霍爾元件可用多種半導體材料製作，如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP以及多層半導體異質結構量子阱材料等等。霍爾元件是一種基於霍爾效應的磁感測器。用它們可以檢測磁場及其變化，可在各種與磁場有關的場合中使用。
霍爾元件具有許多優點，它們的結構牢固，體積小，重量輕，壽命長，安裝方便，功耗小，頻率高（可達1MHZ），耐震動，不怕灰塵、油汙、水汽及鹽霧等的汙染或腐蝕。霍爾線性器件的精度高、線性度好；霍爾開關器件無觸點、無磨損、輸出波形清晰、無抖動、無回跳、位置重複精度高（可達μm 級），採用了各種補償和保護措施，霍爾器件的工作溫度範圍寬，可達－55℃～150℃。
霍爾元件的特性
1、霍爾係數（又稱霍爾常數）RH
2、霍爾靈敏度KH（又稱霍爾乘積靈敏度）
3、霍爾額定激勵電流
4、霍爾最大允許激勵電流
5、霍爾輸入電阻
6、霍爾輸出電阻
7、霍爾元件的電阻溫度係數
8、霍爾不等位電勢（又稱霍爾偏移零點）
9、霍爾輸出電壓
10、霍爾電壓輸出比率
11、霍爾寄生直流電勢
12、霍爾不等位電勢
13、霍爾電勢溫度係數
14、熱阻Rth
無刷電機霍爾感測器AH44E
開關型霍爾整合元件，用於無刷電機的位置感測器。
引腳定義（有標記的一面朝向自己）：（左）電源正；（中）接地；（右）訊號輸出
體積（mm）：4.1*3.0*1.5
安裝時注意減少應力與防靜電
霍爾元件靈敏度
從原理看：
VH=KHIB
KH稱為靈敏度。單位為mV/（mA.G）
實際的霍爾元件，通常分為開關型或線性型兩種，開關型一般不標稱靈敏度。線性型通常電流I由內部電路決定。因此，靈敏度的定義發生了變化。
VH=KHB。單位變為mV/G
一般在1~5mV/G，假設供電電流為10mA，也可轉變為：
KH=0.1~0.5mV/（mA.G）
無錫華芯晟科技有限公司
霍爾元件可用多種半導體材料製作，如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP以及多層半導體異質結構量子阱材料等等。霍爾元件是一種基於霍爾效應的磁感測器。用它們可以檢測磁場及其變化，可在各種與磁場有關的場合中使用。
霍爾元件具有許多優點，它們的結構牢固，體積小，重量輕，壽命長，安裝方便，功耗小，頻率高（可達1MHZ），耐震動，不怕灰塵、油汙、水汽及鹽霧等的汙染或腐蝕。霍爾線性器件的精度高、線性度好；霍爾開關器件無觸點、無磨損、輸出波形清晰、無抖動、無回跳、位置重複精度高（可達μm 級），採用了各種補償和保護措施，霍爾器件的工作溫度範圍寬，可達－55℃～150℃。
霍爾元件的特性
1、霍爾係數（又稱霍爾常數）RH
2、霍爾靈敏度KH（又稱霍爾乘積靈敏度）
3、霍爾額定激勵電流
4、霍爾最大允許激勵電流
5、霍爾輸入電阻
6、霍爾輸出電阻
7、霍爾元件的電阻溫度係數
8、霍爾不等位電勢（又稱霍爾偏移零點）
9、霍爾輸出電壓
10、霍爾電壓輸出比率
11、霍爾寄生直流電勢
12、霍爾不等位電勢
13、霍爾電勢溫度係數
14、熱阻Rth
無刷電機霍爾感測器AH44E
開關型霍爾整合元件，用於無刷電機的位置感測器。
引腳定義（有標記的一面朝向自己）：（左）電源正；（中）接地；（右）訊號輸出
體積（mm）：4.1*3.0*1.5
安裝時注意減少應力與防靜電
霍爾元件靈敏度
從原理看：
VH=KHIB
KH稱為靈敏度。單位為mV/（mA.G）
實際的霍爾元件，通常分為開關型或線性型兩種，開關型一般不標稱靈敏度。線性型通常電流I由內部電路決定。因此，靈敏度的定義發生了變化。
VH=KHB。單位變為mV/G
一般在1~5mV/G，假設供電電流為10mA，也可轉變為：
KH=0.1~0.5mV/（mA.G）
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