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    在全球DRAM記憶體晶片市場上,SK Hynix目前的市場份額達到了29%,僅次於三星的45%,位列全球第二,領先於美光。在DRAM技術上,今年三星及美光都宣佈了新一代1Ynm工藝的DRAM記憶體晶片,SK Hynix日前也宣佈開發出1Ynm工藝的8Gb DDR4記憶體,頻率3200Mbps,同時生產效率提升20%,功耗降低了15%。

    8Gb DDR4-3200記憶體顆粒本身並不新鮮,三星/SK Hynix/美光兩年前就有類似的產品了,不過這次的8Gb DDR4記憶體晶片是1Ynm工藝,這是1Xnm工藝之後第二代10nm級DRAM工藝,三星、美光之前已經宣佈過類似的產品,現在是SK Hynix試產新工藝了。

    在20nm節點之後,DRAM記憶體工藝的線寬指標不再那麼精確,所以有了1Xnm、1Ynm及1Znm之分,簡單來說1Xnm工藝相當於1Znm工藝大概是12-14nm級別,現在三星、美光及SK Hynix是進行到了第二代10nm級工藝,不過三家量產的產品不同,三星、美光都是選擇LPDDR4X記憶體首發1Ynm工藝,SK Hynix選擇的是1Ynm工藝的DDR4-3200記憶體。

    除了工藝升級,SK Hynix還表示他們的1Ynm工藝8Gb DDR4晶片在生產效率上提升了20%,效能也是目前最快的。此外,透過Sense Amp.Control技術,1Ynm工藝的DDR4晶片能耗降低了15%,

    根據SK Hynix的規劃,1Ynm工藝的DDR4記憶體預計會從明年Q1季度開始出貨,首先面向伺服器及PC產品,接下來還會有針對移動裝置等產品的1Ynm工藝記憶體晶片。

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