1.工作電壓不一致。DDR3L工作電壓為1.35V，DDR3工作電壓為1.5V。2.相容度不同。兩者在大多數情況下相容，但在Haswell平臺下卻不能完全相容Intel Haswell處理器，為了更好的降低功耗，其支援的記憶體型別只有DDR3L，並不能相容DDR3。3.功耗區別。標準的DDR3記憶體採用1.5V工作電壓，而DDR3L記憶體則採用的是1.35V工作電壓。4.效能區別。DDR3L記憶體功耗相比DDR3標準記憶體低了15%，功耗的降低，自然會造成效能的下降。透過測試，DDR3L記憶體效能要低於DDR3記憶體，不過兩者差距並不算大。DDR3可以說是第三代DDR3記憶體的代號。而這裡的DDR3後面為什麼要加一個字母“L”，代表的是什麼含義呢?其實這裡後面的“L”是Low Voltage的縮寫，DDR3L全稱是DDR3 Low Voltage，也就是DDR3低電壓版，其工作電壓相比普通標準版的DDR3記憶體更低一些，功耗更低，但效能也略微更低一些。DDR3L低電壓記憶體條一般主要用在筆記本、伺服器等裝置上，普通臺式電腦很少使用這種低電壓記憶體條。記憶體條是CPU可透過匯流排定址，並進行讀寫操作的電腦部件。記憶體條在個人電腦歷史上曾經是主記憶體的擴充套件。隨著電腦軟、硬體技術不斷更新的要求，記憶體條已成為讀寫記憶體的整體。我們通常所說電腦記憶體(RAM)的大小，即是指記憶體條的總容量。記憶體條是電腦必不可少的組成部分，CPU可透過資料匯流排對記憶體定址。歷史上的電腦主機板上有主記憶體，記憶體條是主記憶體的擴充套件。以後的電腦主機板上沒有主記憶體，CPU完全依賴記憶體條。所有外存上的內容必須透過記憶體才能發揮作用。主機板晶片組幾乎都支援記憶體非同步，英特爾公司從810系列到較新的875系列都支援，而威盛公司則從693晶片組以後全部都提供了此功能。效能指標記憶體的效能指標評價記憶體條的效能指標一共有四個:(1) 儲存容量:即一根記憶體條可以容納的二進位制資訊量，如常用的168線記憶體條的儲存容量一般多為32兆、64兆和128兆。而DDRII3普遍為1GB到8GB。(2) 存取速度(儲存週期):即兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間，又稱為儲存週期，半導體儲存器的存取週期一般為60納秒至100納秒。(3) 儲存器的可靠性:儲存器的可靠性用平均故障間隔時間來衡量，可以理解為兩次故障之間的平均時間間隔。(4)效能價格比:效能主要包括儲存器容量、儲存週期和可靠性三項內容，效能價格比是一個綜合性指標，對於不同的儲存器有不同的要求。DDR2與DDR的區別與DDR相比，DDR2最主要的改進是在記憶體模組速度相同的情況下，可以提供相當於DDR記憶體兩倍的頻寬。這主要是透過在每個裝置上高效率使用兩個DRAM核心來實現的。作為對比，在每個裝置上DDR記憶體只能夠使用一個DRAM核心。技術上講，DDR2記憶體上仍然只有一個DRAM核心，但是它可以並行存取，在每次存取中處理4個數據而不是兩個資料。與雙倍速執行的資料緩衝相結合，DDR2記憶體實現了在每個時鐘週期處理多達4bit的資料，比傳統DDR記憶體可以處理的2bit資料高了一倍。DDR2記憶體另一個改進之處在於，它採用FBGA封裝方式替代了傳統的TSOP方式。然而，儘管DDR2記憶體採用的DRAM核心速度和DDR的一樣，但是我們仍然要使用新主機板才能搭配DDR2記憶體，因為DDR2的物理規格和DDR是不相容的。首先是介面不一樣，DDR2的針腳數量為240針，而DDR記憶體為184針；其次，DDR2記憶體的VDIMM電壓為1.8V，也和DDR記憶體的2.5V不同。
