2012年1月中央電視臺【CCTV-10】《科學之夜》專題片中陳湧海教授自彈自唱一曲《將進酒》，豪情滿懷，猶如《笑傲江湖曲》般蕩氣迴腸。 陳湧海，湖南人，1967年生，北大物理系86級學生，科學家樂手，中科院半導體所半導體材料科學重點實驗室主任、博士生導師，傑出青年基金獲得者。 主要從事半導體低維結構材料偏振光學、應變自組裝量子點（線）材料和器件、半導體自旋電子學等研究，主持了國家973、自然科學基金等多項研究課題。在Phys. Rev. B，Appl. Phys. Lett.等刊物發表論文80餘篇。 研究量子、奈米之餘，彈琴復長嘯，縱情民謠中。在校期間，與許秋漢、楊一等同道中人組建未名湖樂隊。 取得的主要學術成績：用偏振反射差分光譜（RDS）研究了GaAs/Al(Ga)As、InGaAs/GaAs、InGaAs/InP等（001）面量子阱的平面內光學各向異性，得到了一系列國際上尚無報道的新結果，證實了該技術很適合用於表徵半導體異質材料介面有序結構、原子偏析、介面化學鍵組成等介面性質；利用連續介質模型計算了應變自組裝量子線周圍的應力場，很好地解釋了量子線斜對準現象；利用圖形化柔性層、低溫生長柔性層以及注氫柔性層等技術獲得了柔性襯底材料，並探討了柔性襯底在緩解應變方面的物理機制；近十年在國際學術刊物上發表了四十餘篇論文。 完成/在研主要專案 國家自然科學基金重大專案課題“新型半導體量子結構的設計、製備和表徵”（2003-2006）； 973專案課題“大失配異質結構材料生長動力學與柔性襯底”（2001-2005）； 863專案“光泵浦、光通訊用自組裝量子點鐳射器”（2002-2005）； 國家自然科學基金重大規劃專案“磁性半導體異質結構材料和自旋極化半導體鐳射器”（2003-2005）； 國家自然科學基金面上專案“半導體材料平面光學各向異性研究”（2000-2002）。 代表性論著： Y. H. Chen, Z. Yang, et al., Reflectance-difference spectroscopy study of the Fermi-level position of low-temperature GaAs, Phys. Rev. B, vol.55, pp. R7379-R, 1997. Y. H. Chen, Z. Yang, et al., Temperature dependence of the Fermi level in low-temperature-grown GaAs, Appl. Phys. Lett. Vol. 72, pp.1866-, 1998. Y. H. Chen and Z. Yang , Theory of linear electro-optic effect near the E1 and the E1 + D1 energies , Appl. Phys. Lett. Vol. 73(12), pp.1667-, 1998. Y. H. Chen, Z. Yang, et al., Quantum-well anisotropic forbidden transitions induced by a common-atom interface potential, Phys. Rev. B, vol. 60(3), pp.1783-, 1999. Y. H. Chen, Z. G. Wang, et al., Polishing-related optical anisotropy of semi-insulating GaAs studied by reflectance difference spectroscopy, J. Appl. Phys., vol.88(3), pp.1695-1697, 2000. 3362 3039 Xiao-Ling Ye, Y. H. Chen, et al., Determination of the values of hole-mixing coefficients due to interface and electric field in GaAs/AlxGa1-xAs superlattices, Phys. Rev. B, vol. 63, pp.115317-, 2001. Y. H. Chen, X. L. Ye, et al., Interface-related in-plane optical anisotropy in GaAs/ AlxGa1-xAs single-quantum-well structures studied by reflectance difference spectroscopy, Phys. Rev. B, vol. 66, pp.195321-, 2002. H. Y. Liu, B. Xu, Y. H. Chen, et al., Effects of seed layer on the realization of larger self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots, J. Appl. Phys. Vol. 88(9), pp.5433-, 2000. 3362 3039 Wang Zhan-Guo, Chen Yong-Hai, et al., Self assembled quantum dots, wires and quantum-dot lasers, J Crystal Growth, vol. 227-228, pp.1132-, 2001.
