1.理論上說速度回快一倍,就向SD和DDR一樣
2.價格會比DDR多30-50左右
3.945以上的晶片組一定回支援的
DDR2與DDR的區別
與DDR相比，DDR2最主要的改進是在記憶體模組速度相同的情況下，可以提供相當於DDR記憶體兩倍的頻寬。這主要是透過在每個裝置上高效率使用兩個DRAM核心來實現的。作為對比，在每個裝置上DDR記憶體只能夠使用一個DRAM核心。技術上講，DDR2記憶體上仍然只有一個DRAM核心，但是它可以並行存取，在每次存取中處理4個數據而不是兩個資料。
DDR2與DDR的區別示意圖
與雙倍速執行的資料緩衝相結合，DDR2記憶體實現了在每個時鐘週期處理多達4bit的資料，比傳統DDR記憶體可以處理的2bit資料高了一倍。DDR2記憶體另一個改進之處在於，它採用FBGA封裝方式替代了傳統的TSOP方式。
然而，儘管DDR2記憶體採用的DRAM核心速度和DDR的一樣，但是我們仍然要使用新主機板才能搭配DDR2記憶體，因為DDR2的物理規格和DDR是不相容的。首先是介面不一樣，DDR2的針腳數量為240針，而DDR記憶體為184針；其次，DDR2記憶體的VDIMM電壓為1.8V，也和DDR記憶體的2.5V不同。
DDR2的定義：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子裝置工程聯合委員會）進行開發的新生代記憶體技術標準，它與上一代DDR記憶體技術標準最大的不同就是，雖然同是採用了在時鐘的上升/下降延同時進行資料傳輸的基本方式，但DDR2記憶體卻擁有兩倍於上一代DDR記憶體預讀取能力（即：4bit資料讀預取）。換句話說，DDR2記憶體每個時鐘能夠以4倍外部匯流排的速度讀/寫資料，並且能夠以內部控制匯流排4倍的速度執行。
此外，由於DDR2標準規定所有DDR2記憶體均採用FBGA封裝形式，而不同於目前廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝形式，FBGA封裝可以提供了更為良好的電氣效能與散熱性，為DDR2記憶體的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎。回想起DDR的發展歷程，從第一代應用到個人電腦的DDR200經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術，第一代DDR的發展也走到了技術的極限，已經很難透過常規辦法提高記憶體的工作速度；隨著Intel最新處理器技術的發展，前端匯流排對記憶體頻寬的要求是越來越高，擁有更高更穩定執行頻率的DDR2記憶體將是大勢所趨。
DDR2與DDR的區別：
在瞭解DDR2記憶體諸多新技術前，先讓我們看一組DDR和DDR2技術對比的資料。
1、延遲問題：
從上表可以看出，在同等核心頻率下，DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這得益於DDR2記憶體擁有兩倍於標準DDR記憶體的4BIT預讀取能力。換句話說，雖然DDR2和DDR一樣，都採用了在時鐘的上升延和下降延同時進行資料傳輸的基本方式，但DDR2擁有兩倍於DDR的預讀取系統命令資料的能力。也就是說，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實際頻率為200MHz，而DDR2則可以達到400MHz。
這樣也就出現了另一個問題：在同等工作頻率的DDR和DDR2記憶體中，後者的記憶體延時要慢於前者。舉例來說，DDR 200和DDR2-400具有相同的延遲，而後者具有高一倍的頻寬。實際上，DDR2-400和DDR 400具有相同的頻寬，它們都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作頻率是200MHz，而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz，也就是說DDR2-400的延遲要高於DDR400。
2、封裝和發熱量：
DDR2記憶體技術最大的突破點其實不在於使用者們所認為的兩倍於DDR的傳輸能力，而是在採用更低發熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破標準DDR的400MHZ限制。
