這主要涉及到兩個方面：1是IO口內部的電路拓撲。2是萬用表電阻測量的原理。

晶片IO口都會放置ESD clamp cell來防止靜電擊穿。ESD具體電路比較複雜，應對不同的情況有不同的設計，這裡不多描述。基本原理可以理解成在電源和地之間串聯反接兩個二極體。

另一方面，萬用表測量電阻的原理是從一個表筆流出一個mA級別的電流（我手裡的fluke是1mA）然後檢測電流電壓計算電阻。

這樣應該就能理解為什麼萬用表正接和反接測出的值不同了吧？紅表筆接IO，對地的二極體反向截止；黑表筆接IO，二極體正向導通。測出的電阻值肯定是不同的。

找兩根8mm、1m長的圓鋼，將其一端磨尖作為輔助測試棒，分別插入待測接地體A兩側5m遠的地下，深度應在0.6m以上，並使三者保持一條直線。 在這裡，A為待測接地體，B、C為輔助測試棒 。然後用萬用表（R*1擋）測量A與B；A與C之間的電阻值，分別記作RAB、RAC、RBC，再經計算就可求出接地體A的接地電阻值。 由於接地電阻指的是接地體與土壤間的接觸電阻。設A、B、C三者的接地電阻分別為RA、RB、RC。再設A與B之間土壤的電阻為RX，因為AC、AB距離相等，可以為A與C之間的土壤電阻也為RX；又因為BC=2AB，所以B與C間的土壤電阻近似為2RX，則：Rab=Ra+Rb+RX。。。。。。①Rac=Ra+Rc+RX。。。。。。②Rbc=Rb+Rc+2RX。。。。。。③將①+②—③即得：RA=（RAB+RAC—RBC）/2。。。。。。④④式即為接地電阻的計算公式。 實測例子：今測得某接地體的資料如下：Rab=8.4Ω，Rac=9.3Ω，Rbc=10.5Ω。則RA=（8.4+9.3—10.5）/2=3.6（Ω） ，所以，被測接地體A的接地電阻值為3.6Ω。