是開關。CPU運算就是這些CMOS開關電路不停地“開”和“關”。“開”就是導通，讓代表“1”的高電平訊號透過。“關”就是斷開，訊號變成低電平，表示“0”。如果代表“1”的高電平較低，就會與低電平的“0”混淆，CPU分辨不出“1”和“0”，自然運算就出錯，導致宕機、藍色畫面。
3、電壓提升過高也不利於超頻，因為電壓過高，把訊號電平也拉高，訊號電平越高，CMOS開關的頻率就無法加快。這個道理可以從CPU電壓的進展歷程看出來。486/586時代，CPU的核心電壓和I/O電壓都是3.3V。奔騰4開始，把CPU的核心電壓與I/O分開，核心電壓降到2V左右，現在降到1.xxV，降低訊號電平就是要提高CPU的頻率。CPU的頻率取決於CMOS電路的開關速度，訊號電平設計的越低，開關速度就越快。
4、有些DIY發現，超頻頻率很高時，CPU滿載運作會有“掉”電壓的現象。於是想辦法改電路，或者再提高電壓。其實，“掉”電壓是正常現象。頻率提高30%，CMOS電路的開關頻率提高30%，開關時間縮短30%，輸出的高電平訊號電壓肯定降低，自然也要把供電電壓拉低。
5、所以，調整電壓要適當，不是越高越好。上述8項電壓設定，灰色的Auto表示預設電壓。白色數字表示正常範圍的電壓。紅色數字表示非正常電壓，包括過高和過低的。
6、調整電壓時，可以用小鍵盤的“+”和“-”鍵，也可以用PageUp和PageDown鍵
超頻CPU可以提高效能，但帶來的壞處是降低CPU的壽命。建議過保再超。