【概括而言，區別如下】：
1.DDR4記憶體條外觀變化明顯，金手指變成彎曲狀
2.DDR4記憶體頻率提升明顯，可達4266MHz
3.DDR4記憶體容量提升明顯，可達128GB
4.DDR4功耗明顯降低，電壓達到1.2V、甚至更低
【詳細區別包括以下5方面】：
一、頻率和電壓
在頻率方面，DDR4記憶體的工作頻率將從2133MHz 起跳，最高甚至可以達到4266MHz。這個頻率相比DDR3 記憶體有相當大的提升。在電壓方面，DDR3 記憶體的工作電壓為1.5V，而DDR4記憶體的工作電壓將近一步的降低，預計最低可以做到1.2V。
二、傳輸機制
相對於DDR3，DDR4的一大改進就體現在訊號傳輸機制上。它擁有兩種規格:除了可支援Single-endedSignaling訊號( 傳統SE訊號)外，還引入了DifferentialSignaling( 差分訊號技術 )技術。
三、訪問機制
對於DDR3記憶體來說，目前資料讀取訪問的機制是雙向傳輸。而在DDR4記憶體中，訪問機制已經改為了點對點技術，這是DDR4整個儲存系統的關鍵性設計。點對點相當於一條主管道只對應一個水箱（這種機制的改變其實並不會對傳輸速度產生太大的影響，因為主管道的大小並沒有改變），這樣設計的好處可以大大簡化記憶體模組的設計、更容易達到更高的頻率。
四、封裝技術
DDR4記憶體採用3DS封裝技術，3DS（3-Dimensional Stack，三維堆疊）技術是DDR4記憶體中最關鍵的技術之一，它用來增大單顆晶片的容量。在使用了3DS堆疊封裝技術後，單條記憶體的容量最大可以達到目前產品的8倍之多。
五、外觀
DDR3記憶體金手指是240個，記憶體金手指是平直的；而DDR4記憶體金手指是284個，記憶體金手指呈彎曲狀。
【概括而言，區別如下】：
1.DDR4記憶體條外觀變化明顯，金手指變成彎曲狀
2.DDR4記憶體頻率提升明顯，可達4266MHz
3.DDR4記憶體容量提升明顯，可達128GB
4.DDR4功耗明顯降低，電壓達到1.2V、甚至更低
【詳細區別包括以下5方面】：
一、頻率和電壓
在頻率方面，DDR4記憶體的工作頻率將從2133MHz 起跳，最高甚至可以達到4266MHz。這個頻率相比DDR3 記憶體有相當大的提升。在電壓方面，DDR3 記憶體的工作電壓為1.5V，而DDR4記憶體的工作電壓將近一步的降低，預計最低可以做到1.2V。
二、傳輸機制
相對於DDR3，DDR4的一大改進就體現在訊號傳輸機制上。它擁有兩種規格:除了可支援Single-endedSignaling訊號( 傳統SE訊號)外，還引入了DifferentialSignaling( 差分訊號技術 )技術。
三、訪問機制
對於DDR3記憶體來說，目前資料讀取訪問的機制是雙向傳輸。而在DDR4記憶體中，訪問機制已經改為了點對點技術，這是DDR4整個儲存系統的關鍵性設計。點對點相當於一條主管道只對應一個水箱（這種機制的改變其實並不會對傳輸速度產生太大的影響，因為主管道的大小並沒有改變），這樣設計的好處可以大大簡化記憶體模組的設計、更容易達到更高的頻率。
四、封裝技術
DDR4記憶體採用3DS封裝技術，3DS（3-Dimensional Stack，三維堆疊）技術是DDR4記憶體中最關鍵的技術之一，它用來增大單顆晶片的容量。在使用了3DS堆疊封裝技術後，單條記憶體的容量最大可以達到目前產品的8倍之多。
五、外觀
DDR3記憶體金手指是240個，記憶體金手指是平直的；而DDR4記憶體金手指是284個，記憶體金手指呈彎曲狀。