DDR記憶體通常採用TSOP晶片封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上，當頻率更高時，它過長的管腳就會產生很高的阻抗和寄生電容，這會影響它的穩定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2記憶體均採用FBGA封裝形式。不同於目前廣泛應用的TSOP封裝形式，FBGA封裝提供了更好的電氣效能與散熱性，為DDR2記憶體的穩定工作與未來頻率的發展提供了良好的保障。
DDR2記憶體採用1.8V電壓，相對於DDR標準的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發熱量，這一點的變化是意義重大的。
DDR2採用的新技術：
除了以上所說的區別外，DDR2還引入了三項新的技術，它們是OCD、ODT和Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所謂的離線驅動調整，DDR II透過OCD可以提高訊號的完整性。DDR II透過調整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD透過減少DQ-DQS的傾斜來提高訊號的完整性；透過控制電壓來提高訊號品質。
ODT：ODT是內建核心的終結電阻器。我們知道使用DDR SDRAM的主機板上面為了防止資料線終端反射訊號需要大量的終結電阻。它大大增加了主機板的製造成本。實際上，不同的記憶體模組對終結電路的要求是不一樣的，終結電阻的大小決定了資料線的訊號比和反射率，終結電阻小則資料線訊號反射低但是信噪比也較低；終結電阻高，則資料線的信噪比高，但是訊號反射也會增加。因此主機板上的終結電阻並不能非常好的匹配記憶體模組，還會在一定程度上影響訊號品質。DDR2可以根據自已的特點內建合適的終結電阻，這樣可以保證最佳的訊號波形。使用DDR2不但可以降低主機板成本，還得到了最佳的訊號品質，這是DDR不能比擬的。
Post CAS：它是為了提高DDR II記憶體的利用效率而設定的。在Post CAS操作中，CAS訊號（讀寫/命令）能夠被插到RAS訊號後面的一個時鐘週期，CAS命令可以在附加延遲（Additive Latency）後面保持有效。原來的tRCD（RAS到CAS和延遲）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中進行設定。由於CAS訊號放在了RAS訊號後面一個時鐘週期，因此ACT和CAS訊號永遠也不會產生碰撞衝突。
1.理論上說速度回快一倍,就向SD和DDR一樣
2.價格會比DDR多30-50左右
3.945以上的晶片組一定回支援的
DDR2與DDR的區別
與DDR相比，DDR2最主要的改進是在記憶體模組速度相同的情況下，可以提供相當於DDR記憶體兩倍的頻寬。這主要是透過在每個裝置上高效率使用兩個DRAM核心來實現的。作為對比，在每個裝置上DDR記憶體只能夠使用一個DRAM核心。技術上講，DDR2記憶體上仍然只有一個DRAM核心，但是它可以並行存取，在每次存取中處理4個數據而不是兩個資料。
DDR2與DDR的區別示意圖
與雙倍速執行的資料緩衝相結合，DDR2記憶體實現了在每個時鐘週期處理多達4bit的資料，比傳統DDR記憶體可以處理的2bit資料高了一倍。DDR2記憶體另一個改進之處在於，它採用FBGA封裝方式替代了傳統的TSOP方式。
然而，儘管DDR2記憶體採用的DRAM核心速度和DDR的一樣，但是我們仍然要使用新主機板才能搭配DDR2記憶體，因為DDR2的物理規格和DDR是不相容的。首先是介面不一樣，DDR2的針腳數量為240針，而DDR記憶體為184針；其次，DDR2記憶體的VDIMM電壓為1.8V，也和DDR記憶體的2.5V不同。
DDR2的定義：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子裝置工程聯合委員會）進行開發的新生代記憶體技術標準，它與上一代DDR記憶體技術標準最大的不同就是，雖然同是採用了在時鐘的上升/下降延同時進行資料傳輸的基本方式，但DDR2記憶體卻擁有兩倍於上一代DDR記憶體預讀取能力（即：4bit資料讀預取）。換句話說，DDR2記憶體每個時鐘能夠以4倍外部匯流排的速度讀/寫資料，並且能夠以內部控制匯流排4倍的速度執行。
此外，由於DDR2標準規定所有DDR2記憶體均採用FBGA封裝形式，而不同於目前廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝形式，FBGA封裝可以提供了更為良好的電氣效能與散熱性，為DDR2記憶體的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎。回想起DDR的發展歷程，從第一代應用到個人電腦的DDR200經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術，第一代DDR的發展也走到了技術的極限，已經很難透過常規辦法提高記憶體的工作速度；隨著Intel最新處理器技術的發展，前端匯流排對記憶體頻寬的要求是越來越高，擁有更高更穩定執行頻率的DDR2記憶體將是大勢所趨。