2012年1月中央電視臺【CCTV-10】《科學之夜》專題片中陳湧海教授自彈自唱一曲《將進酒》，豪情滿懷，猶如《笑傲江湖曲》般蕩氣迴腸。 陳湧海，湖南人，1967年生，北大物理系86級學生，科學家樂手，中科院半導體所半導體材料科學重點實驗室主任、博士生導師，傑出青年基金獲得者。 主要從事半導體低維結構材料偏振光學、應變自組裝量子點（線）材料和器件、半導體自旋電子學等研究，主持了國家973、自然科學基金等多項研究課題。在Phys. Rev. B，Appl. Phys. Lett.等刊物發表論文80餘篇。 研究量子、奈米之餘，彈琴復長嘯，縱情民謠中。在校期間，與許秋漢、楊一等同道中人組建未名湖樂隊。 取得的主要學術成績：用偏振反射差分光譜（RDS）研究了GaAs/Al(Ga)As、InGaAs/GaAs、InGaAs/InP等（001）面量子阱的平面內光學各向異性，得到了一系列國際上尚無報道的新結果，證實了該技術很適合用於表徵半導體異質材料介面有序結構、原子偏析、介面化學鍵組成等介面性質；利用連續介質模型計算了應變自組裝量子線周圍的應力場，很好地解釋了量子線斜對準現象；利用圖形化柔性層、低溫生長柔性層以及注氫柔性層等技術獲得了柔性襯底材料，並探討了柔性襯底在緩解應變方面的物理機制；近十年在國際學術刊物上發表了四十餘篇論文。 完成/在研主要專案 國家自然科學基金重大專案課題“新型半導體量子結構的設計、製備和表徵”（2003-2006）； 973專案課題“大失配異質結構材料生長動力學與柔性襯底”（2001-2005）； 863專案“光泵浦、光通訊用自組裝量子點鐳射器”（2002-2005）； 國家自然科學基金重大規劃專案“磁性半導體異質結構材料和自旋極化半導體鐳射器”（2003-2005）； 國家自然科學基金面上專案“半導體材料平面光學各向異性研究”（2000-2002）。 代表性論著： Y. H. Chen, Z. Yang, et al., Reflectance-difference spectroscopy study of the Fermi-level position of low-temperature GaAs, Phys. Rev. B, vol.55, pp. R7379-R, 1997. Y. H. Chen, Z. Yang, et al., Temperature dependence of the Fermi level in low-temperature-grown GaAs, Appl. Phys. Lett. Vol. 72, pp.1866-, 1998. Y. H. Chen and Z. Yang , Theory of linear electro-optic effect near the E1 and the E1 + D1 energies , Appl. Phys. Lett. Vol. 73(12), pp.1667-, 1998. Y. H. Chen, Z. Yang, et al., Quantum-well anisotropic forbidden transitions induced by a common-atom interface potential, Phys. Rev. B, vol. 60(3), pp.1783-, 1999. Y. H. Chen, Z. G. Wang, et al., Polishing-related optical anisotropy of semi-insulating GaAs studied by reflectance difference spectroscopy, J. Appl. Phys., vol.88(3), pp.1695-1697, 2000. 3362 3039 Xiao-Ling Ye, Y. H. Chen, et al., Determination of the values of hole-mixing coefficients due to interface and electric field in GaAs/AlxGa1-xAs superlattices, Phys. Rev. B, vol. 63, pp.115317-, 2001. Y. H. Chen, X. L. Ye, et al., Interface-related in-plane optical anisotropy in GaAs/ AlxGa1-xAs single-quantum-well structures studied by reflectance difference spectroscopy, Phys. Rev. B, vol. 66, pp.195321-, 2002. H. Y. Liu, B. Xu, Y. H. Chen, et al., Effects of seed layer on the realization of larger self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots, J. Appl. Phys. Vol. 88(9), pp.5433-, 2000. 3362 3039 Wang Zhan-Guo, Chen Yong-Hai, et al., Self assembled quantum dots, wires and quantum-dot lasers, J Crystal Growth, vol. 227-228, pp.1132-, 2001.