1.工作電壓不一致。DDR3L工作電壓為1.35V，DDR3工作電壓為1.5V。2.相容度不同。兩者在大多數情況下相容，但在Haswell平臺下卻不能完全相容Intel Haswell處理器，為了更好的降低功耗，其支援的記憶體型別只有DDR3L，並不能相容DDR3。3.功耗區別。標準的DDR3記憶體採用1.5V工作電壓，而DDR3L記憶體則採用的是1.35V工作電壓。4.效能區別。DDR3L記憶體功耗相比DDR3標準記憶體低了15%，功耗的降低，自然會造成效能的下降。透過測試，DDR3L記憶體效能要低於DDR3記憶體，不過兩者差距並不算大。DDR3可以說是第三代DDR3記憶體的代號。而這裡的DDR3後面為什麼要加一個字母“L”，代表的是什麼含義呢?其實這裡後面的“L”是Low Voltage的縮寫，DDR3L全稱是DDR3 Low Voltage，也就是DDR3低電壓版，其工作電壓相比普通標準版的DDR3記憶體更低一些，功耗更低，但效能也略微更低一些。DDR3L低電壓記憶體條一般主要用在筆記本、伺服器等裝置上，普通臺式電腦很少使用這種低電壓記憶體條。記憶體條是CPU可透過匯流排定址，並進行讀寫操作的電腦部件。記憶體條在個人電腦歷史上曾經是主記憶體的擴充套件。隨著電腦軟、硬體技術不斷更新的要求，記憶體條已成為讀寫記憶體的整體。我們通常所說電腦記憶體(RAM)的大小，即是指記憶體條的總容量。記憶體條是電腦必不可少的組成部分，CPU可透過資料匯流排對記憶體定址。歷史上的電腦主機板上有主記憶體，記憶體條是主記憶體的擴充套件。以後的電腦主機板上沒有主記憶體，CPU完全依賴記憶體條。所有外存上的內容必須透過記憶體才能發揮作用。主機板晶片組幾乎都支援記憶體非同步，英特爾公司從810系列到較新的875系列都支援，而威盛公司則從693晶片組以後全部都提供了此功能。效能指標記憶體的效能指標評價記憶體條的效能指標一共有四個:(1) 儲存容量:即一根記憶體條可以容納的二進位制資訊量，如常用的168線記憶體條的儲存容量一般多為32兆、64兆和128兆。而DDRII3普遍為1GB到8GB。(2) 存取速度(儲存週期):即兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間，又稱為儲存週期，半導體儲存器的存取週期一般為60納秒至100納秒。(3) 儲存器的可靠性:儲存器的可靠性用平均故障間隔時間來衡量，可以理解為兩次故障之間的平均時間間隔。(4)效能價格比:效能主要包括儲存器容量、儲存週期和可靠性三項內容，效能價格比是一個綜合性指標，對於不同的儲存器有不同的要求。DDR2與DDR的區別與DDR相比，DDR2最主要的改進是在記憶體模組速度相同的情況下，可以提供相當於DDR記憶體兩倍的頻寬。這主要是透過在每個裝置上高效率使用兩個DRAM核心來實現的。作為對比，在每個裝置上DDR記憶體只能夠使用一個DRAM核心。技術上講，DDR2記憶體上仍然只有一個DRAM核心，但是它可以並行存取，在每次存取中處理4個數據而不是兩個資料。與雙倍速執行的資料緩衝相結合，DDR2記憶體實現了在每個時鐘週期處理多達4bit的資料，比傳統DDR記憶體可以處理的2bit資料高了一倍。DDR2記憶體另一個改進之處在於，它採用FBGA封裝方式替代了傳統的TSOP方式。然而，儘管DDR2記憶體採用的DRAM核心速度和DDR的一樣，但是我們仍然要使用新主機板才能搭配DDR2記憶體，因為DDR2的物理規格和DDR是不相容的。首先是介面不一樣，DDR2的針腳數量為240針，而DDR記憶體為184針；其次，DDR2記憶體的VDIMM電壓為1.8V，也和DDR記憶體的2.5V不同。