DDR2與DDR的區別：
在瞭解DDR2記憶體諸多新技術前，先讓我們看一組DDR和DDR2技術對比的資料。
1、延遲問題：
從上表可以看出，在同等核心頻率下，DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這得益於DDR2記憶體擁有兩倍於標準DDR記憶體的4BIT預讀取能力。換句話說，雖然DDR2和DDR一樣，都採用了在時鐘的上升延和下降延同時進行資料傳輸的基本方式，但DDR2擁有兩倍於DDR的預讀取系統命令資料的能力。也就是說，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實際頻率為200MHz，而DDR2則可以達到400MHz。
這樣也就出現了另一個問題：在同等工作頻率的DDR和DDR2記憶體中，後者的記憶體延時要慢於前者。舉例來說，DDR 200和DDR2-400具有相同的延遲，而後者具有高一倍的頻寬。實際上，DDR2-400和DDR 400具有相同的頻寬，它們都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作頻率是200MHz，而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz，也就是說DDR2-400的延遲要高於DDR400。
2、封裝和發熱量：
DDR2記憶體技術最大的突破點其實不在於使用者們所認為的兩倍於DDR的傳輸能力，而是在採用更低發熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破標準DDR的400MHZ限制。
DDR記憶體通常採用TSOP晶片封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上，當頻率更高時，它過長的管腳就會產生很高的阻抗和寄生電容，這會影響它的穩定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2記憶體均採用FBGA封裝形式。不同於目前廣泛應用的TSOP封裝形式，FBGA封裝提供了更好的電氣效能與散熱性，為DDR2記憶體的穩定工作與未來頻率的發展提供了良好的保障。
DDR2記憶體採用1.8V電壓，相對於DDR標準的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發熱量，這一點的變化是意義重大的。
DDR2採用的新技術：
除了以上所說的區別外，DDR2還引入了三項新的技術，它們是OCD、ODT和Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所謂的離線驅動調整，DDR II透過OCD可以提高訊號的完整性。DDR II透過調整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD透過減少DQ-DQS的傾斜來提高訊號的完整性；透過控制電壓來提高訊號品質。
ODT：ODT是內建核心的終結電阻器。我們知道使用DDR SDRAM的主機板上面為了防止資料線終端反射訊號需要大量的終結電阻。它大大增加了主機板的製造成本。實際上，不同的記憶體模組對終結電路的要求是不一樣的，終結電阻的大小決定了資料線的訊號比和反射率，終結電阻小則資料線訊號反射低但是信噪比也較低；終結電阻高，則資料線的信噪比高，但是訊號反射也會增加。因此主機板上的終結電阻並不能非常好的匹配記憶體模組，還會在一定程度上影響訊號品質。DDR2可以根據自已的特點內建合適的終結電阻，這樣可以保證最佳的訊號波形。使用DDR2不但可以降低主機板成本，還得到了最佳的訊號品質，這是DDR不能比擬的。
Post CAS：它是為了提高DDR II記憶體的利用效率而設定的。在Post CAS操作中，CAS訊號（讀寫/命令）能夠被插到RAS訊號後面的一個時鐘週期，CAS命令可以在附加延遲（Additive Latency）後面保持有效。原來的tRCD（RAS到CAS和延遲）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中進行設定。由於CAS訊號放在了RAS訊號後面一個時鐘週期，因此ACT和CAS訊號永遠也不會產生碰撞衝突。