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  • 1 # 強弱蜂鳴

    是兩單元運算放大器,HA17358應該是日本日立型號,簡單的理解就是一輸入腳的電壓跟另一隻基準腳的電壓相比較,然後在它的輸出腳上按某種規律產生一個電壓,另一單元三隻腳同理,剩兩隻腳是晶片電源腳,它跟電壓比較器最大的區別是它的輸出跟它周邊電阻值有關,而電壓比較器只跟兩輸入腳的電壓高低有關,輸出要麼是晶片供電的VCC+要麼就是晶片供電的VCC-,沒放大功能。要量電壓,黑表筆按GND腳,其它腳挨個量。

  • 2 # 80後創業之家

    HA173588是八腳整合晶片

    整合晶片中來用強壓技術形成去耦。高密度元件常常直接把表面安裝(SMT)電容加 入到整合晶片之中。分立電容常在這個時候用於多晶片模組中。根據矽盤入侵峰值電流衝激情況,以設各 所需的充電電流為基礎來選擇合適的電容。此外,在元件產生自激時能對差模電流產生抑制作用。雖然內嵌有電容,在模組外部同樣需要加上分立電容。

    元件在開關週期內,去耦電容提供了瞬時的充、放電。去耦電容必須向器件提供足夠快 的充、放電過程以滿足開關操作的需要。電容的自激頻率取決於很多因素,不僅包括電容大小,還包括ESL、ESR等。

    對於高速同步設計而言,CMOS功率損耗表現為容性放電效應。例如,—個在3.8V、200MHz頻率下的裝置損耗4800 mW的功率時,就會大約有4000 pF的容性損耗。這可以在每個時鐘觸發下觀測得到。

    CMOS邏輯閘透過自身的輸入電容,對裝置的耦合和輸入晶體的串聯電容來提供分有電容。這些內部電容並不等於執行所需的電容值。矽盤不允許使用另外的矽材料製作大眭容底板,這是因為製造工藝決定了亞微米設計會消耗佈線空間,同時需要支援氧化物層獻裝配。

    注意事項:各電路適用度不同建議適用前先做測試

  • 3 # 強弱蜂鳴

    是兩單元運算放大器,HA17358應該是日本日立型號,簡單的理解就是一輸入腳的電壓跟另一隻基準腳的電壓相比較,然後在它的輸出腳上按某種規律產生一個電壓,另一單元三隻腳同理,剩兩隻腳是晶片電源腳,它跟電壓比較器最大的區別是它的輸出跟它周邊電阻值有關,而電壓比較器只跟兩輸入腳的電壓高低有關,輸出要麼是晶片供電的VCC+要麼就是晶片供電的VCC-,沒放大功能。要量電壓,黑表筆按GND腳,其它腳挨個量。

  • 4 # 80後創業之家

    HA173588是八腳整合晶片

    整合晶片中來用強壓技術形成去耦。高密度元件常常直接把表面安裝(SMT)電容加 入到整合晶片之中。分立電容常在這個時候用於多晶片模組中。根據矽盤入侵峰值電流衝激情況,以設各 所需的充電電流為基礎來選擇合適的電容。此外,在元件產生自激時能對差模電流產生抑制作用。雖然內嵌有電容,在模組外部同樣需要加上分立電容。

    元件在開關週期內,去耦電容提供了瞬時的充、放電。去耦電容必須向器件提供足夠快 的充、放電過程以滿足開關操作的需要。電容的自激頻率取決於很多因素,不僅包括電容大小,還包括ESL、ESR等。

    對於高速同步設計而言,CMOS功率損耗表現為容性放電效應。例如,—個在3.8V、200MHz頻率下的裝置損耗4800 mW的功率時,就會大約有4000 pF的容性損耗。這可以在每個時鐘觸發下觀測得到。

    CMOS邏輯閘透過自身的輸入電容,對裝置的耦合和輸入晶體的串聯電容來提供分有電容。這些內部電容並不等於執行所需的電容值。矽盤不允許使用另外的矽材料製作大眭容底板,這是因為製造工藝決定了亞微米設計會消耗佈線空間,同時需要支援氧化物層獻裝配。

    注意事項:各電路適用度不同建議適用前先做測試

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