1、性質不同：LD包括單異質結（SH）、雙異質結（DH）和量子阱（QW）鐳射二極體。發光二極體由含鎵（Ga）、砷（As）、磷（P）、氮（N）等的化合物製成。
2、照明距離不同：單一的LED輸出光功率一般為5～15mW，雖然有40～50mW的LED產品問世，但是依然無法和半導體鐳射管（LD）相比，現在單芯的半導體鐳射管的發光功率可達10W，一個鐳射管的亮度等於幾百個LED的亮度總和。
3、工作原理不同：LD當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓範圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0。LED加上正向電壓後，從P區注入到N區的空穴和由N區注入到P區的電子，在PN接面附近數微米內分別與N區的電子和P區的空穴複合，產生自發輻射的熒光。
擴充套件資料：
注意事項：
1、要注意溫度的升高會使LED內阻變小當外界環境溫度升高後，LED光源內阻會減小，若使用穩壓電源供電會造成LED工作電流升高，當超過其額定工作電流後，會影響LED產品的使用壽命，嚴重的將使LED光源燒壞，因此最好選用恆流源供電，以保證LED的工作電流不受外界溫度的影響。
2、LED的電流不能超過LED的IF電流：過流的工作會使LED壽命很快下降，如果超出過來，就會馬上把LED燒壞。
3、LED折角須注意：LED在彎角或折角時請不要離膠體太近，應與膠體保持2mm以上的距離，否則會使LED膠體裡面支架與金線分離，彎角在同一處的摺疊次數不能超過三次，拐角彎成90°，再回到原位置為1次。
1、性質不同：LD包括單異質結（SH）、雙異質結（DH）和量子阱（QW）鐳射二極體。發光二極體由含鎵（Ga）、砷（As）、磷（P）、氮（N）等的化合物製成。
2、照明距離不同：單一的LED輸出光功率一般為5～15mW，雖然有40～50mW的LED產品問世，但是依然無法和半導體鐳射管（LD）相比，現在單芯的半導體鐳射管的發光功率可達10W，一個鐳射管的亮度等於幾百個LED的亮度總和。
3、工作原理不同：LD當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓範圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0。LED加上正向電壓後，從P區注入到N區的空穴和由N區注入到P區的電子，在PN接面附近數微米內分別與N區的電子和P區的空穴複合，產生自發輻射的熒光。
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1、要注意溫度的升高會使LED內阻變小當外界環境溫度升高後，LED光源內阻會減小，若使用穩壓電源供電會造成LED工作電流升高，當超過其額定工作電流後，會影響LED產品的使用壽命，嚴重的將使LED光源燒壞，因此最好選用恆流源供電，以保證LED的工作電流不受外界溫度的影響。
2、LED的電流不能超過LED的IF電流：過流的工作會使LED壽命很快下降，如果超出過來，就會馬上把LED燒壞。
3、LED折角須注意：LED在彎角或折角時請不要離膠體太近，應與膠體保持2mm以上的距離，否則會使LED膠體裡面支架與金線分離，彎角在同一處的摺疊次數不能超過三次，拐角彎成90°，再回到原位置為1次。