美光本週在新加坡舉辦了慶祝 Fab 10 工廠擴建順利完成的儀式。
儘管新的潔淨室不會增加該公司每月的晶圓產能，但卻能讓美光技術使用更先進的 3D NAND 工藝技術，生產具有更高層數和位元位密度的產品。
實際上，Fab 10 Expansion 是由多個部分組合而成的，包括了此前的 Fab 10N 和 Fab 10X 設施。
【資料圖，來自：Micron，via AnandTech】
官方指出，新 3D NAND 生產設施佔地 16.5 萬平米。至於潔淨室的空間、以及其它擴充套件功能部分，美光暫未透露。
目前該工廠正在裝置安裝階段，預計可在 2019 下半年（未來 4-5 個月）投產 96 層 3D NAND 。至於具體的生產安排，將依實際需求而定。
在裝置齊全之後，這裡也不會增加任何新的晶圓容量，而是容納更多 3D NAND 層數製造所需的、更先進的工藝裝置。
據悉，隨著 3D NAND 層數的增加，每片晶圓都需要在化學氣相沉積（CVD）機器中耗費更多的時間，意味著蝕刻的工藝流程會被拖得更久。
此外，美光還會運用更多奢侈的生產技術。為了保持晶圓處理數量的一致性，快閃記憶體製造商必須在潔淨室中加裝額外的 CVD 和蝕刻機，這對設施空間提出了額外的要求。
綜上所述，儘管 Fab 10 Expansion 可能不會提升美光新加坡工廠的每月晶圓數量，但確實可在 NAND 快閃記憶體生產方面實現一定的增長。
最後，除了新的製造工廠，美光還將擴大在新加坡的研發業務。其 NAND 卓越中心著力進行技術研發和產品工程，以進一步提升 Fab 10 工廠的產能和良率。
美光本週在新加坡舉辦了慶祝 Fab 10 工廠擴建順利完成的儀式。
儘管新的潔淨室不會增加該公司每月的晶圓產能，但卻能讓美光技術使用更先進的 3D NAND 工藝技術，生產具有更高層數和位元位密度的產品。
實際上，Fab 10 Expansion 是由多個部分組合而成的，包括了此前的 Fab 10N 和 Fab 10X 設施。
【資料圖，來自：Micron，via AnandTech】
官方指出，新 3D NAND 生產設施佔地 16.5 萬平米。至於潔淨室的空間、以及其它擴充套件功能部分，美光暫未透露。
目前該工廠正在裝置安裝階段，預計可在 2019 下半年（未來 4-5 個月）投產 96 層 3D NAND 。至於具體的生產安排，將依實際需求而定。
在裝置齊全之後，這裡也不會增加任何新的晶圓容量，而是容納更多 3D NAND 層數製造所需的、更先進的工藝裝置。
據悉，隨著 3D NAND 層數的增加，每片晶圓都需要在化學氣相沉積（CVD）機器中耗費更多的時間，意味著蝕刻的工藝流程會被拖得更久。
此外，美光還會運用更多奢侈的生產技術。為了保持晶圓處理數量的一致性，快閃記憶體製造商必須在潔淨室中加裝額外的 CVD 和蝕刻機，這對設施空間提出了額外的要求。
綜上所述，儘管 Fab 10 Expansion 可能不會提升美光新加坡工廠的每月晶圓數量，但確實可在 NAND 快閃記憶體生產方面實現一定的增長。
最後，除了新的製造工廠，美光還將擴大在新加坡的研發業務。其 NAND 卓越中心著力進行技術研發和產品工程，以進一步提升 Fab 10 工廠的產能和良率。