um（微米）是長度單位，是指少子的擴散長度；少子壽命的單位是us（微秒） 少子擴散長度和少子壽命基本上是等同的，一個是指能“跑多遠”，一個是指能“活多久”，表述不同而已 少子壽命是越大越好，就目前的太陽能級矽來說能有5us已經不錯了，如果太低（如小於1us）將嚴重影響電池效率。

現在太陽能企業要求越來越高,多晶要求大於2,單晶要求大於10。處於熱平衡狀態下的半導體，在一定溫度下，載流子的濃度是一定的，稱為平衡載流子濃度, 如果對半導體施加外界作用,破壞了熱平衡的條件，稱為非平衡狀態。比平衡狀態多出來的這部分載流子稱為非平衡載流子。非平衡載流子分為非平衡多數載流子和非平衡少數載流子, 對於n型半導體材料，多出來的電子就是非平衡多數載流子,空穴則是非平衡少數載流子。對p型半導體材料則相反, 產生非平衡載流子的外界作用撤除以後，它們要逐漸衰減以致消失，最後載流子濃度恢復到平衡時的值, 非平衡少數載流子的平均生存時間稱為非平衡少數載流子的壽命,簡稱少子壽命。一、單晶矽少子壽命測試儀產品介紹： 1、 可測量太陽能級多晶矽塊、單晶矽棒少數載流子體壽命。表面無需拋光，直接對切割面或研磨面進行測量。同時可測量多晶矽檢驗棒及積體電路、整流器、電晶體級矽單晶的少子壽命。2、 可測量太陽能級單晶及多晶矽片少數載流子的相對壽命，表面無需拋光、鈍化。3、 配備專用軟體的數字示波器，液晶屏上直接顯示少子壽命值，同時顯示動態光電導衰退波形，並可聯用印表機及計算機。4、 配置兩種波長的紅外光源： a、紅外光源，光穿透矽晶體深度較深≥500μm，有利於準確測量晶體少數載流子體壽命。b、短波長紅外脈衝鐳射器，光穿透矽晶體深度較淺≈30μm，但光強較強，有利於測量低阻太陽能級矽晶體。二、單晶矽少子壽命測試儀測量範圍可直接測量： a、研磨或切割面：電阻率≥0.3Ω•㎝的單晶矽棒、定向結晶多晶矽塊少子體壽命，切割片的少子相對壽命。b、拋光面：電阻率在0.3～0.01Ω•㎝範圍內的矽單晶、鍺單晶拋光片。壽命可測範圍 0.25μS—10ms