美光週四宣佈，該公司一開始量產基於第三代 10nm 製程（又稱 1z nm）製程的儲存晶片，首批到來的便是 16Gb DDR4 / LPDDR4 DRAM 器件。

隨著時間的推移，該公司還將進一步擴大其產品組合。與第二代 10nm 工藝相比， 新工藝使得美光能夠提升 DRAM 晶片密度，在增強效能的同時、降低產品的功耗。

【資料圖，來自：Micron，via AnandTech】

值得一提的是，第三代 10 nm 製程的 16Gb DDR4 器件功耗，較同頻的兩個 8Gb DDR4 DRAM 還要低 40% 。

至於 16 Gb LPDDR4X IC，美光稱其更是提升了 10% 的能效。由於第三代 1Z nm 工藝較第二代 1Y nm 的位元密度更高，該公司可產出價效比更高的儲存晶片。

鑑於美光未透露 16 Gb DDR4 DRAM 的速度分檔，我們只能預計其符合 JEDEC 的官方指定範圍內。

預計首批 16 Gb DDR4 DRAM 產品將用於桌上型電腦、筆記本、工作站上的高容量（32GB 或更高）記憶體模組。

移動儲存器方面，美光 16 Gb LPDDR4X 晶片的傳輸速率可達 4266 MT/s 。

除了為高階智慧機提供高達 16 GB（8x16Gb）的 LPDDR4X DRAM 封裝，美光還將提供基於 UFS 的多晶片封裝（uMCP4），將 NAND 用於儲存和 DRAM 。

該公司針對主流手機的 uMCP4 系列產品，將包括 3GB RAM + 64GB ROM 至 8GB RAM + 256GB ROM 等產品。

最後，美光沒有透露其生產 1Z nm 製程 16 Gb DDR4 / LPDDR4X 晶片的工廠。不出意外的話，應該會在日本廣島工廠內生產。

與此同時，分析師猜測該公司會在臺中附近的 Micron Memory Taiwan（前 Rexchip Semiconductor）晶圓廠啟用 1Z nm 製程生產線。