SRAM 靜態RAM（Static RAM / SRAM），SRAM速度非常快，是目前讀寫最快的儲存裝置了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩衝，二級緩衝。

DRAM 動態RAM（Dynamic RAM / DRAM），DRAM保留資料的時間很短，速度也比SRAM慢，不過它還是比任何的ROM都要快，但從價格上來說DRAM相比SRAM要便宜很多，計算機記憶體就是DRAM的

ROM指的是“只讀儲存器”，即Read-Only Memory。這是一種線路最簡單半導體電路，透過掩模工藝， 一次性製造，其中的程式碼與資料將永久儲存，不能進行修改。在微機的發展初期，BIOS都存放在ROM（Read Only Memory，只讀儲存器）中。如果發現內部資料有錯，則只有捨棄不用，重新訂做一份。

PROM指的是“可程式設計只讀儲存器”既Programmable Red-Only Memory。這樣的產品只允許寫入一次，所以也被稱為“一次可程式設計只讀儲存器”(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。PROM在出廠時，儲存的內容全為1，使用者可以根據需要將其中的某些單元寫入資料0(部分的PROM在出廠時資料全為0，則使用者可以將其中的部分單元寫入1)， 以實現對其“程式設計”的目的。PROM的典型產品是“雙極性熔絲結構”，如果我們想改寫某些單元，則可以給這些單元通以足夠大的電流，並維持一定的時間， 原先的熔絲即可熔斷，這樣就達到了改寫某些位的效果。另外一類經典的PROM為使用“肖特基二極體”的PROM，出廠時，其中的二極體處於反向截止狀態，還是用大電流的方法將反相電壓加在“肖特基二極體”，造成其永久性擊穿即可。PROM一旦寫入後無法修改，若是出了錯誤，已寫入的晶片只能報廢。

EPROM指的是“可擦寫可程式設計只讀儲存器”，即Erasable Programmable Read-Only Memory。 它的特點是具有可擦除功能，擦除後即可進行再程式設計，但是缺點是擦除需要使用紫外線照射一定的時間。這一類晶片特別容易識別，其封裝中包含有“石英玻璃窗”，一個程式設計後的EPROM晶片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不乾膠紙蓋住， 以防止遭到Sunny直射

EEPROM指的是“電可擦除可程式設計只讀儲存器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。它的最大優點是可直接用電訊號擦除，也可用電訊號寫入。鑑於EPROM操作的不便，後來出的主機板上的BIOS ROM晶片大部分都採用EEPROM。EEPROM的擦除不需要藉助於其它裝置，它是以電子訊號來修改其內容的，而且是以Byte為最小修改單位，不必將資料全部洗掉才能寫入，徹底擺脫了EPROM Eraser和程式設計器的束縛。EEPROM在寫入資料時，仍要利用一定的程式設計電壓，此時，只需用廠商提供的專用重新整理程式就可以輕而易舉地改寫內容，所以，它屬於雙電壓晶片。 藉助於EEPROM晶片的雙電壓特性，可以使BIOS具有良好的防毒功能，在升級時，把跳線開關打至“ON”的位置，即給晶片加上相應的程式設計電壓，就可以方便地升級；平時使用時，則把跳線開關打至“OFF”的位置，防止病毒對BIOS晶片的非法修改。